含有UV吸收纳米晶体的复合材料制造技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】含有UV吸收纳米晶体的复合材料
技术介绍
紫外(UV)光是波长在10和400nm之间的一种电磁辐射形式。紫外光比可见光具有更高的能量，并占太阳发射的所有光能的约10％。由于其强力的性质，UV光具有诱导化学反应和催化聚合的能力。虽然在若干情况下有益，但紫外线也能够对生物体和相似的无生命体产生显著的损害。紫外辐射的吸收通过光氧化引起降解，高能UV光子由此使得化学键不稳定，并产生可以降低辐射下的材料完整性的途径。通常称为UV部分的电磁光谱部分的波长范围大于100nm且小于400nm。该范围被进一步细分为以下部分：波长为315nm和400nm之间的UV-A、波长为280nm和315nm之间的UV-B以及波长为100nm和280nm之间的UV-C。从太阳入射的UV-C光不会显著穿透大气层和臭氧层，UV-B光主要被上层大气所吸收，但未被完全吸收。到达地表的强度随季节而变化，且对于赤道的强度要比极点高出一个量级。UV-A的强度虽然不如UV-B光，但却是UV光谱更为主要的区域。它穿透云层，并且在有日光的任何时间均存在，无论季节或位置。由于紫外辐射的破坏性，已经开发了大量的分子和材料来减...
【技术保护点】
一种包含纳米晶体材料和无定形多孔材料的UV吸收剂复合材料，其中所述纳米晶体材料是在所述多孔材料的孔中，并且是分离的，其中所述纳米晶体材料包含氧化铈材料。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.30 US 62/139,9791.一种包含纳米晶体材料和无定形多孔材料的UV吸收剂复合材料，其中所述纳米晶体材料是在所述多孔材料的孔中，并且是分离的，其中所述纳米晶体材料包含氧化铈材料。2.权利要求1所述的复合材料，其中所述纳米晶体材料在其最长轴上具有约2nm至约100nm的晶畴尺寸范围，并且所述晶体长径比为约1至约1.5。3.前述权利要求中任一项所述的复合材料，其中所述氧化铈材料具有下式：CexMyOz，其中0.5<x≤1，0≤y≤1，且2.0≤z≤7，并且金属M选自Hf4+、Ta5+、W4+、Pr3+、Pr4+、Nd3+、Pm3+、Sm2+、Sm3+、Eu2+、Eu3+、Gd3+、Tb3+、Tb4+、Dy3+、Ho3+、Er3+、Tm2+、Tm3+、Yb2+、Yb3+、Lu3+、V3+、V4+、V5+、Bi3+、Bi5+、Mo4+、Mo6+、Mg2+、Ti3+、Ti4+、Si4+、Zn2+、Al3+、Zr4+、La3+、Sb5+、Nb5+、Co2+、Co3+、Mn2+、Mn3+、Ca2+、Sr2+、Ba2+、Fe4+、Fe3+、Fe2+、Cr3+、Sn4+、Y3+、Cu2+、Cu3+或其混合物。4.前述权利要求中任一项所述的复合材料，其包含第二纳米晶体材料，其中所述第二纳米晶体材料是在所述多孔材料的孔中，并且是分离的，其中所述第二纳米晶体材料选自TiO2、ZnO、MoO3、(Co,Zn)2SiO4、SrTiO3及其混合物。5.权利要求3所述的复合材料，其包含第二纳米晶体材料，其中所述第二纳米晶体材料是在所述多孔材料的孔中，并且是分离的，其中所述第二纳米晶体材料具有下式：CexMyOz，其中0.5<x≤1，0≤y≤1，且2.0≤z≤7，并且金属M选自Hf4+、Ta5+、W4+、Pr3+、Pr4+、Nd3+、Pm3+、Sm2+、Sm3+、Eu2+、Eu3+、Gd3+、Tb3+、Tb4+、Dy3+、Ho3+、Er3+、Tm2+、Tm3+、Yb2+、Yb3+、Lu3+、V3+、V4+、V5+、Bi3+、Bi5+、Mo4+、Mo6+、Mg2+、Ti3+、Ti4+、Si4+、Zn2+、Al3+、Zr4+、La3+、Sb5+、Nb5+、Co2+、Co3+、Mn2+、Mn3+、Ca2+、Sr2+、Ba2+、Fe4+、Fe3+、Fe2+、Cr3+、Sn4+、Y3+、Cu2+、Cu3+或其混合物。6.前述权利要求中任一项所述的复合材料，其中所述复合材料至少部分地被选自无定形二氧化硅、氧化铝、氧化锆、氧化铋、氧化钨及其混合物中的一层或多层所包封。7.前述权利要求中任一项所述的复合材料，其中所述复合材料的主体集料尺寸为约0.2μm至约300μm。8.权利要求1-7中任一项所述的复...
【专利技术属性】
技术研发人员：C·W·贝尔，W·M·尤哈兹，M·E·希勒加斯，M·D·穆斯克，
申请(专利权)人：谢珀德颜色公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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