一种贡菊侧芽幼茎微扦插的方法技术

本发明专利技术属于贡菊侧芽幼茎微扦插技术领域，具体涉及一种贡菊侧芽幼茎微扦插的方法，取贡菊长度为6‑7cm的侧芽，制成4.2‑4.5cm的微插穗，将消毒后的微插穗置于高压静电装置中，在场强为400‑500kV/m的高压静电场处理20‑30分钟，用质量浓度为0.2%的硝酸钾溶液对微插穗进行喷淋，喷淋量为2‑4g/60株，然后在温度为为22‑26℃、相对湿度为75‑80%的拱棚中进行扦插育苗，扦插深度为1.4‑1.6cm。本发明专利技术相比现有技术具有以下优点：本发明专利技术使贡菊的生根率达到100%，且生根质量明显提高，相比常规扦插苗能够在短时间内提高贡菊的繁殖系数，并保持贡菊的优良性状，有利于快速规模化生产。

A method of micro cutting stems of chrysanthemum bud

The invention belongs to the chrysanthemum bud stem microcuttage technology field, in particular relates to a method for chrysanthemum bud stems of micro cutting, the length of 6 7cm chrysanthemum buds made of 4.2 4.5cm, micro cuttings, micro cuttings in high voltage electrostatic device after disinfection, in the field of high voltage electrostatic 400 500kV/m field 20 30 minutes, with the mass concentration of micro cuttings were 0.2% potassium nitrate solution spray, spray volume of 2 4g/60 strain, and then at a temperature of 22 DEG C, 26 relative humidity for the cuttage seedling shed 75 80%, cutting depth of 1.4 1.6cm. Compared with the prior art, the invention has the following advantages: the invention makes the chrysanthemum the rooting rate reached 100%, and the rooting quality was obviously improved, compared with the conventional seedling can improve the propagation coefficient of Chrysanthemum in a short period of time, and maintain the good traits of chrysanthemum, is conducive to rapid mass production.

【技术实现步骤摘要】
一种贡菊侧芽幼茎微扦插的方法
本专利技术属于贡菊侧芽幼茎微扦插
，具体涉及一种贡菊侧芽幼茎微扦插的方法。
技术介绍
现有技术为解决茶用菊花新优品种在短期内快速规模化生产的问题，有通过茶用菊花侧芽的幼嫩茎尖进行微扦插技术研究，研究结果表明，“玉龙”、“玉台1号”、“杭菊”扦插后具有较整齐的扦插根，生根质量高，能在短时间内提高茶用菊花的繁殖系数，保持木本的优良性状，实现茶用菊花的快速育苗，但贡菊采用幼嫩茎尖扦插后，生根率极低，仅为12.5%，其他品种均可达到100%，而且生根质量较差，限制了贡菊侧芽幼茎微扦插技术的使用。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对现有的问题，提供了一种贡菊侧芽幼茎微扦插的方法。本专利技术是通过以下技术方案实现的：一种贡菊侧芽幼茎微扦插的方法，取贡菊长度为6-7cm的侧芽，制成4.2-4.5cm的微插穗，将消毒后的微插穗置于高压静电装置中，在场强为400-500kV/m的高压静电场处理20-30分钟，用质量浓度为0.2%的硝酸钾溶液对微插穗进行喷淋，喷淋量为2-4g/60株，然后在温度为为22-26℃、相对湿度为75-80%的拱棚中进行扦插育苗，扦插深度为1.4-1.6cm。作为对上述方案的进一步改进，所述侧芽由健康贡菊按照常规方法在日光温室中剪取顶尖，进行扦插，扦插后25天，当侧芽长到6-7cm后，采集侧芽即可。作为对上述方案的进一步改进，所述微插穗用消毒液中包含：硫酸铜0.28wt%、新洁尔灭溶液0.1wt%、磷酸三钠1.26wt%。作为对上述方案的进一步改进，所述高压静电装置中电场极板包括上电场极板和下电场极板，上电场极板和下电场极板之间的距离为20-40mm。作为对上述方案的进一步改进，所述扦插用基质包括以下重量份的原料：蛭石18-22份、泥炭12-16份、珍珠岩4-8份、腐殖质土2-5份、苔藓1-3份。作为对上述方案的进一步改进，所述喷淋时，将微插穗置于吸水棉上进行喷淋，能够有效收集未被吸收的硝酸钾溶液，且可以使其与铺放的微插穗充分接触。本专利技术相比现有技术具有以下优点：本专利技术中利用高压静电场对微插穗进行处理，改变贡菊微插穗中酶活性，改变细胞膜的通透性，在处理过程中无放射性物质，再配合硝酸钾溶液处理后进行扦插，能够使贡菊的生根率达到100%，且生根质量明显提高，进入生长阶段后，与长度为10cm的扦插苗无明显区别，相比常规扦插苗能够在短时间内提高贡菊的繁殖系数，并保持贡菊的优良性状，有利于快速规模化生产。具体实施方式实施例1一种贡菊侧芽幼茎微扦插的方法，取贡菊长度为6-7cm的侧芽，制成4.4cm的微插穗，将消毒后的微插穗置于高压静电装置中，在场强为450kV/m的高压静电场处理25分钟，用质量浓度为0.2%的硝酸钾溶液对微插穗进行喷淋，喷淋量为3g/60株，然后在温度为为24℃、相对湿度为78%的拱棚中进行扦插育苗，扦插深度为1.5cm。其中，所述侧芽由健康贡菊按照常规方法在日光温室中剪取顶尖，进行扦插，扦插后25天，当侧芽长到6-7cm后，采集侧芽即可；所述微插穗用消毒液中包含：硫酸铜0.28wt%、新洁尔灭溶液0.1wt%、磷酸三钠1.26wt%。其中，所述高压静电装置中电场极板包括上电场极板和下电场极板，上电场极板和下电场极板之间的距离为30mm；蛭石20份、泥炭14份、珍珠岩6份、腐殖质土4份、苔藓2份。其中，所述喷淋时，将微插穗置于吸水棉上进行喷淋，能够有效收集未被吸收的硝酸钾溶液，且可以使其与铺放的微插穗充分接触。实施例2一种贡菊侧芽幼茎微扦插的方法，取贡菊长度为6-7cm的侧芽，制成4.2cm的微插穗，将消毒后的微插穗置于高压静电装置中，在场强为500kV/m的高压静电场处理20分钟，用质量浓度为0.2%的硝酸钾溶液对微插穗进行喷淋，喷淋量为4g/60株，然后在温度为为26℃、相对湿度为75%的拱棚中进行扦插育苗，扦插深度为1.4cm。其中，所述高压静电装置中电场极板包括上电场极板和下电场极板，上电场极板和下电场极板之间的距离为20mm；所述扦插用基质包括以下重量份的原料：蛭石18份、泥炭12份、珍珠岩8份、腐殖质土2份、苔藓3份。实施例3一种贡菊侧芽幼茎微扦插的方法，取贡菊长度为6-7cm的侧芽，制成4.5cm的微插穗，将消毒后的微插穗置于高压静电装置中，在场强为400kV/m的高压静电场处理30分钟，用质量浓度为0.2%的硝酸钾溶液对微插穗进行喷淋，喷淋量为2g/60株，然后在温度为为22℃、相对湿度为80%的拱棚中进行扦插育苗，扦插深度为1.6cm。其中，所述高压静电装置中电场极板包括上电场极板和下电场极板，上电场极板和下电场极板之间的距离为40mm；所述扦插用基质包括以下重量份的原料：蛭石22份、泥炭16份、珍珠岩4份、腐殖质土5份、苔藓1份。设置对照组1，将实施例1中喷淋硝酸钾溶液的步骤去掉，其余内容不变；设置对照组2，将实施例1中高压静电场处理步骤去掉，其余内容不变；设置对照组3，以现有技术即不对微插穗进行处理，在实施例1中基质中扦插；设置对照组4，以现有技术直接在蛭石基质中扦插；按照各组中方法对贡菊扦插，30天检测其生长状况，得到以下数据：表1组别生根率（%）最长根（cm）最短根（cm）根条数（株）株高（cm）实施例110016.44.2525.720.3实施例210015.94.2325.319.8实施例310016.24.2525.820.1对照组175.214.34.1622.417.6对照组243.812.84.0915.815.9对照组312.811.64.0311.315.5对照组412.511.24.019.815.4通过表1中数据可以看出本专利技术中方法能够有效改善现有技术中贡菊利用微插穗生根率低的问题。利用上述扦插所得幼苗扦插植株成花生长，设置空白组以10cm的扦插苗按常规方法扦插，观察其生长状况，得到以下结果：表2组别株高（cm）冠幅（cm）花径（cm）始花期（日期）盛花期（日期）实施例197.060.35.8310.2410.29实施例296.860.25.8310.2510.30实施例396.960.25.8210.2410.29对照组194.757.45.8010.2410.29对照组294.256.55.8110.2510.31对照组393.656.25.8010.2510.31对照组493.455.85.8010.2510.31空白组97.160.65.8210.2310.28通过表2中数据可以看出微插穗相比现有扦插育苗生长状况基本相同，相比对照组3和对照组4有了明显提高，在短时间内能够大大提高菊花的繁殖系数，快速实现规模化生产。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种贡菊侧芽幼茎微扦插的方法，其特征在于，取贡菊长度为6‑7cm的侧芽，制成4.2‑4.5cm的微插穗，将消毒后的微插穗置于高压静电装置中，在场强为400‑500kV/m的高压静电场处理20‑30分钟，用质量浓度为0.2%的硝酸钾溶液对微插穗进行喷淋，喷淋量为2‑4g/60株，然后在温度为为22‑26℃、相对湿度为75‑80%的拱棚中进行扦插育苗，扦插深度为1.4‑1.6cm。

【技术特征摘要】
1.一种贡菊侧芽幼茎微扦插的方法，其特征在于，取贡菊长度为6-7cm的侧芽，制成4.2-4.5cm的微插穗，将消毒后的微插穗置于高压静电装置中，在场强为400-500kV/m的高压静电场处理20-30分钟，用质量浓度为0.2%的硝酸钾溶液对微插穗进行喷淋，喷淋量为2-4g/60株，然后在温度为为22-26℃、相对湿度为75-80%的拱棚中进行扦插育苗，扦插深度为1.4-1.6cm。2.如权利要求1所述一种贡菊侧芽幼茎微扦插的方法，其特征在于，所述侧芽由健康贡菊按照常规方法在日光温室中剪取顶尖，进行扦插，扦插后25天，当侧芽长到6-7cm后，采集侧芽即可。3.如权利要求1所述一种贡...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘资豪，
申请(专利权)人：界首市五季果源家庭农场，
类型：发明
国别省市：安徽,34