一种用于制备HIBC电池的异质结非晶硅层的掩膜板制造技术

本发明专利技术公开了一种用于制备HIBC电池的异质结非晶硅层的掩膜板，包括：底座和盖板。所述底座包括容置凹槽，所述容置凹槽用于容置HIBC电池中待沉积异质结非晶硅层的基底。所述盖板覆设在所述底座上，所述盖板上设置有露出所述容置凹槽的开口，开口上设置有多个间隔排列的遮挡件，遮挡件将开口划分为交错间隔的遮挡区和开口区。在制备P区时，遮挡区用于遮挡P区和所述N区的间隔区域以及N区；在制备N区时，遮挡区用于遮挡P区和N区的间隔区域以及P区。所述掩膜板可避免对其他工序生成的非晶硅层的特性产生影响，起到保护已生成的非晶硅层的作用；而且所述掩膜板结构简易，操作难度低，有利于提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】
一种用于制备HIBC电池的异质结非晶硅层的掩膜板
本专利技术涉及太阳能光伏
，尤其是一种用于制备HIBC电池的异质结非晶硅层的掩膜板。
技术介绍
HIBC电池(Hetero-junctionBackContactCell，异质结背接触耦合电池)是将HIT技术运用于IBC结构的太阳能电池。HIBC电池与HIT电池相比最大的特点是HIBC电池的前表面没有栅线和电极，极大地降低了栅线和电极对太阳光的遮挡而造成光损失，确保了HIBC电池具有高的短路电流(Isc)和高的填充因子(FF)。在HIBC电池的硅衬底的正面先生长一个钝化层，再沉积SiNx减反膜降低反射率；背面则先沉积一层本征非晶硅层，再沉积呈指状交叉分布的N型非晶硅层和P型非晶硅层，最后用金属化工艺制备HIBC电池背面的正、负电极。目前要制备叉指状分布的N型非晶硅层和P型非晶硅层，主要包括激光刻蚀和在掩膜保护下采用离子体增强化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，PECVD)等沉积工艺进行沉积这两种方案。激光刻蚀工艺后需要进行蒸镀电极和高温退火工艺，对HIBC电池的非晶硅层的性能本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制备HIBC电池的异质结非晶硅层的掩膜板，所述异质结非晶硅层(4)包括呈叉指状排列的P区(41)和N区(42)，其特征在于，所述掩膜板(100)包括：底座(1)，所述底座(1)包括容置凹槽(10)，所述容置凹槽(10)用于容置待沉积所述异质结非晶硅层(4)的基底(40)；盖板(2)，所述盖板(2)覆设在所述底座(1)上，所述盖板(2)上设置有暴露出所述容置凹槽(10)的开口(20)，所述开口(20)上设置有多个间隔排列的遮挡件(21)，所述遮挡件(21)将所述开口(20)划分为交错间隔的遮挡区(210)和开口区(220)；在制备所述P区(41)时，所述遮挡区(210)用于遮挡所述P区(...

【技术特征摘要】
1.一种用于制备HIBC电池的异质结非晶硅层的掩膜板，所述异质结非晶硅层(4)包括呈叉指状排列的P区(41)和N区(42)，其特征在于，所述掩膜板(100)包括：底座(1)，所述底座(1)包括容置凹槽(10)，所述容置凹槽(10)用于容置待沉积所述异质结非晶硅层(4)的基底(40)；盖板(2)，所述盖板(2)覆设在所述底座(1)上，所述盖板(2)上设置有暴露出所述容置凹槽(10)的开口(20)，所述开口(20)上设置有多个间隔排列的遮挡件(21)，所述遮挡件(21)将所述开口(20)划分为交错间隔的遮挡区(210)和开口区(220)；在制备所述P区(41)时，所述遮挡区(210)用于遮挡所述P区(41)和所述N区(42)的间隔区域以及所述N区(42)；在制备所述N区(42)时，所述遮挡区(210)用于遮挡所述P区(41)和所述N区(42)的间隔区域以及所述P区(41)。2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述遮挡件(21)可拆卸地连接在所述盖板(2)...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢刚，张治，杨振英，何凤琴，郑璐，张敏，
申请(专利权)人：青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司，
类型：发明
国别省市：青海,63