一种高稳恒温晶体振荡器制造技术

本实用新型专利技术设计一种高稳恒温晶体振荡器，高稳恒温晶体振荡电路中电源VCC经电阻R9接电阻R1，同时电阻R1两端并联热敏电阻RT，电源VCC分别经电容C12、电容C15、电容C16及电容C19，电源VCC经二极管D3和二极管D4接地，电阻R9经二极管D2和电容C1接地，电阻R1经电阻RX接电阻R3，电阻R3接地，电阻RX经电阻R2接电容C2，电容C2经晶振Y1接晶体管T1的基极，电阻R2经二极管D2接电容C4，电容C4接地，在二极管D1两端并联电容C3，电容C4两端并联电阻R4，电阻R2经电容C5接地，电容C5两端并联电容C6，电阻R9经电阻R5接电容C7，电容C7经电感L2接地电容C8。本实用新型专利技术设计的晶体振荡器精度高，运行稳定，操作简单方便，提高使用者的工作效率，安全可靠，宜推广使用。

A high stability and constant temperature crystal oscillator

The utility model relates to a high stability crystal oscillator, power VCC high stability constant temperature crystal oscillator circuit resistor R1 through the resistor R9, and resistor R1 is connected in parallel with the thermistor RT, VCC power supply respectively through a capacitor C12, a capacitor C15, a capacitor C16 and a capacitor C19, VCC power supply grounding through diode D3 and a diode D4. The grounding resistance R9 through the diode D2 and capacitor C1 resistance R1 resistor R3 through the resistor RX, R3 resistance grounding resistor RX, capacitor C2 through the resistor R2, the capacitor C2 is connected with the base transistor T1 crystal Y1, R2 resistor capacitor C4 through the diode D2 and capacitor C4 grounded in two transistor D1 two parallel capacitors C3, C4 capacitor is connected in parallel with the resistance R4, R2 resistance grounded through a capacitor C5, the capacitor C5 is connected in parallel with the capacitor C6, R9 resistor capacitor C7 through a resistor R5, a capacitor C7 through inductor L2 grounded capacitors C8. The crystal oscillator designed by the utility model has the advantages of high accuracy, stable operation, simple and convenient operation, and improves the working efficiency of users, is safe and reliable, and is suitable for popularization and application.

【技术实现步骤摘要】
一种高稳恒温晶体振荡器
本技术涉及设备电路领域，尤其涉及一种高稳恒温晶体振荡器。
技术介绍
随着时代的进步,计量的准确性在军事、航天、通信和计量等方面越来越重要。计量的精度需要基准频率源的支持,因此提高其精准度、稳定度成为当今对基准频率源研究的热点。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种高稳恒温晶体振荡器，以解决上述技术问题，为实现上述目的本技术采用以下技术方案：一种高稳恒温晶体振荡器，晶体振荡器内置高稳恒温晶体振荡电路和控温制电路，控温制电路为高稳恒温晶体振荡电路提供恒温运行环境。在上述技术方案基础上，所述高稳恒温晶体振荡电路中电源VCC经电阻R9接电阻R1，同时电阻R1两端并联热敏电阻RT，电源VCC分别经电容C12、电容C15、电容C16及电容C19，电源VCC经二极管D3和二极管D4接地，电阻R9经二极管D2和电容C1接地，电阻R1经电阻RX接电阻R3，电阻R3接地，电阻RX经电阻R2接电容C2，电容C2经晶振Y1接晶体管T1的基极，电阻R2经二极管D2接电容C4，电容C4接地，在二极管D1两端并联电容C3，电容C4两端并联电阻R4，电阻R2经电容C5接地，电容C5两端并联电容C6，电阻R9经电阻R5接电容C7，电容C7经电感L2接地电容C8，电容C8接地，电感L2的两端并联电容C20，电容C8两端并联电容C21，同时电容C21两端并联电阻R8，电阻R9经电阻R6接晶体管T1的集电极，同时在电阻R6的两端并联电感L1，电阻R9经电容C9接电容C10，电容C10接晶体管T1的集电极，电容C9经电容C11接电阻R11，电阻R11接晶体管T2的基极，晶体管T1的发射极经电阻R7接电容C20，电容C20经电容C21接地，电源VCC经电阻R10接电阻R12，电阻R12接地，电源经电阻R13接晶体管T2的集电极，电阻R13的两端并联电感L3，电容C13和电容C14串联后并联在电阻R13两端，电容C13经电阻R16接晶体管T3的基极，晶体管T2的发射极分别经电容C22和电阻R14接地，电源VCC经电阻R15接电阻R17，电阻R17接地，电源VCC经电阻R18接晶体管T3的集电极，电阻R18的两端并联电感L4，电容C17和电容C18串联后并联在电阻R18的两端，电容C17经电阻R20接运算放大器IC的7端口，晶体管T3的发射极分别经电容C23和电阻R19接地，电源VCC接运算放大器IC的8端口，运算放大器IC的4端口接地，运算放大器IC的输出端经电阻R21接电路输出端。在上述技术方案基础上，所述控温电路中+12V电源经电阻R6接热敏电阻RT，电阻R6经二极管D1接地，热敏电阻RT经电阻R3接运算放大器IC0的2端口，热敏电阻RT经电阻RX接地，电阻R6经电阻R1接电阻R2，电阻R2接地，电阻R1经电阻R4接运算放大器IC0的3端口，电阻R4接电容C1，电容C1分别经电容C2和电阻R5接电容C3，电容C3接地，电阻R3分别经二极管D1和二极管D2接电阻R4，运算放大器IC0的输出端经电阻R7接晶体管T0的基极，电阻R7经电容C4接地，电阻R7分别经电容C5和电阻R9接地，+12V电源经电阻R8接晶体管T0的集电极，晶体管T0的发射极接地。在上述技术方案基础上，所述运算放大器IC采用LM224J型运算放大器，运算放大器IC0均采用LM308型运算放大器。本技术设计的高稳恒温晶体振荡器调节范围大，从而适用范围广，从而提高了使用者的工作效率，通过控温电路控制恒温，从而利于高稳恒温晶体振荡器恒温稳定运行，提高电路运行稳定性，降低老化率，同时控温电路内置零点漂移，提高控温电路整体性能，方便使用者操作。附图说明图1为本技术的高稳恒温晶体振荡电路图。图2为本技术的控温电路图。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步详细阐述。一种高稳恒温晶体振荡器，晶体振荡器内置高稳恒温晶体振荡电路和控温制电路，控温制电路为高稳恒温晶体振荡电路提供恒温运行环境。所述高稳恒温晶体振荡电路中电源VCC经电阻R9接电阻R1，同时电阻R1两端并联热敏电阻RT，电源VCC分别经电容C12、电容C15、电容C16及电容C19，电源VCC经二极管D3和二极管D4接地，电阻R9经二极管D2和电容C1接地，电阻R1经电阻RX接电阻R3，电阻R3接地，电阻RX经电阻R2接电容C2，电容C2经晶振Y1接晶体管T1的基极，电阻R2经二极管D2接电容C4，电容C4接地，在二极管D1两端并联电容C3，电容C4两端并联电阻R4，电阻R2经电容C5接地，电容C5两端并联电容C6，电阻R9经电阻R5接电容C7，电容C7经电感L2接地电容C8，电容C8接地，电感L2的两端并联电容C20，电容C8两端并联电容C21，同时电容C21两端并联电阻R8，电阻R9经电阻R6接晶体管T1的集电极，同时在电阻R6的两端并联电感L1，电阻R9经电容C9接电容C10，电容C10接晶体管T1的集电极，电容C9经电容C11接电阻R11，电阻R11接晶体管T2的基极，晶体管T1的发射极经电阻R7接电容C20，电容C20经电容C21接地，电源VCC经电阻R10接电阻R12，电阻R12接地，电源经电阻R13接晶体管T2的集电极，电阻R13的两端并联电感L3，电容C13和电容C14串联后并联在电阻R13两端，电容C13经电阻R16接晶体管T3的基极，晶体管T2的发射极分别经电容C22和电阻R14接地，电源VCC经电阻R15接电阻R17，电阻R17接地，电源VCC经电阻R18接晶体管T3的集电极，电阻R18的两端并联电感L4，电容C17和电容C18串联后并联在电阻R18的两端，电容C17经电阻R20接运算放大器IC的7端口，晶体管T3的发射极分别经电容C23和电阻R19接地，电源VCC接运算放大器IC的8端口，运算放大器IC的4端口接地，运算放大器IC的输出端经电阻R21接电路输出端。所述控温电路中+12V电源经电阻R6接热敏电阻RT，电阻R6经二极管D1接地，热敏电阻RT经电阻R3接运算放大器IC0的2端口，热敏电阻RT经电阻RX接地，电阻R6经电阻R1接电阻R2，电阻R2接地，电阻R1经电阻R4接运算放大器IC0的3端口，电阻R4接电容C1，电容C1分别经电容C2和电阻R5接电容C3，电容C3接地，电阻R3分别经二极管D1和二极管D2接电阻R4，运算放大器IC0的输出端经电阻R7接晶体管T0的基极，电阻R7经电容C4接地，电阻R7分别经电容C5和电阻R9接地，+12V电源经电阻R8接晶体管T0的集电极，晶体管T0的发射极接地。所述运算放大器IC采用LM224J型运算放大器，运算放大器IC0均采用LM308型运算放大器。本实用习性设计的高稳恒温晶体振荡器运行时，高稳恒温晶体振荡电路中会发现电路的振荡频率f并不是在下边频fl和上边频fh的中心位置的情况。当调整其他元件参数都不能很好的改善时，可以通过调整这个正温度系数热敏电阻RT尺来获得改善，同时晶体振荡器的制作过程中，晶体的振荡频率可能会略高于或略低于标称频率。当振荡频率略高于标称频率时，通过手动调节RX，原电路的振荡频率可以顺利的调整到标称频率。当振荡频率略低于标称频率时，在原电路变容二极管C7下,串本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高稳恒温晶体振荡器，其特征在于，晶体振荡器内置高稳恒温晶体振荡电路和控温制电路，控温制电路为高稳恒温晶体振荡电路提供恒温运行环境；所述高稳恒温晶体振荡电路中电源VCC经电阻R9接电阻R1，同时电阻R1两端并联热敏电阻RT，电源VCC分别经电容C12、电容C15、电容C16及电容C19，电源VCC经二极管D3和二极管D4接地，电阻R9经二极管D2和电容C1接地，电阻R1经电阻RX接电阻R3，电阻R3接地，电阻RX经电阻R2接电容C2，电容C2经晶振Y1接晶体管T1的基极，电阻R2经二极管D2接电容C4，电容C4接地，在二极管D1两端并联电容C3，电容C4两端并联电阻R4，电阻R2经电容C5接地，电容C5两端并联电容C6，电阻R9经电阻R5接电容C7，电容C7经电感L2接地电容C8，电容C8接地，电感L2的两端并联电容C20，电容C8两端并联电容C21，同时电容C21两端并联电阻R8，电阻R9经电阻R6接晶体管T1的集电极，同时在电阻R6的两端并联电感L1，电阻R9经电容C9接电容C10，电容C10接晶体管T1的集电极，电容C9经电容C11接电阻R11，电阻R11接晶体管T2的基极，晶体管T1的发射极经电阻R7接电容C20，电容C20经电容C21接地，电源VCC经电阻R10接电阻R12，电阻R12接地，电源经电阻R13接晶体管T2的集电极，电阻R13的两端并联电感L3，电容C13和电容C14串联后并联在电阻R13两端，电容C13经电阻R16接晶体管T3的基极，晶体管T2的发射极分别经电容C22和电阻R14接地，电源VCC经电阻R15接电阻R17，电阻R17接地，电源VCC经电阻R18接晶体管T3的集电极，电阻R18的两端并联电感L4，电容C17和电容C18串联后并联在电阻R18的两端，电容C17经电阻R20接运算放大器IC的7端口，晶体管T3的发射极分别经电容C23和电阻R19接地，电源VCC接运算放大器IC的8端口，运算放大器IC的4端口接地，运算放大器IC的输出端经电阻R21接电路输出端。...

【技术特征摘要】
1.一种高稳恒温晶体振荡器，其特征在于，晶体振荡器内置高稳恒温晶体振荡电路和控温制电路，控温制电路为高稳恒温晶体振荡电路提供恒温运行环境；所述高稳恒温晶体振荡电路中电源VCC经电阻R9接电阻R1，同时电阻R1两端并联热敏电阻RT，电源VCC分别经电容C12、电容C15、电容C16及电容C19，电源VCC经二极管D3和二极管D4接地，电阻R9经二极管D2和电容C1接地，电阻R1经电阻RX接电阻R3，电阻R3接地，电阻RX经电阻R2接电容C2，电容C2经晶振Y1接晶体管T1的基极，电阻R2经二极管D2接电容C4，电容C4接地，在二极管D1两端并联电容C3，电容C4两端并联电阻R4，电阻R2经电容C5接地，电容C5两端并联电容C6，电阻R9经电阻R5接电容C7，电容C7经电感L2接地电容C8，电容C8接地，电感L2的两端并联电容C20，电容C8两端并联电容C21，同时电容C21两端并联电阻R8，电阻R9经电阻R6接晶体管T1的集电极，同时在电阻R6的两端并联电感L1，电阻R9经电容C9接电容C10，电容C10接晶体管T1的集电极，电容C9经电容C11接电阻R11，电阻R11接晶体管T2的基极，晶体管T1的发射极经电阻R7接电容C20，电容C20经电容C21接地，电源VCC经电阻R10接电阻R12，电阻R12接地，电源经电阻R13接晶体管T2的集电极，电阻R13的两端并联电感L3，电容C13和电容C14串联后并联在电阻R13两端，电容C...

【专利技术属性】
技术研发人员：马瑞红，
申请(专利权)人：深圳市均特利科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44