体声波滤波器装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种体声波滤波器装置，所述体声波滤波器装置包括：基板；下电极层，设置在所述基板上；键合部，设置在所述下电极层上并且处于所述基板的边缘；接地部，与所述键合部隔开；抑制流动部，设置在所述键合部和所述接地部之间，并相对于所述键合部和所述接地部偏移。

【技术实现步骤摘要】
体声波滤波器装置本申请要求于2016年8月26日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0108974号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。
本公开涉及一种体声波滤波器装置。
技术介绍
近来，在无线通信系统领域，使用体声波(BAW)滤波器装置的装置作为用于获得小型化、多功能和高性能的必要部件已经起到了重要作用。同时，为了提供体声波滤波器装置的期望特性，可能会需求能够在真空状态下保持可靠密封以阻止水分和其它外部元素渗入的全密封。也就是说，在制造体声波滤波器装置时，已经采用晶圆级键合(bonding)技术以保持全密封。为此，可在基板晶圆和盖晶圆的边缘设置用于全密封的键合部。体声波滤波器装置可设置有接地部，接地部可被设置在基板晶圆上，并被设置为与键合部相邻。然而，可能存在以下问题：在通过熔化工艺键合键合部时，键合部的熔化部分会流入接地部。
技术实现思路
提供本
技术实现思路
以简化形式介绍以下在具体实施方式中进一步描述的选择的专利技术构思。本
技术实现思路
不意图限定所要求保护的主题的关键特征或基本特征，本
技术实现思路
也不意图用于帮助确定所要求保护的主题的范围。在一个总体方面，一种体声波滤波器装置包括：基板；下电极层，设置在所述基板上；键合部，设置在所述下电极层上并且处于所述基板的边缘；接地部，与所述键合部隔开；抑制流动部，设置在所述键合部和所述接地部之间，并相对于所述键合部和所述接地部偏移。所述抑制流动部可以相对于所述键合部和所述接地部垂直地形成台阶。所述抑制流动部可以比所述接地部和所述键合部薄。所述抑制流动部可包括压电层，所述压电层设置在所述下电极层上，并位于所述接地部和所述键合部之间。所述抑制流动部还可包括设置在所述压电层上的保护层。所述抑制流动部还可包括设置在所述压电层上的上电极层。所述抑制流动部还可包括设置在所述上电极层上的保护层。所述抑制流动部可以比所述接地部厚。所述抑制流动部可包括压电层和坝层，所述压电层比所述接地部和所述键合部薄，所述坝层设置在所述压电层上并且高出所述接地部。所述抑制流动部还可包括设置在所述压电层和所述坝层之间的保护层。所述抑制流动部还可包括设置在所述压电层和所述坝层之间的上电极层。所述抑制流动部还可包括设置在所述压电层上的上电极层以及设置在所述上电极层上的保护层。所述键合部可包括基层和密封层，所述基层的厚度与所述接地部的厚度相同，所述密封层设置在所述基层的边缘。所述接地部和所述键合部可包含金(Au)、金-锡(Au-Sn)合金、铜(Cu)和铜-锡(Cu-Sn)合金中的任意一种。所述坝层可包含金(Au)、金-锡(Au-Sn)合金、铜(Cu)和铜-锡(Cu-Sn)合金中的任意一种。在另一总体方面，一种体声波滤波器装置包括：基板；下电极层，设置在所述基板上；键合部，包括设置在所述下电极层上的基层和设置在所述基层的边缘的密封层；接地部，与所述键合部隔开；抑制流动部，设置在所述键合部和所述接地部之间，并具有与所述接地部的厚度不同的厚度。所述基层的厚度可以与所述接地部的厚度相同，所述抑制流动部可以比所述基层和所述接地部薄，或者比所述基层和所述接地部厚。所述抑制流动部可包括压电层和坝层，所述压电层设置在所述下电极层上，所述坝层设置在所述压电层上。所述坝层可高出所述接地部，并可被构造为在键合部被熔化时防止所述密封层流向所述接地部。所述压电层包含氮化铝、掺杂后的氮化铝、氧化锌或锆钛酸铅中的任意一种，所述坝层包含金、金-锡合金、铜和铜-锡合金中的任意一种。其它特征和方面将通过下面的具体实施方式、附图和权利要求而显而易见。附图说明图1是示出根据实施例的体声波滤波器装置的构造的平面图。图2是图1的A部分的示意性截面图。图3是图1的A部分的变型示例的示意性截面图。图4是图1的A部分的另一变型示例的示意性截面图。图5是图1的A部分的另一变型示例的示意性截面图。图6是图1的A部分的另一变型示例的示意性截面图。图7是图1的A部分的另一变型示例的示意性截面图。图8是图1的A部分的另一变型示例的示意性截面图。图9是图1的A部分的另一变型示例的示意性截面图。在整个附图和具体实施方式中，相同的标号指示相同的元件。附图可不按比例绘制，为了清楚、说明和方便起见，可夸大附图中元件的相对尺寸、比例和绘制。具体实施方式提供以下的具体实施方式，以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在此描述的方法、设备和/或系统的各种改变、变型以及等同物在理解了本申请的公开内容后将是显而易见的。例如，在此描述的操作的顺序仅仅是示例，并不限于在此所阐述的示例，而是除了必须以特定顺序进行的操作之外，可在理解了本申请的公开内容后做出将是显而易见的改变。此外，为了更加清楚和简洁，可省略对本领域中已知的特征的描述。在此描述的特征可按照不同的形式实施，并且不应该被解释为局限于在此描述的示例。更确切地说，已经提供在此描述的示例仅为了示出在理解了本申请的公开内容后将是显而易见的实现在此描述的方法、设备和/或系统的许多可行方式中的一些方式。在整个说明书中，当诸如层、区域或基板的元件被描述为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时，所述元件可以直接“在”另一元件“上”、直接“连接到”另一元件或直接“结合到”另一元件，或者可存在介于它们之间的一个或更多个其它元件。相比之下，当元件被描述为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时，可不存在介于它们之间的其它元件。如在此使用的，术语“和/或”包括任何两个或更多个相关联的所列项目中的任何一个以及任何组合。虽然可在此使用诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语来描述各种构件、组件、区域、层或部分，但是这些构件、组件、区域、层或部分不受这些术语所限制。更确切地说，这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例的教导的情况下，在此描述的示例中所称的第一构件、组件、区域、层或部分也可称作第二构件、组件、区域、层或部分。为了描述的方便，可在此使用与空间相关的术语(诸如，“在……之上”、“上方”、“在……之下”以及“下方”等)，以描述如图中示出的一个元件与另一个元件的关系。除了附图中描绘的方位之外，这样的与空间相关的术语还意在包括装置在使用或操作时的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则描述为相对于另一元件位于“之上”或“上方”的元件之后将相对于该另一元件位于“之下”或“下方”。因此，基于装置的特定方位，术语“在……之上”包含“在……之上”和“在……之下”的两种方位。装置也可以以其它方式定位(例如，旋转90度或处于其它方位)，并可对在此使用的与空间相关的术语进行相应地解释。在此使用的术语仅用于描述各个示例，而不用于限制本公开。除非上下文中另外清楚地指明，否则单数形式也意于包括复数形式。术语“包含”、“包括”和“具有”列举存在的所述的特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合，但不排除存在或增加一个或更多个其它特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合。由于制造技术和/或公差，可出现附图中所示的形状的变化。因此，在此描述的示例不限于附图中所示的特定形状，而本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种体声波滤波器装置，包括：基板；下电极层，设置在所述基板上；键合部，设置在所述下电极层上并且处于所述基板的边缘；接地部，与所述键合部隔开；及抑制流动部，设置在所述键合部和所述接地部之间，并相对于所述键合部和所述接地部偏移。

【技术特征摘要】
2016.08.26 KR 10-2016-01089741.一种体声波滤波器装置，包括：基板；下电极层，设置在所述基板上；键合部，设置在所述下电极层上并且处于所述基板的边缘；接地部，与所述键合部隔开；及抑制流动部，设置在所述键合部和所述接地部之间，并相对于所述键合部和所述接地部偏移。2.根据权利要求1所述的体声波滤波器装置，其中，所述抑制流动部相对于所述键合部和所述接地部垂直地形成台阶。3.根据权利要求1所述的体声波滤波器装置，其中，所述抑制流动部比所述接地部和所述键合部薄。4.根据权利要求3所述的体声波滤波器装置，其中，所述抑制流动部包括压电层，所述压电层设置在所述下电极层上，并位于所述接地部和所述键合部之间。5.根据权利要求4所述的体声波滤波器装置，其中，所述抑制流动部还包括设置在所述压电层上的保护层。6.根据权利要求4所述的体声波滤波器装置，其中，所述抑制流动部还包括设置在所述压电层上的上电极层。7.根据权利要求6所述的体声波滤波器装置，其中，所述抑制流动部还包括设置在所述上电极层上的保护层。8.根据权利要求1所述的体声波滤波器装置，其中，所述抑制流动部比所述接地部厚。9.根据权利要求8所述的体声波滤波器装置，其中，所述抑制流动部包括压电层和坝层，所述压电层比所述接地部和所述键合部薄，所述坝层设置在所述压电层上并且高出所述接地部。10.根据权利要求9所述的体声波滤波器装置，其中，所述抑制流动部还包括设置在所述压电层和所述坝层之间的保护层。11.根据权利要求9所述的体声波滤波器装置，其中，所述抑制流动部还包括设置在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李泰京，姜龙进，李文喆，吉宰亨，林昶贤，金泰润，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR