【技术实现步骤摘要】
用于通过抑制谐波对发送器线性化的系统和方法本申请要求于2016年8月2日在美国专利商标局提交并分配序列号62/370,028的美国临时专利申请和于2016年9月27日在美国专利商标局提交并分配序列号15/277,534的美国非临时专利申请的优先权,上述申请的全部内容通过引用合并于此。
本公开总体涉及一种用于对发送器进行线性化的设备和方法,更具体地,涉及一种用于通过在混频器的输出端抑制谐波对发送器进行线性化的设备和方法。
技术介绍
蜂窝式发送器通常必须满足严格的频谱发射和噪声标准或规范,同时消耗少量的功率来延长电池寿命。此外,对于长期演进(LTE),发送器必须支持单个资源块(RB)和多个RB的情况。为了满足频谱发射掩模(SEM)规范,蜂窝式发送器的线性度是显著的。计数器互调制(CIM)产品是非线性的主要贡献者之一。电压或电流换向混频器的一个基本(和不期望的)特性是混频器产生强的三次谐波分量。结果,对于本机振荡器的时钟频率FLO和基带频率FBB,混频器输出包含在FLO+FBB处的期望的信号和在3FLO-FBB处的非期望的信号。以3FLO为中心的信号可能仅比以FLO为中心的信号低10dB。
技术实现思路
根据一个实施例,一种设备包括:多个无源混频器,其中,所述多个无源混频器中的每一个包括用于接收基带同相信号BBI的第一输入端、用于接收基带同相信号的逆的第二输入端、用于接收基带正交信号BBQ的第三输入端、用于接收基带正交信号的逆的第四输入端、用于接收在所述多个无源混频器中的一个中的具有特定相移的第一时钟信号的第五输入端、用于接收在所述多个无源混频器中的一个中的具有特定 ...
【技术保护点】
一种设备,包括:多个无源混频器,其中,所述多个无源混频器中的每一个包括用于接收基带同相信号BBI的第一输入端、用于接收基带同相信号的逆
【技术特征摘要】
2016.08.02 US 62/370,028;2016.09.27 US 15/277,5341.一种设备,包括:多个无源混频器,其中,所述多个无源混频器中的每一个包括用于接收基带同相信号BBI的第一输入端、用于接收基带同相信号的逆的第二输入端、用于接收基带正交信号BBQ的第三输入端、用于接收基带正交信号的逆的第四输入端、用于接收在所述多个无源混频器中的一个中的具有特定相移的第一时钟信号的第五输入端、用于接收在所述多个无源混频器中的一个中的具有特定相移的第二时钟信号的第六输入端、用于接收在所述多个无源混频器中的一个中的具有特定相移的第三时钟信号的第七输入端、用于接收在所述多个无源混频器中的一个中的具有特定相移的第四时钟信号的第八输入端和至少一个输出端;以及电压域矢量求和阵列,与所述多个无源混频器中的每一个的输出端连接。2.如权利要求1所述的设备,其中,电压域矢量求和阵列由电容器组成。3.如权利要求2所述的设备,其中,所述电容器被加权。4.如权利要求2所述的设备,其中,由以下器件组成所述多个无源混频器:第一无源混频器,被配置为在第二输入端接收具有参考相移的时钟信号;第二无源混频器,被配置为在第二输入端接收具有相对于参考相移的超前相移的时钟信号;第三无源混频器,被配置为在第二输入端接收具有相对于参考相移的滞后相移的时钟信号。5.如权利要求4所述的设备,其中,参考相移是0度相移,超前相移是+45度相移,滞后相移是-45度相移。6.如权利要求4所述的设备,其中,由以下器件组成第一无源混频器、第二无源混频器和第三无源混频器中的每一个:第一n通道金氧半导体场效应晶体管(NMOSFET),包括与相应的无源混频器的第一输入端连接的源极、与相应的无源混频器的第五输入端连接的栅极和与相应的无源混频器的所述至少一个输出端连接的漏极;第二NMOSFET,包括与相应的无源混频器的第二输入端连接的源极、与相应的无源混频器的第六输入端连接的栅极和与相应的无源混频器的所述至少一个输出端连接的漏极;第三NMOSFET,包括与相应的无源混频器的第三输入端连接的源极、与相应的无源混频器的第七输入端连接的栅极和与相应的无源混频器的所述至少一个输出端连接的漏极;第四NMOSFET,包括与相应的无源混频器的第四输入端连接的源极、与相应的无源混频器的第八输入端连接的栅极和与相应的无源混频器的所述至少一个输出端连接的漏极。7.如权利要求6所述的设备,其中,由以下器件组成所述电容器:第一电容器,包括第二端子和与第一无源混频器的所述至少一个输出端连接的第一端子,其中,第一电容器具有权重C;第二电容器,包括与第二无源混频器的所述至少一个输出端连接的第一端子和与第一电容器的第二端子连接的第二端子,其中,第二电容器具有权重0.7C;第三电容器,包括与第三无源混频器的所述至少一个输出端连接的第一端子和与第一电容器的第二端子连接的第二端子,其中,第三电容器具有权重0.7C。8.如权利要求4所述的设备,其中,由以下器件组成第一无源混频器、第二无源混频器和第三无源混频器中的每一个:第一n通道金氧半导体场效应晶体管(NMOSFET),包括与相应的无源混频器的第四输入端连接的源极、与相应的无源混频器的第七输入端连接的栅极和与相应的无源混频器的所述至少一个输出端中的第一输出端连接的漏极;第二NMOSFET,包括与相应的无源混频器的第四输入端连接的源极、与相应的无源混频器的第八输入端连接的栅极和与相应的无源混频器的所述至少一个输出端中的第二输出端连接的漏极;第三NMOSFET,包括与相应的无源混频器的第三输入端连接的源极、与相应的无源混频器的第八输入端连接的栅极和与相应的无源混频器的所述至少一个输出端中的第一输出端连接的漏极;第四NMOSFET,包括与相应的无源混频器的第三输入端连接的源极、与相应的无源混频器的第七输入端连接的栅极和与相应的无源混频器的所述至少一个输出端中的第二输出端连接的漏极;第五NMOSFET,包括与相应的无源混频器的第一输入端连接的源极、与相应的无源混频器的第五输入端连接的栅极和与相应的无源混频器的所述至少一个输出端中的第一输出端连接的漏极;第六NMOSFET,包括与相应的无源混频器的第一输入端连接的源极、与相应的无源混频器的第六输入端连接的栅极和与相应的无源混频器的所述至少一个输出端中的第二输出端连接的漏极;第七NMOSFET,包括与相应的无源混频器的第二输入端连接的源极、与相应的无源混频器的第六输入端连接的栅极和与相应的无源混频器的所述至少一个输出端中的第一输出端连接的漏极;第八NMOSFET,包括与相应的无源混频器的第二输入端连接的源极、与相应的无源混频器的第五输入端连接的栅极和与相应的无源混频器的所述至少一个输出端中的第二输出端连接的漏极。9.如权利要求8所述的设备,其中,由以下器件组成所述电容器:第一电容器,包括第二端子和与第一无源混频器的所述至少一个输出端中的第一输出端连接的第一端子,其中,第一电容器具有权重C;第二电容器,包括第二端子和与第一无源混频器的所述至少一个输出端中的第二输出端连接的第一端子,其中,第二电容器具有权重C;第三电容器,包括与第二无源混频器的所述至少一个输出端中的第一输出端连接的第一端子和与第一电容器的第二端子连接的第二端子,其中,第三电容器具有权重0.7C;第四电容器,包括与第二无源混频器的所述至少一个输出端中的第二输出端连接的第一端子和与第一电容器的第二端子连接的第二端子,其中,第四电容器具有权重0.7C;第五电容器,包括与第三无源混频器的所述至少一个输出端中的第一输出端连接的第一端子和与第一电容器的第二端子连接的第二端子,其中,第五电容器具有权重0.7C;第六电容器,包括与第三无源混频器的所述至少一个输出端中的第二输出端连接的第一端子和与第一电容器的第二端子连接的第二端子,其中,第六电容器具有权重0.7C。10.一种方法,包括:通过多个无源混频器对基带同相信号BBI、基带同相信号的逆基带正交信号BBQ、基带正交信号的逆进行混频,其中,所述多个无源混频器中的每一个包括用于接收BBI的第一输入端、用于接收的第二输入端、用于接收BBQ的第三输入端、用于接收的第四输入端、用于接收在所述多个无源混频器中的一个中的具有特定相移的第一时钟信号的第五输入端、用于接收在所述多个无源混频器中的一个中的具有特定相移的第二时钟信号的第六输入端、用于接收在所述多个无源混频器中的一个中的具有特定相移的第三时钟信号的第七输入端、用于接收在所述多个无源混频器中的一个中的具有特定相移的第四时钟信号的第八输入端和至少一个输出端;并且通过与所述多个无源混频器中的每一个的输出端连接的电压域矢量求和阵列对混频的BBI、BBQ和进行求和。11.如权利要求10所述的方法,其中,电压域矢量求和阵列由电容器组成。12.如权利要求11所述的方法,其中,所述电容器被加权。13.如权利要求11所述的方法,其中,由以下器件组成所述多个无源混频器:第一无源混频器,被配置为在第二输入端接收具有参考相移的时钟信号;第二无源混频器,被配置为在第二输入端接收具有相对于参考相移的超前相移的时钟信号;第三无源混频...
【专利技术属性】
技术研发人员:韦努马达夫·巴格瓦图拉,宋尚万,卢·伊万·秀川,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
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