M-Z型电场传感器制造技术

本发明专利技术公开了一种M‑Z型电场传感器，包括基底、M‑Z型波导和偶极子天线；偶极子天线包括相互连接的感应部和调制部；M‑Z型波导和调制部均设置在基底的波导面上；其创新在于：M‑Z型电场传感器上设置有偏置波导、光电探测器和偏置电极；偏置波导和偏置电极均设置在波导面上；光电探测器设置在输出面上与偏置波导相对的位置处，偏置波导的输出端与光电探测器光路连接，光电探测器的输出端与偏置电极电气连接；本发明专利技术的有益技术效果是：提出了一种M‑Z型电场传感器，该M‑Z型电场传感器可以在不干扰空间电场的条件下，实现对M‑Z型电光强度调制器的工作点偏置控制。

M Z type electric field sensor

The invention discloses a M Z type electric field sensor includes a substrate, M type Z waveguide and dipole antenna; dipole antenna including induction and modulation are connected; M type Z waveguide and the modulation section are arranged in the basement of the waveguide surface; the utility model is characterized in that: the M Z type electric field sensor is provided with a waveguide, a photoelectric detector and a bias bias bias bias electrode and electrode; waveguide are arranged on the waveguide surface; the photoelectric detector is arranged in the output plane waveguide with bias position relative to the output end is connected with the bias waveguide photodetector, the photo detector is connected to the output end and the bias electrode electrical beneficial; the technical effect of the invention is: a M Z type electric field sensor, the M Z type electric field sensor can not interfere with the electric field under the conditions of realization of M modulator Z electro-optic intensity The work point bias control.

【技术实现步骤摘要】
M-Z型电场传感器
本专利技术涉及一种电场传感器，尤其涉及一种M-Z型电场传感器。
技术介绍
M-Z型电光强度调制器目前广泛应用于光学通信、光学传感、光学测量、量子保密通信等领域，其典型结构如图1所示，从图中可见，器件中含有偏置电极，在将M-Z型电光强度调制器作普通应用时，一般通过偏置电极将外部输入的偏置控制信号加载到M-Z型波导上，从而实现对器件的工作点控制。将M-Z型电光强度调制器作电场传感器应用时，其典型结构如图2所示，图2与图1的明显差别是：将射频电极替换为了偶极子天线，同时，器件中未设置偏置电极；取消偏置电极的原因是：现有技术中，向偏置电极输入偏置控制信号时，通常采用导线传输偏置控制信号，而电场传感器的检测对象是空间电场，用导线将偏置控制信号从后方传输至传感器，不仅会引入附加电场，而且会对空间电场造成干扰，影响检测结果的准确性，于是，现有技术在将M-Z型电光强度调制器作电场传感器应用时，将M-Z型电光强度调制器中的偏置电极取消了；由于未设置偏置电极，电场传感器中的M-Z型电光强度调制器不能实现工作点控制，当发生工作点漂移时，器件就会出现信号失真情况，工作稳定性得不到保障。专本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种M‑Z型电场传感器，所述M‑Z型电场传感器包括基底(1)、M‑Z型波导(2)和偶极子天线(3)；所述偶极子天线(3)包括相互连接的感应部和调制部；所述M‑Z型波导(2)和调制部均设置在基底(1)的波导面上；波导面上与所述调制部对应的区域记为调制区，M‑Z型波导(2)的干涉臂从所述调制区中穿过；其特征在于：所述M‑Z型电场传感器上设置有偏置波导(4)、光电探测器(5)和偏置电极(6)；所述偏置波导(4)和偏置电极(6)均设置在所述波导面上；所述偏置波导(4)为条型波导，偏置波导(4)的轴向与M‑Z型波导(2)的轴向平行，偏置波导(4)与所述调制区之间留有间隔；所述波导面上与偏置电极(6)对应...

【技术特征摘要】
1.一种M-Z型电场传感器，所述M-Z型电场传感器包括基底(1)、M-Z型波导(2)和偶极子天线(3)；所述偶极子天线(3)包括相互连接的感应部和调制部；所述M-Z型波导(2)和调制部均设置在基底(1)的波导面上；波导面上与所述调制部对应的区域记为调制区，M-Z型波导(2)的干涉臂从所述调制区中穿过；其特征在于：所述M-Z型电场传感器上设置有偏置波导(4)、光电探测器(5)和偏置电极(6)；所述偏置波导(4)和偏置电极(6)均设置在所述波导面上；所述偏置波导(4)为条型波导，偏置波导(4)的轴向与M-Z型波导(2)的轴向...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑德晟，华勇，李淼淼，胡红坤，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十四研究所，
类型：发明
国别省市：重庆,50