一种利用气雾化制备铜‑铝‑硅合金粉末的方法及其应用技术

本发明专利技术一种利用气雾化制备铜‑铝‑硅合金粉末的方法及其应用，属于锂电池负极材料制备技术领域，提供一种采用气雾化方法制备高性能锂电池的铜‑铝‑硅合金纳米负极材料及其应用，技术方案为：一种利用气雾化制备铜‑铝‑硅合金粉末的方法，按照如下步骤进行：第一步：开启雾化装置的中间包系统，中间包漏嘴内径选用φ6～14mm；第二步，调节熔融态铜‑铝‑硅合金的出炉温度为1300～1700℃；第三步，向中间包中浇入液态金属，气雾化压力10～50MPa，进行气雾化制粉；铜‑铝‑硅合金的成分为按重量份计的：硅22～70份，铜20～70份，铝0.5～15份，杂质0～5份；本发明专利技术可广泛应用到锂电池负极材料制备领域。

A method of using aerosol preparation of copper aluminum silicon alloy powder and its application

The invention relates to a method for using aerosol preparation of copper aluminum silicon alloy powder and its application, which belongs to the lithium battery cathode material preparation technology field, provides a method for preparing high performance lithium battery using atomization method of copper aluminum silicon alloy nano anode materials and its application, the technical scheme is: a method the use of aerosol preparation of copper aluminum silicon alloy powder, the process comprises the following steps: the first step: the tundish system on atomization device, selection of 6 ~ 14mm in diameter of tundish nozzle diameter; the second step, adjusting the molten copper aluminum silicon alloy tapping temperature is 1300~1700 DEG C; the third step to the middle the package is poured into the liquid metal atomization pressure 10 ~ 50MPa of gas atomization; copper aluminum silicon alloy components by weight: silicon 22~70, copper 20~70, aluminum 0.5 to 15 copies, 0~5 impurities The invention can be widely used in the preparation field of lithium battery negative electrode material.

【技术实现步骤摘要】
一种利用气雾化制备铜-铝-硅合金粉末的方法及其应用
本专利技术一种利用气雾化制备铜-铝-硅合金粉末的方法及其应用，属于锂电池负极材料制备

技术介绍
新材料和清洁能源都是国家层面的重点发展方向，锂离子电池是目前储能技术中应用最广泛的储能电芯，提高电芯能量存储密度是全世界追求的目标，电芯能量密度的提高主要依赖于其正、负极材料的发展进步，但也与锂离子电池的正负极集流体、正负极粘结剂、电解液和隔膜等材料的进步有关。锂离子电池的核心部分是正、负极电极材料，它直接决定着电池的使用性能。能量密度、循环寿命、循环效率和安全性能都是电极材料的关键指标。目前，最常见的商业锂电池负极材料主要是碳类和硅碳类材料，它们具有较稳定的循环性能、较高的循环效率和安全无污染等优点，但碳类材料的容量己经接近其理论容量（372mAh/g)，比容量的开发潜力小；硅碳类材料是对碳类材料的革新，在碳类材料中加入3～15%的硅使负极材料的克容量达到420mAh上下，通过该方法继续提高克容量存在技术壁垒。纯硅的理论储锂比容量为4200mAh/g，在所有元素中它最高，它作为负极材料可以大幅度提高电池的能量密度，但其循环寿命本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种利用气雾化制备铜‑铝‑硅合金粉末的方法，其特征在于按照如下步骤进行：第一步：开启雾化装置的中间包系统，中间包漏嘴内径选用φ6～14mm；第二步，调节熔融态铜‑铝‑硅合金的出炉温度为1300～1700℃；第三步，向中间包中浇入液态金属，气雾化压力10～50MPa，进行气雾化制粉；所述的气雾化的气源或为洁净空气，或为氩气，或为氮气；所述的铜‑铝‑硅合金的成分为按重量份计的：硅22～70份，铜20～70份，铝0.5～15份，杂质0～5份。

【技术特征摘要】
1.一种利用气雾化制备铜-铝-硅合金粉末的方法，其特征在于按照如下步骤进行：第一步：开启雾化装置的中间包系统，中间包漏嘴内径选用φ6～14mm；第二步，调节熔融态铜-铝-硅合金的出炉温度为1300～1700℃；第三步，向中间包中浇入液态金属，气雾化压力10～50MPa，进行气雾化制粉；所述的气雾化的气源或为洁净空气，或为氩气，或为氮气；所述的铜-铝-硅合金的成分为按重量份计的：硅22～70份，铜20～70份，铝0.5～15份，杂质0～5份。2.根据权利要求1所述的一种利用气雾化制备铜-铝-硅合金粉末的方法，其特征在于所述的铜-铝-硅合金的成分为按重量份计的：硅22～27.5份，铜60～70份，铝0.5～10份，杂质0～5份，熔融态铜-铝-硅合金的出炉温度为1350±50℃。3.根据权利要求1所述的一种利用气雾化制备铜-铝-硅合金粉末的方法，其特征在于所述的铜-铝-硅合金的成分为按重量份计的：硅27.5～32份，铜58～63份，铝1～11份，杂质0～5份，熔融态铜-铝-硅合金的出炉温度为1550±50℃。4.根据权利要求1所述的一种利用气雾化制备铜-铝-硅合金粉末的方法，其特征在于所述的铜-铝-硅合金的成分...

【专利技术属性】
技术研发人员：王宥宏，刘忆恩，
申请(专利权)人：山西沃特海默新材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山西,14