体声波滤波器装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种体声波滤波器装置，所述体声波滤波器装置包括：第一基板；第一滤波器，在所述体声波滤波器装置的腔内，所述第一滤波器设置在所述第一基板上；第二基板，结合到所述第一基板；第二滤波器，在所述腔内，所述第二滤波器设置在所述第二基板上并且面对所述第一滤波器；第一电感器层，设置在所述第一基板上以及所述第一滤波器的周围；第二电感器层，设置在所述第二基板上以及所述第二滤波器的周围，并结合到所述第一电感器层；及密封构件，所述密封构件与所述第一电感器层和所述第二电感器层一起密封所述腔。

Sonic wave filter device

The invention provides a bulk acoustic wave filter device, the bulk acoustic wave filter device includes: a first substrate; a first filter cavity in the bulk acoustic wave filter device, wherein the first filter is arranged on the first substrate; a second substrate bonded to the first substrate; a second filter in the cavity. The second filter is provided on the second substrate and facing the first filter; the first inductor is arranged around the layer on the first substrate and the first filter inductor; second layer is arranged on the second substrate and the second filter around, and coupled to the first inductor layer and the sealing member; the sealing member and the first inductor layers together to seal the cavity and the second inductor layer.

【技术实现步骤摘要】
体声波滤波器装置本申请要求于2016年8月11日提交到韩国知识产权局的第10-2016-0102557号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。
以下描述涉及体声波滤波器装置。
技术介绍
体声波(BAW)双工器可包括：用于发送和接收的BAW滤波器，分别表面安装在多层基板上；辅助电路，利用多层基板实施。由于BAW滤波器可以以二维的方式表面安装在多层基板上，因此在空间最小化方面可能会有限制。另外，由于RF前端模块的厚度被减小，因此BAW双工器的厚度也需要被减小。为此，需要实施薄的多层基板。当电感器形成在薄的多层基板上时，从地面的高度可能会相对低，因此，形成BAW双工器所需的电感器的品质因数(Q)也可能会低，这样可能会导致插入损耗的增加。此外，当在BAW双工器上执行晶圆级封装(WLP)时，BAW双工器可通过涂敷粘合材料并使粘合材料熔化以在晶圆之间形成结合部来密封。然而，这样可能不能完全阻挡水分或其他污染物渗入BAW双工器。
技术实现思路
提供本
技术实现思路
以简化的形式对所选择的构思进行介绍，并在下面的具体实施方式中进一步描述所述构思。本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种体声波滤波器装置，包括：第一基板；第一滤波器，在所述体声波滤波器装置的腔内，所述第一滤波器设置在所述第一基板上；第二基板，结合到所述第一基板；第二滤波器，在所述腔内，所述第二滤波器设置在所述第二基板上并且面对所述第一滤波器；第一电感器层，设置在所述第一基板上以及所述第一滤波器的周围；第二电感器层，设置在所述第二基板上以及所述第二滤波器的周围，并结合到所述第一电感器层；及密封构件，与所述第一电感器层和所述第二电感器层一起密封所述腔。

【技术特征摘要】
2016.08.11 KR 10-2016-01025571.一种体声波滤波器装置，包括：第一基板；第一滤波器，在所述体声波滤波器装置的腔内，所述第一滤波器设置在所述第一基板上；第二基板，结合到所述第一基板；第二滤波器，在所述腔内，所述第二滤波器设置在所述第二基板上并且面对所述第一滤波器；第一电感器层，设置在所述第一基板上以及所述第一滤波器的周围；第二电感器层，设置在所述第二基板上以及所述第二滤波器的周围，并结合到所述第一电感器层；及密封构件，与所述第一电感器层和所述第二电感器层一起密封所述腔。2.根据权利要求1所述的体声波滤波器装置，其中，所述第一电感器层和所述第二电感器层具有彼此对应的螺旋形状。3.根据权利要求1所述的体声波滤波器装置，其中，所述密封构件形成在所述第一电感器层和所述第二电感器层的敞开区域中。4.根据权利要求1所述的体声波滤波器装置，其中，所述密封构件包含多晶硅材料。5.根据权利要求1所述的体声波滤波器装置，其中，所述第一电感器层的厚度大于所述第一电感器层的宽度，所述第二电感器层的厚度大于所述第二电感器层的宽度。6.根据权利要求1所述的体声波滤波器装置，其中，所述第一基板包括设置在所述第一电感器层周围的蚀刻槽，所述第二基板包括设置在所述第二电感器层周围的蚀刻槽。7.根据权利要求6所述的体声波滤波器装置，其中，所述蚀刻槽通过反应离子蚀刻形成。8.根据权利要求1所述的体声波滤波器装置，其中，所述第一电感器层和所述第二电感器层包含铜和镍中的任意一种，并且通过镀覆形成。9.根据权利要求8所述的体声波滤波器装置，其中，所述第一电感器层和所述第二电感器层通过共晶键合彼此结合。10.根据权利要求1所述的体...

【专利技术属性】
技术研发人员：千成钟，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR