本发明专利技术属于核反应堆内部件加工生产技术领域,公开了一种导磁半环电镀装置,包括大支架和小支架,所述小支架通过支撑座设置在所述大支架内,所述大支架上设置第一支撑条,所述小支架上设置第二支撑条,在所述第一支撑条和第二支撑条上设置的电镀支撑组件包括在所述第一支撑条上设置的若干个短支撑和在所述第二支撑条上设置的若干个长支撑,所述短支撑和长支撑的位置相互错开,所述长支撑位于所述短支撑的下方,在所述小支架的上方设置提升组件,所述提升组件用于将小支架提升一个高度并固定,提升的高度位于第一距离与第二距离之间。本发明专利技术实现批量电镀,保证导磁半环的所有表面镀镍层质量及厚度满足要求。
【技术实现步骤摘要】
导磁半环电镀装置
本专利技术属于核反应堆内部件加工生产
,特别是一种导磁半环电镀装置。
技术介绍
压水堆控制棒驱动机构中的导磁半环零件是压水堆堆内的重要部件,导磁半环材料为10#,为了防止导磁半环表面氧化和腐蚀,需要对导磁半环所有表面进行镀镍,镀镍层厚度为0.03mm~0.08mm。现有的电镀工艺中,使用细铁丝缠绕住导磁半环,然后将导磁半环浸入电镀液中进行电镀。因为表面有铁丝缠绕的位置电镀液不能与零件表面充分接触,所以电镀完成后,缠绕位置表面电镀质量不佳,且电镀效率较低,增加了生产成本,生产周期较长。
技术实现思路
为了解决上述技术问题,本专利技术提供一种导磁半环电镀装置,实现批量电镀,保证导磁半环的所有表面镀镍层质量及厚度满足要求。本专利技术采取的技术方案是:一种导磁半环电镀装置,其特征是,包括大支架和小支架,所述大支架上设置支撑座,所述小支架通过支撑座设置在所述大支架内,所述大支架上设置第一支撑条,所述小支架上设置第二支撑条,所述第二支撑条位于第一支撑条的下方,在所述第一支撑条和第二支撑条上设置电镀支撑组件,所述电镀支撑组件包括在所述第一支撑条上设置的若干个短支撑和在所述第二支撑条上设置的若干个长支撑,短支撑和长支撑均用于将导磁半环支撑架空,所述短支撑和长支撑的位置相互错开,所述长支撑位于所述短支撑的下方,所述长支撑的顶端与短支撑的顶端之间的第一距离小于所述第二支撑条与第一支撑条之间的第二距离,在所述小支架的上方设置提升组件,所述提升组件用于将小支架提升一个高度并固定,提升的高度位于第一距离与第二距离之间。进一步,所述导磁半环竖直设置于所述短支撑上。进一步,所述电镀支撑组件还包括若干个防倒柱,所述防倒柱固定在所述第一支撑条上,所述防倒柱设置于竖直导磁半环的两边并靠近所述导磁半环。进一步,所述支撑座包括设置在所述大支架下方内侧的角钢,所述大支架为长方形结构,所述角钢位于所述大支架的短边的相对两侧。进一步,所述短支撑和长支撑的顶端都为锥形头。进一步,电镀支撑组件为多个,呈多行多列排列在大小支架的多个支撑条上。进一步,所述多个电镀支撑组件上的相邻导磁半环开口相对或弧面相对布置。进一步,所述提升组件包括设置在小支架上方两内侧的提升柱、小支架上方两侧的销孔和大支架上方两外侧的弹性销,通过提升柱将小支架提升所述高度后,所述弹性销插入所述销孔将小支架固定。进一步,所述大支架上方外侧设置搬动把手,所述搬动把手位于提升组件上方。进一步,所述电镀装置置于镀池中时,镀池中的镀液位于所述提升组件的下方。本专利技术的有益效果是:(1)解决了固定或支持零件的部位的电镀问题;(2)实现零件批量进行电镀,降低人工成本,提高电镀效率,缩短制造工期;(3)操作简单,安全可靠。附图说明附图1是本专利技术第一次电镀前的电镀装置示意图;附图2是附图1中的A的局部放大图;附图3是附图1中的B的局部放大图;附图4是附图1的俯视视图;附图5是附图4中的C的局部放大图;附图6是本专利技术第二次电镀前的电镀装置示意图;附图7是附图6中的D的局部放大图;附图8是附图6中的E的局部放大图。附图中的标号分别为:1.大支架;2.小支架;3.支撑座;4.第一支撑条;5.第二支撑条;6.短支撑;7.长支撑;8.导磁半环;9.防倒柱;10.提升柱;11.销孔;12.弹性销;13.搬动把手。具体实施方式下面结合附图对本专利技术导磁半环电镀装置的具体实施方式作详细说明。参见附图1,导磁半环电镀装置包括大支架1和小支架2,大支架1和小支架2均为长方形结构,小支架2能够置于大支架1内部,在大支架1上设置支撑座3,小支架2通过支撑座3设置在大支架1内,支撑座3包括设置在大支架1下方内侧的角钢,角钢位于大支架1的短边的相对两侧。参见附图1至4,大支架1上设置第一支撑条4,小支架2上设置第二支撑条5,第二支撑条5位于第一支撑条4的下方,在第一支撑条4和第二支撑条5上设置电镀支撑组件,电镀支撑组件包括在第一支撑条4上设置的若干个短支撑6和在第二支撑条5上设置的若干个长支撑7,短支撑6和长支撑7均用于将导磁半环8支撑架空,短支撑6和长支撑7的位置相互错开,长支撑7位于短支撑6的下方,长支撑7的顶端与短支撑6的顶端之间的第一距离小于第二支撑条5与第一支撑条4之间的第二距离,图中的长支撑7的顶端与短支撑6的顶端之间的第一距离为10CM。导磁半环8竖直设置于短支撑6上,电镀支撑组件还包括若干个防倒柱9,防倒柱9固定在第一支撑条4上,防倒柱9设置于竖直导磁半环8的两边并靠近导磁半环8。图中的防倒柱9为四个,分别对称设置于导磁半环8的两侧。短支撑6和长支撑7的顶端都为锥形头,这里的电镀支撑组件可设置为多个,呈多行多列排列在大小支架2的多个支撑条上。图中为3行14列,一次可以对42个导磁半环8进行电镀。多个电镀支撑组件上的相邻导磁半环8开口相对或弧面相对布置,这种排列使大小支架1、2上的受力均衡。参见附图5,在小支架2的上方设置提升组件,提升组件用于将小支架2提升一个高度并固定,提升的高度位于第一距离与第二距离之间,图中为20CM。提升组件包括设置在小支架2上方两内侧的提升柱10、小支架2上方两侧的销孔11和大支架1上方两外侧的弹性销12,通过提升柱10将小支架2提升高度后,弹性销12插入销孔11将小支架2固定。弹性销12由手柄和压缩弹簧实现弹性配合,通过拉动手柄将弹压缩使弹性销12离开销孔11,放开手柄时,依靠压缩弹簧的弹力,当销孔11位于弹性销12位置时,弹性销12插入销孔11,完成对小支架2的固定。大支架1上方外侧设置搬动把手13,搬动把手13位于提升组件上方,同样,小支架2的上提升柱10用于将小支架2从大支架1中往上提。下面通过电镀装置的结构和对导磁半环8的电镀过程,详细说明本专利技术。参见附图1至5,初始状态,小支架2置于支撑座3上,短支撑6、长支撑7通过螺纹旋于第一支撑和第二支撑条5上,此时,长支撑7位于短支撑6的下方。防倒柱9也固定在第一支撑条4上,将导磁半环8设置于短支撑6上,防倒柱9位于导磁半环8的两侧,与导磁半环8并不接触。导磁半环8以行列阵列布置完成。将布置完成的整个装置放置于电镀池,电镀池的电镀液浸没全部导磁半环8。而使大支撑和小支撑的上部位于液面14之上,使大支撑的搬动把手13、提升组件以扩小支撑的提升柱10位于液面14之上。设备布置完成后,进行第一次电镀。由于短支撑6与导磁半环8的接触,以及可能的导磁半环8翻动倾倒在防倒柱9上而产生接触,接触点将不能被电镀工艺实施电镀成功。因此,要进行第二次电镀,使整个导磁半环8的电镀不留空白。参见附图6-8,第一次电镀完成后,通过提升柱10将小支架2向上提升,长支撑7向上将导磁半环8顶起,导磁半环8离开短支撑6。由于长支撑7与短支撑6位置是错开的,因此,两者与导磁半环8的接触点不在一个位置。当小支架2提升到使销孔11与弹性销12位置相对应时,弹性销12插入销孔11,小支架2提升后被固定。电镀工艺对导磁半环8进行第二次电镀。第二次电镀将原来未接触部分的材料也进行了一次电镀。由于电镀要求为电镀层0.03mm~0.08mm,只要每次电镀的电镀层厚度控制在0.03mm~0.04mm之间,整个导磁半环8的电镀层就完全符合工艺要求。以上仅是本专利技术的优选实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种导磁半环电镀装置,其特征在于:包括大支架和小支架,所述大支架上设置支撑座,所述小支架通过支撑座设置在所述大支架内,所述大支架上设置第一支撑条,所述小支架上设置第二支撑条,所述第二支撑条位于第一支撑条的下方,在所述第一支撑条和第二支撑条上设置电镀支撑组件,所述电镀支撑组件包括在所述第一支撑条上设置的若干个短支撑和在所述第二支撑条上设置的若干个长支撑,短支撑和长支撑均用于将导磁半环支撑架空,所述短支撑和长支撑的位置相互错开,所述长支撑位于所述短支撑的下方,所述长支撑的顶端与短支撑的顶端之间的第一距离小于所述第二支撑条与第一支撑条之间的第二距离,在所述小支架的上方设置提升组件,所述提升组件用于将小支架提升一个高度并固定,提升的高度位于第一距离与第二距离之间。
【技术特征摘要】
1.一种导磁半环电镀装置,其特征在于:包括大支架和小支架,所述大支架上设置支撑座,所述小支架通过支撑座设置在所述大支架内,所述大支架上设置第一支撑条,所述小支架上设置第二支撑条,所述第二支撑条位于第一支撑条的下方,在所述第一支撑条和第二支撑条上设置电镀支撑组件,所述电镀支撑组件包括在所述第一支撑条上设置的若干个短支撑和在所述第二支撑条上设置的若干个长支撑,短支撑和长支撑均用于将导磁半环支撑架空,所述短支撑和长支撑的位置相互错开,所述长支撑位于所述短支撑的下方,所述长支撑的顶端与短支撑的顶端之间的第一距离小于所述第二支撑条与第一支撑条之间的第二距离,在所述小支架的上方设置提升组件,所述提升组件用于将小支架提升一个高度并固定,提升的高度位于第一距离与第二距离之间。2.根据权利要求1所述的导磁半环电镀装置,其特征在于:所述导磁半环竖直设置于所述短支撑上。3.根据权利要求2所述的导磁半环电镀装置,其特征在于:所述电镀支撑组件还包括若干个防倒柱,所述防倒柱固定在所述第一支撑条上,所述防倒柱设置于竖直导磁半环的两边并靠近所述导磁半环。4.根据权利要求1所述的导磁半...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨平汉,张超群,钱翊,郑亮,刘海涛,
申请(专利权)人:上海第一机床厂有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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