The invention discloses a single balanced frequency doubler three broadband 0.13um based on SiGeBiCMOS technology, including three nuclear reactor and high frequency output amplifier circuit; three doubling nuclear device includes input balun and output balun, BJT1 and BJT2 as well as two DC bias circuit; two DC bias circuit includes Vce1 DC bias circuit Vce1 and Vbe1 DC bias circuit; DC bias circuit and DC bias circuit is connected with a base electrode Vbe1 respectively with BJT1 and BJT2; BJT1 and BJT2 base output and input balun connected; the Vce1 DC bias circuit and output balun connected with the input terminal of the output amplifier circuit includes a high pass; BJT3; BJT3 the base is respectively connected with the output balun and Vbe2 DC bias circuit; collector of BJT3 is connected with Vce2 DC bias circuit.
【技术实现步骤摘要】
一种基于0.13umSiGeBiCMOS工艺的宽带单平衡三倍频器
本专利技术属于倍频器的
,具体涉及一种基于0.13umSiGeBiCMOS工艺的宽带单平衡三倍频器。
技术介绍
随着通信与雷达技术的高速发展,微波频谱资源被不断压缩,急需向着更高频段的毫米波领域扩展。而倍频器是频率向上搬移的最核心器件之一,受到越来越广泛的关注与研究。现有得到高频段的毫米波频率输出,有2种方案:使用压控振荡器(VCO)直接产生或者使用倍频器搬移频率。而从VCO得到E波段和W波段频率信号,是一件很难实现的工作,因为VCO在E波段和W波段很难设计出稳定性高、低相位噪声的VCO;目前是靠倍频得到E波段和W波段频率信号。现阶段,绝大多数倍频器都是偶数(2次或4次)倍频,二次倍频到E波段和W波段需要输入信号在30~50GHz,而现有的频率源设计技术,很难保证得到优质的二次倍频输入信号,而且会增加频率源的设计难度和复杂度。四次倍频到E波段和W波段就增加了倍频器的设计难度,并且在性能上不能得到很好地保证,而且很多四倍频器是两次二倍频结构,复杂度和难度都会增加。再者,目前Ka波段技术已经较为成熟,很多Ka波段雷达与通信系统已经实现。在这种情况下,进行E波段和W波段的电路以及系统设计,应用现有的Ka波段成熟技术过渡到E波段和W波段,是最简单和成熟的。目前国内外很多倍频器设计都是基于GaAs工艺和GaN工艺,使得成本和功耗都相对较高。不利于市场化应用;而且因为其工艺的特性,其金属层数较少,不利于电路的小型化设计。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对现有技术的不足,提供一种基于0.13umS ...
【技术保护点】
一种基于0.13um SiGeBiCMOS工艺的宽带单平衡三倍频器,其特征在于:包括三倍频核器和输出高通放大级电路;所述三倍频核器包括输入巴伦和输出巴伦、BJT1和BJT2以及两个直流偏置电路;两个直流偏置电路包括Vce1直流偏置电路和Vbe1直流偏置电路;所述Vce1直流偏置电路和Vbe1直流偏置电路分别与BJT1和BJT2的基极电连接;所述BJT1和BJT2的基极与输入巴伦的输出端连接;所述Vce1直流偏置电路与输出巴伦的输入端相连;所述输出高通放大级电路包括BJT3;所述BJT3的基极分别与输出巴伦和Vbe2直流偏置电路电连接;所述BJT3的集电极与Vce2直流偏置电路电连接。
【技术特征摘要】
1.一种基于0.13umSiGeBiCMOS工艺的宽带单平衡三倍频器,其特征在于:包括三倍频核器和输出高通放大级电路;所述三倍频核器包括输入巴伦和输出巴伦、BJT1和BJT2以及两个直流偏置电路;两个直流偏置电路包括Vce1直流偏置电路和Vbe1直流偏置电路;所述Vce1直流偏置电路和Vbe1直流偏置电路分别与BJT1和BJT2的基极电连接;所述BJT1和BJT2的基极与输入巴伦的输出端连接;所述Vce1直流偏置电路与输出巴伦的输入端相连;所述输出高通放大级电路包括BJT3;所述BJT3的基极分别与输出巴伦和Vbe2直流偏置电路电连接;所述BJT3的集电极与Vce2直流偏置电路电连接。2.根据权利要求1所述的基于0.13umSiGeBiCMOS工艺的宽带单平衡三倍频器,其特征在于:所述Vce1直流偏置电路和Vbe1直流偏置电路分别通过匹配电路与BJT1和BJ...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄涛,邵振海,
申请(专利权)人:机比特电子设备南京有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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