OLED面板及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种OLED面板及其制作方法。该OLED面板包括：玻璃基板；TFT遮光层；缓冲层；半导体层；沉积在半导体层上经图形化处理的栅极绝缘层和第一金属层；沉积于第一金属层上的层间绝缘层；沉积于层间绝缘层上的经历图形化处理的第二金属层；以原子层沉积方式沉积于该第二金属层上的钝化层，该钝化层为高介电常数材料的薄膜并且设有过孔；制作于该钝化层上的彩色滤光片、平坦层、阳极以及像素限定层，该平坦层对应于储存电容区域设有开孔结构；制作于该阳极上的发光层；制作于该发光层上的阴极。本发明专利技术还提供了相应的OLED面板制作方法。本发明专利技术的OLED面板及其制作方法能够有效提高OLED面板的储存电容，可以减小储存电容设计面积，从而有利于提高面板开口率。

【技术实现步骤摘要】
OLED面板及其制作方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种OLED面板及其制作方法。
技术介绍
有机发光二极管(OLED)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(PassiveMatrixOLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(ActiveMatrixOLED，AMOLED)两大类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。现有OLED面板的像素驱动电路一般包括开关薄膜晶体管(SwitchTFT)，驱动薄膜晶体管(DriverTFT)，以及存储电容(Cst)；开关TFT由扫描信号控制，用于控制数据信号的进入，驱动TFT用于控制通过OLED的电流，存储电容一般用于存储灰阶电压以决定驱动TFT的驱动电流。如图1所示，其为现有OLED面板结构示意图，按照功能区域可划分为开关TFT区域，驱动TFT区域，以及存储电容区本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED面板，其特征在于，包括：玻璃基板；制作于该玻璃基板上的TFT遮光层；沉积在该TFT遮光层上的缓冲层；沉积在该缓冲层上的半导体层，该半导体层经历图形化处理形成TFT有源层；沉积在该半导体层上经图形化处理的栅极绝缘层和第一金属层，并且该第一金属层覆盖区域以外的该半导体层经历导体化处理；沉积于该第一金属层上的层间绝缘层，在该层间绝缘层上设有源漏极接触区开孔；沉积于该层间绝缘层上的经历图形化处理的第二金属层；以原子层沉积方式沉积于该第二金属层上的钝化层，该钝化层为高介电常数材料的薄膜并且设有过孔；制作于该钝化层上的彩色滤光片、平坦层、阳极以及像素限定层，该平坦层对应于储存电容区域设有开孔结...

【技术特征摘要】
1.一种OLED面板，其特征在于，包括：玻璃基板；制作于该玻璃基板上的TFT遮光层；沉积在该TFT遮光层上的缓冲层；沉积在该缓冲层上的半导体层，该半导体层经历图形化处理形成TFT有源层；沉积在该半导体层上经图形化处理的栅极绝缘层和第一金属层，并且该第一金属层覆盖区域以外的该半导体层经历导体化处理；沉积于该第一金属层上的层间绝缘层，在该层间绝缘层上设有源漏极接触区开孔；沉积于该层间绝缘层上的经历图形化处理的第二金属层；以原子层沉积方式沉积于该第二金属层上的钝化层，该钝化层为高介电常数材料的薄膜并且设有过孔；制作于该钝化层上的彩色滤光片、平坦层、阳极以及像素限定层，该平坦层对应于储存电容区域设有开孔结构；制作于该阳极上的发光层；制作于该发光层上的阴极。2.如权利要求1所述的OLED面板，其特征在于，所述钝化层厚度小于500埃。3.如权利要求1所述的OLED面板，其特征在于，所述高介电常数材料为Al2O3。4.一种OLED面板的制作方法，其特征在于，包括：步骤1、提供玻璃基板，在玻璃基板上沉积一层金属并图形化该层金属作为TFT遮光层；步骤2、依次沉积缓冲层以及半导体层，图形化该半导体层作为TFT有源层；步骤3、依次沉积栅极绝缘层和第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘兆松，徐源竣，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44