一种主芯片恒压供电电路制造技术

本发明专利技术公开了一种主芯片恒压供电电路，包括运算放大器、第一电阻和第二电阻所述第一电阻的一端和第二电阻的一端连接，所述第二电阻的另一端接地，所述第一电阻和第二电阻的连接点连接至运算放大器的第一输入端，还包括MOS管，所述运算放大器的输出端连接MOS管的栅极，所述第一电阻另一端与MOS管的源极连接，所述MOS管的漏极为电源输入端，还包括连接在电源输入端的滤波电容，还包括主芯片，所述MOS管的源极与主芯片电源端连接，所述运算放大器的第二输入端连接主芯片的内部参考电压，上述电子元器件与主芯片封装在同一芯片内，发明专利技术中的VCC由主芯片控制，一款高压耗尽管可以适应所有的需要供电的主芯片且将高压耗尽管与主芯片封装在一起，方便使用。

【技术实现步骤摘要】
一种主芯片恒压供电电路
本专利技术涉及一种主芯片供电电路，特别涉及一种主芯片恒压供电的电路。
技术介绍
现有的芯片的高压供电技术有两种解决方案，第一种是主芯片采用高压工艺，直接高压供电，但是高压工艺有器件尺寸大，芯片面积大，成本高的缺点。第二种方法是专做一款高压供电芯片为主芯片供电，优点是主芯片的工艺选择不受高压供电困扰，可以自由选取合适的工艺，缺点是高压供电芯片成本高。目前的高压供电芯片如图3所示，具体电路结构如下所述：包括运算放大器、第一电阻和第二电阻所述第一电阻的一端和第二电阻的一端连接，所述第二电阻的另一端接地，所述第一电阻和第二电阻的连接点连接至运算放大器的第一输入端，还包括高压功率管，所述运算放大器的输出端连接高压功率管的栅极，所述第一电阻远离第二电阻的一端与高压功率管的源极连接，所述高压功率管的漏极为电源输入端，还包括连接在电源输入端的滤波电容，还包括连接在运算放大器第二输入端的参考电压产生器。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种由主芯片控制供电电压、适应性强的一种主芯片恒压供电的电路。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种主芯片恒压供电电路，包括运本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种主芯片恒压供电电路，包括运算放大器(1)、第一电阻(2)和第二电阻(3)所述第一电阻(2)的一端和第二电阻(3)的一端连接，所述第二电阻(3)的另一端接地，所述第一电阻(2)和第二电阻(3)的连接点连接至运算放大器(1)的第一输入端，还包括MOS管，所述运算放大器(1)的输出端连接MOS管的栅极，所述第一电阻(2)远离第二电阻(3)的一端与MOS管的源极连接，所述MOS管的漏极为电源输入端，还包括连接在电源输入端的滤波电容(5)，其特征在于：还包括主芯片，所述MOS管的源极与主芯片电源端连接，所述运算放大器(1)的第二输入端连接主芯片的内部参考电压，上述电子元器件与主芯片封装在同一芯片内。

【技术特征摘要】
1.一种主芯片恒压供电电路，包括运算放大器(1)、第一电阻(2)和第二电阻(3)所述第一电阻(2)的一端和第二电阻(3)的一端连接，所述第二电阻(3)的另一端接地，所述第一电阻(2)和第二电阻(3)的连接点连接至运算放大器(1)的第一输入端，还包括MOS管，所述运算放大器(1)的输出端连接MOS管的栅极，所述第一电阻(2)远离第二电阻(3)的...

【专利技术属性】
技术研发人员：霍晓强，刘桂芝，何云，王冬峰，
申请(专利权)人：无锡麟力科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32