一种制备中孔洞选择性吸附材料以处理六甲基二硅氮烷的方法技术

本发明专利技术公开了一种制备中孔洞选择性吸附材料以处理六甲基二硅氮烷的方法，包括步骤：S1、中孔洞选择性吸附材料的制备；S2、将中孔洞选择性吸附材料置于吸附反应器中；S3、将含有六甲基二硅氮烷的废气输送至吸附反应器内吸附除去六甲基二硅氮烷；吸附反应器由壳体、多个立柱、多个吸附板及温度控制装置组成；吸附板内部填充中孔洞选择性吸附材料，上表面和下表面设置均匀分布的气孔；壳体内部设置多个立柱，吸附板固定在相邻立柱之间，所有吸附板与立柱相互拼接形成一个锯齿状或梳齿状的整体吸附墙。本发明专利技术采用具有选择性吸附性的吸附材料及相应的吸附反应器吸附除去废气中的六甲基二硅氮烷，简化了废气后续处理工艺，能耗及经济成本明显降低。

A method for the preparation of six methyl two silane by selective adsorption of porous materials in the preparation of holes

The invention discloses a method for preparing mesoporous materials by selective adsorption of six methyl two silazane comprises the following steps: S1, mesoporous materials prepared by selective adsorption; S2, selective adsorption material in mesoporous adsorption reactor; S3, the waste gas containing six methyl two silazane transported to the adsorption reactor adsorption to remove six methyl two silazane; adsorption reactor is composed of a casing, a plurality of columns, a plurality of adsorption plate and temperature control device; the adsorption plate is filled with holes in the selective adsorption material, the upper surface and the lower surface is uniform distribution of stomatal; a pillar is arranged inside the casing, adsorption plate is fixed between the adjacent columns, the overall adsorption wall all the adsorption plate and the upright post are spliced into a serrated or comb shaped. The adsorption and removal of six methyl two silicon nitride in exhaust gas by selective adsorptive adsorbent and corresponding adsorption reactor simplify the subsequent treatment process of waste gas, and reduce energy consumption and economic cost.

【技术实现步骤摘要】
一种制备中孔洞选择性吸附材料以处理六甲基二硅氮烷的方法
本专利技术涉及一种制备中孔洞选择性吸附材料用于吸附除去废气中含有的六甲基二硅氮烷的方法，属于废气处理

技术介绍
双(三甲基硅基)胺(又称六甲基二硅氮烷，或HMDS)，分子式[(CH3)3Si]2NH。该物质是氨中两个氢原子被三甲基硅基取代的衍生物。六甲基二硅氮烷是一种无色液体，也是一种广泛应用于有机合成和有机金属化学反应重要试剂和主要成分。在光刻技术中，六甲基二硅氮烷常被用作增加光刻胶表面附着能力的增粘剂。六甲基二硅氮烷在气态时用在加热过的底物上会得到最好的效果。在电子显微镜，六甲基二硅氮烷可以作为样品制备过程中的临界点干燥的干燥剂。在裂解气液色谱中，六甲基二硅氮烷在裂解时会被加到分析物中，以产生硅烷化分析产物，并以极性官能团加强化合物的侦测性。HMDS属于挥发性有机化合物(VolatileOrganicCompounds，VOCs)其中一种，VOCs是指在标准状态下(20℃，760mmHg)，其蒸气压大于0.1mmHg以上之有机化合物。HMDS主要来源于光电材料及组件制造业、半导体业等领域。目前处理HMDS的方法有冷本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备中孔洞选择性吸附材料以处理六甲基二硅氮烷的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、中孔洞选择性吸附材料的制备；S2、将制备的中孔洞选择性吸附材料置于吸附反应器中；S3、将吸附反应器内的温度控制在25～70℃，然后将待处理的含六甲基二硅氮烷的废气输送至吸附反应器内进行选择性吸附除去其中的六甲基二硅氮烷；其中，所述吸附反应器由箱型壳体、多个立柱、多个方形吸附板及温度控制装置组成；所述吸附板内部填充制备的中孔洞选择性吸附材料，吸附板上表面和下表面设置均匀分布的气孔；所述壳体相对的两侧面分别设置进气口和出气口，壳体的顶面为可拆卸式结构；壳体内部从壳体顶面到底面直立设置均匀分布的多个立柱，立柱表面...

【技术特征摘要】
1.一种制备中孔洞选择性吸附材料以处理六甲基二硅氮烷的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、中孔洞选择性吸附材料的制备；S2、将制备的中孔洞选择性吸附材料置于吸附反应器中；S3、将吸附反应器内的温度控制在25～70℃，然后将待处理的含六甲基二硅氮烷的废气输送至吸附反应器内进行选择性吸附除去其中的六甲基二硅氮烷；其中，所述吸附反应器由箱型壳体、多个立柱、多个方形吸附板及温度控制装置组成；所述吸附板内部填充制备的中孔洞选择性吸附材料，吸附板上表面和下表面设置均匀分布的气孔；所述壳体相对的两侧面分别设置进气口和出气口，壳体的顶面为可拆卸式结构；壳体内部从壳体顶面到底面直立设置均匀分布的多个立柱，立柱表面沿轴线方向设置两个用于安装吸附板的条形限位槽，吸附板沿着立柱的限位槽插入式固定在相邻立柱之间，所有吸附板与立柱相互拼接形成一个锯齿状或梳齿状的整体吸附墙；所述吸附墙将壳体内部空间分割为两部分，一部分包括进气口及与进气口连通的未处理废气流通空间，另一部分包括出气口及处理后废气流通空间；相邻吸附板的连接处，以及吸附板与壳体内壁面的连接处以气体不能通过的方式完全密闭；所述温度控制装置包括位于壳体内的加热元件和温度感应器，位于壳体外部的与加热元件和温度感应器连接的控制器。2.如权利要求1所述的制备中孔洞选择性吸附材料以处理六甲基二硅氮烷的方法，其特征在于，所述步骤S1具体包括：S11、将十六烷基三甲基溴化铵溶于去离子水中，并加入质量浓度为28％的氢氧化铵溶液，得到有机溶液；S12、将硅源溶液逐滴加入有机溶液中，并用硫酸调节溶液pH值至4，在室温下，搅拌反应8h；S13、将步骤S12所得到的混合溶液进行过滤、洗涤及干燥，得到初成品；S14、将初成品进行高温锻烧，除去有机模板，制得颗粒状的中孔洞选择性吸附材料。3.如权利要求2所述的制备中孔洞...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈世雄，林鸿祥，
申请(专利权)人：成都清境环境科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51