一种立体双层结构的热电偶制造技术

本实用新型专利技术公开了一种立体双层结构的热电偶，包括n型多晶硅、p型多晶硅、第一金属导电片、第二金属导电片、第三导金属导电片、第四金属导电片、第五金属导电片、第六金属导电片和二氧化硅封套。本实用新型专利技术用二氧化硅绝缘层将n型多晶硅和p型多晶硅相隔离，用金属连接n型多晶硅和p型多晶硅的一端。多晶硅的塞贝克系数比传统平面热电偶采用的铝的塞贝克系数更高，因此在外界环境相同的条件下具有更大的输出电压，本实用新型专利技术的响应度、探测灵敏度和噪声等效功率也优于传统的平面热电偶。

【技术实现步骤摘要】
一种立体双层结构的热电偶
本技术属于温度测量领域，具体是涉及红外感应的温度传感器，尤其是一种热电偶温度传感器。
技术介绍
热电堆红外探测器是一种基于塞贝克效应的非制冷红外探测器，随着微机电系统（MEMS）的发展，基于MEMS的热电堆红外探测器也广泛应用起来，包括非接触式温度传感、流体测量、气体传感、加速度传感和交流-直流转换等，而热电堆阵列器件又能应用于红外图像传感和微型光谱仪。热电堆常用的材料，Bi2Te3和Sb2Te3，在200℃内拥有最大的品质因素，但不能与CMOS工艺兼容。镍和铬由于低塞贝克系数，也影响由其制备的热电堆的性能。近几年，基于半导体材料（如锗、碳化硅、多晶硅）的热电堆，由于与CMOS工艺兼容而受到广泛关注。传统的与CMOS工艺兼容的热电堆常用单层结构，具有三大缺陷：1、空间利用率不高，要提高性能就只能增大传感器体积，不利于小型化；2、热电偶之间用金属线相连，这些金属连接线也会将热从热端导向冷端，而金属的超高热导率会严重影响器件性能；3、半导体需要掺杂才能具备较强的热电效应，传统热释电红外传感器的n/p两种掺杂只能做在一层半导体上，在烧结的过程两种掺杂的载流子会相互本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种立体双层结构的热电偶，其特征在于，包括n型多晶硅、p型多晶硅、第一金属导电片、第二金属导电片、第三导金属导电片、第四金属导电片、第五金属导电片、第六金属导电片和二氧化硅绝缘层。

【技术特征摘要】
1.一种立体双层结构的热电偶，其特征在于，包括n型多晶硅、p型多晶硅、第一金属导电片、第二金属导电片、第三导金属导电片、第四金属导电片、第五金属导电片、第六金属导电片和二氧化硅绝缘层。2.如权利要求1所述的一种立体双层结构的热电偶，其特征在于，所述n型多晶硅和p型多晶硅均用二氧化硅绝缘层相隔离。3.如权利要求1所述的一种立体双层结构的热电偶，其特征在于，所述在n型多晶硅和p型多晶硅的同一侧分别与第一金属导电片和第三金属导电片相连，另一侧分别与第二金属导电片和第四金属导电片相连；第一金属导电片和第三金属导电片用第五金属导...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁飞，周虎川，杨帆，高豪，
申请(专利权)人：成都市亿泰科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51