一种防半桥或全桥开关电源电路误导通的驱动电路制造技术

本发明专利技术属于开关电源技术领域，公开了一种防半桥或全桥开关电源电路驱动串扰误导通的驱动电路，在开关管G、S极之间加一个与电容串联的MOS管，且使其驱动与开关管驱动相反，使得当开关管开通时MOS管关断，GS之间没有并入电容，不会影响主回路开关管的开关速度和效率；当主开关管关断时，MOS管开通，吸收来自对管开通时的串扰，防止主电路同一桥臂开关管的直通；本发明专利技术提供的这种防半桥或全桥开关电源电路驱动串扰误导通的驱动电路不会加大驱动Vgs的开通时间和关断时间，在不影响主电路PWM开关速度的基础上，在开关管关闭时，使得Cgs增加了数倍，对对管干扰的吸收能力也提升了数倍；实现了高开关频率、高效率下功率密度高的电源产品。

A driving circuit that is misleading for a half bridge or full bridge switching power supply circuit

The invention belongs to the technical field of the switching power supply, discloses an anti half bridge or full bridge switching power supply circuit is driven through the drive circuit to mislead the crosstalk, the switch G, S between a MOS tube and a capacitor are connected in series, and the drive and switch driver instead, so that when the switch tube MOS turn off, not into the capacitor between the GS, will not affect the main circuit of the switch speed and efficiency; when the main switch is turned off, the MOS tube opening, absorption from crosstalk on the tube during the opening, to prevent the main circuit through the same bridge arm switch tube; the present invention provides the proof half bridge or full bridge switch the power driving circuit driving circuit crosstalk misconductions drive Vgs does not increase the opening time and off time, without affecting the main circuit of PWM switching speed, when the switch is closed, the Cgs increased to several times. The absorption capacity of tube interference is also increased several times; high switching frequency and high efficiency power density are realized.

【技术实现步骤摘要】
一种防半桥或全桥开关电源电路误导通的驱动电路
本专利技术属于开关电源
，更具体的，涉及一种防半桥或全桥开关电源电路驱动串扰误导通的驱动电路。
技术介绍
半桥电路或全桥电路的开关管在高dv/dt条件下的相互影响即串扰会对驱动信号造成尖峰干扰，并容易引起对管误导通进而导致器件损坏。如图1中所示的，当上管开通时，a点电压瞬变为Vds，引起下管电荷重分布，对Cgs和Cgd分别进行充电，充电过程中若存在充电电压过高或谐振使得下管的Vgs电压达到导通电压阀值，下管导通，从而使得上下管直通，导致误导通炸机。现有技术采用以下方法来解决该问题：1：在开关管GS之间外加电容，吸收串扰引起的电压冲击。2：驱动采用正负压的方式，开关管导通时正压，关断时负压，使得即使存在干扰，只要干扰电压小于负压+开关管导通电压，都不会出现误导通的情况。上述的方法的缺陷在于：开关管GS之间外加电容，会加大驱动Vgs的开通时间和关断时间使得电源整机效率降低，还会限制PWM开关频率和最小导通脉宽；驱动采用正负压的方式增加负压，会加重驱动电路的复杂程度，且增加驱动的消耗功率，而且这样当驱动电压Vgs受到负向的扰动时可能导致V本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防半桥或全桥开关电源电路驱动串扰误导通的驱动电路，其特征在于，在开关管的G、S极之间加一个串联有电容的MOS管，所述MOS管的驱动与开关管驱动相反；当主开关管关断时所述MOS管开通，用于吸收来自对管开通时的串扰，防止主电路同一桥臂开关管的直通。

【技术特征摘要】
1.一种防半桥或全桥开关电源电路驱动串扰误导通的驱动电路，其特征在于，在开关管的G、S极之间加一个串联有电容的MOS管，所述MOS管的驱动与开关管驱动相反；当主开关管关断时所述MOS管开通，用于吸收来自对管开通时的串扰，防止主电路同一桥臂开关管的直通。2.如权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，包括光耦隔离电路、主电路开关管驱动电路、反相器、MOS管和电容；所述光耦隔离电路的输入端用于接入PWM信号，光耦隔离电路的输出信号一分为二；其中一路接入到所述主电路开关管驱动电路，主电路开关管驱动电路的输出信号接入主电路开关管栅极，用于驱动主电路开关管的开通或关断；另一路接入到所述反相器，反相器输出信号接入所述MOS管的G极以驱动MOS管；所述MOS管的D极连接所述电容的一端，电容的另一端与主电路开关管的栅极相连；MOS管的S极...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐文川，柏澜，林华章，赵伟，柳彬，曾祥孔，皇丰辉，张建涛，
申请(专利权)人：武汉华海通用电气有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42