一种OLED显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种OLED显示装置。其包括TFT阵列基板、密封板和发光器件，密封板设置于TFT阵列基板上，与TFT阵列基板形成密闭空间，发光器件设置于密闭空间内的TFT阵列基板上，发光器件包括依次层叠的碳化硅衬底、氮化铝缓冲层、阴极层、有机层、阳极层和透明导电超疏水薄膜，有机层包括呈矩阵分布在阴极层上的隔离层以及设置在多个隔离层之间的发光层，发光层的表面向下凹陷形成曲面，发光层由多个氮化镓层和多个氮化镓铝层交错层叠而成，多个氮化镓层中的至少一个氮化镓层中插入有应力缓冲层，应力缓冲层的晶格常数大于氮化镓层和氮化镓铝层的晶格常数。本发明专利技术能够使发光器件具有良好的导电性、透明性和耐水性。

A OLED display device

The invention discloses a OLED display device. The TFT array substrate includes a sealing plate, and the light emitting device, the sealing plate is arranged on the TFT array substrate, to form a closed space with a TFT array substrate, TFT array substrate light emitting device is arranged in the confined space on the light emitting device includes a silicon carbide substrate, sequentially stacked aluminum nitride buffer layer and a cathode layer, an organic layer, anode the super hydrophobic layer and a transparent conductive film, the organic layer comprises a matrix isolation layer distribution in the cathode layer and arranged in the light emitting layer between a plurality of isolation layer, a light-emitting layer surface downwards to form the surface, the light-emitting layer comprises a plurality of gallium nitride layer and a plurality of AlGaN layer overlapped into a GaN layer at least one of the gallium nitride layer is inserted into the stress buffer layer should be lattice constant stress buffer layer is greater than the lattice constant and the aluminum layer of Gan Gan layer. The invention can make the light emitting device have good conductivity, transparency and water resistance.

【技术实现步骤摘要】
一种OLED显示装置
本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种OLED显示装置。
技术介绍
有机发光二极管(OLED)由于具有自发光、反应快、视角广、亮度高、轻薄等优点，因此利用其制作的显示面板的市场前景被广泛看好。目前，顶发射型显示面板对有机发光二极管的顶部电极要求较高，既需要其具备良好的导电性，又需要满足良好的透明性。目前较为常用的顶部透明电极为较薄(10-20nm)的金属薄膜或导电金属氧化物(如ITO)薄膜。金属薄膜越薄，透光性越好，但导电性会相对降低，因此需要对其导电性和透明性进行平衡，目前仍无法达到理想效果。而ITO薄膜导电性相对有限，尤其是制作大面积器件时，ITO的自身电阻形成的电压降会导致显示亮度不均匀、显示画面存在各种痕迹，从而影响显示效果。另外，ITO薄膜通常采用溅射工艺制备，溅射工艺会对下层造成一定的损伤。此外，由于OLED对水、氧比较敏感，要求顶部电极需具有一定耐水性，且要求有机发光二极管需严格的封装。因此，现有技术有待改进和进一步发展。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种OLED显示装置，能够使发光器件具有良好的导电性、透明性和耐水性。为解决本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED显示装置，其特征在于，包括TFT阵列基板、密封板和发光器件，所述密封板设置于所述TFT阵列基板上，与所述TFT阵列基板形成密闭空间，所述发光器件设置于所述密闭空间内的TFT阵列基板上，所述发光器件包括依次层叠的碳化硅衬底、氮化铝缓冲层、阴极层、有机层、阳极层和透明导电超疏水薄膜，所述有机层包括呈矩阵分布在所述阴极层上的隔离层以及设置在所述多个隔离层之间的发光层，所述发光层的表面向下凹陷形成曲面，所述发光层由多个氮化镓层和多个氮化镓铝层交错层叠而成，所述多个氮化镓层中的至少一个氮化镓层中插入有应力缓冲层，所述应力缓冲层的晶格常数大于所述氮化镓层和氮化镓铝层的晶格常数。

【技术特征摘要】
1.一种OLED显示装置，其特征在于，包括TFT阵列基板、密封板和发光器件，所述密封板设置于所述TFT阵列基板上，与所述TFT阵列基板形成密闭空间，所述发光器件设置于所述密闭空间内的TFT阵列基板上，所述发光器件包括依次层叠的碳化硅衬底、氮化铝缓冲层、阴极层、有机层、阳极层和透明导电超疏水薄膜，所述有机层包括呈矩阵分布在所述阴极层上的隔离层以及设置在所述多个隔离层之间的发光层，所述发光层的表面向下凹陷形成曲面，所述发光层由多个氮化镓层和多个氮化镓铝层交错层叠而成，所述多个氮化镓层中的至少一个氮化镓层中插入有应力缓冲层，所述应力缓冲层的晶格常数大于所述氮化镓层和氮化镓铝层的晶格常数。2.根据权利要求1所述的OLED显示装置，其特征在于，所述应力缓冲层的材料为GaInAs。3.根据权利要求1所述的OLED显示装置，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗艳，
申请(专利权)人：四川九鼎智远知识产权运营有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51