AMOLED显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种AMOLED显示装置。该AMOLED显示装置的像素区域内的阳极层包括第一阳极、及设于第一阳极外围且与第一阳极间隔的第二阳极，第一阳极、及第二阳极分别与其上方的OLED功能层及阴极构成第一子OLED及第二子OLED，同时对应每一像素区域设有一像素驱动电路，该像素驱动电路分别与第一阳极及第二阳极连接，工作时，像素驱动电路分别向第一阳极和第二阳极通入不相同的第一电流及第二电流，通过控制第一电流及第二电流的电流大小，能够使第一子OLED与第二子OLED发出的光亮度一致，解决了由于采用打印的方式制作OLED功能层时OLED功能层厚度不均匀产生的像素亮度不均的问题，提升了显示的品质。

AMOLED display device

The utility model provides an AMOLED display device. The AMOLED showed that the anode layer pixel region within the apparatus includes first and second anode anode, and the anode is arranged in the first periphery and the first anode spacing, the function of OLED layer and the first anode, cathode and two anode respectively with the above constitute the first OLED and two OLED, at the same time corresponding to each pixel area has a pixel driver the pixel circuit, drive circuit is respectively connected with the first anode and two anode, the pixel driving circuit into a first current and a two current is not the same to the first anode and the second anode respectively, the current size of the control current of the first and two current, consistent brightness can make out the first OLED and second OLED to solve, because of the way of making OLED printing function layer OLED pixel brightness layer thickness of uneven uneven problem, enhance the The quality of the display.

【技术实现步骤摘要】
AMOLED显示装置
本技术涉及显示
，尤其涉及一种AMOLED显示装置。
技术介绍
有机发光二极管显示装置(OrganicLightEmittingDisplay，OLED)具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(PassiveMatrixOLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(ActiveMatrixOLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管(TFT)矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。AMOLED是电流驱动器件，当有电流流过有机发光二极管时，有机发光二极管发光，且发光亮度由流过有机发光二极管自身的电流决定。大部分已有的集成电路(IntegratedCircuit，IC)都只传输电压信号，故AMOLED的像素驱动电路需要完成将电压信号转变为电流信号的任务。传统的AMOLED像素驱动电路通常为2T1C，即两个薄膜晶体管加一个电容的结构，将电压变换为电流。现有的AMOLED显示装置一般在TFT阵列基板上的平坦化层上制作多条像素隔离坝(Bank)，由多条像素隔离坝在TFT阵列基板上限定出多个像素区域，之后采用打印的方式在多个像素区域内制作OLED功能层，具体为将溶液态的OLED材料滴到多个像素区域内，之后对OLED材料进行干燥，得到OLED功能层。由于像素隔离坝采用的有机材料一般具有亲水性或疏水性，在采用亲水性材料制作像素隔离坝时，采用打印的方式制作的OLED功能层在像素区域中心的厚度要小于在像素区域边缘的厚度，在采用疏水性材料制作像素隔离坝时，采用打印的方式制作的OLED功能层在像素区域中心的厚度要大于在像素区域边缘的厚度，也即OLED功能层的膜厚不均，在此基础上驱动AMOLED显示装置进行显示时，电流在流过厚度不均的OLED功能层后，同一像素区域发出的光亮度不均，影响显示品质。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种AMOLED显示装置，显示时每一像素区域内的发光亮度均匀，显示品质高。为实现上述目的，本技术提供一种AMOLED显示装置，包括：TFT基板、设于TFT基板上的多条像素隔离坝、设于TFT基板上的多个OLED功能层、及设于多个OLED功能层上的阴极；所述多条像素隔离坝在TFT基板上限定出多个像素区域，多个OLED功能层分别位于多个像素区域内；所述TFT基板包括衬底基板、设于衬底基板上的TFT阵列层、及设于TFT阵列层上且对应位于多个像素区域内的多个阳极层；每一阳极层均包括：位于对应的像素区域的中心的第一阳极、及设于第一阳极周围且与第一阳极间隔的第二阳极；第一阳极与其上方的OLED功能层及阴极构成第一子OLED，第二阳极与其上方的OLED功能层及阴极构成第二子OLED；所述AMOLED显示装置对应每一像素区域设有一像素驱动电路，所述像素驱动电路分别与第一阳极及第二阳极电性连接。可选地，所述像素隔离坝的材料为亲水性材料，所述OLED功能层与第一阳极对应的部分的厚度小于与第二阳极对应的部分的厚度。可选地，所述像素隔离坝的材料为疏水性材料，所述OLED功能层与第一阳极对应的部分的厚度大于与第二阳极对应的部分的厚度。每一像素驱动电路均包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体、第一电容、第二电容；所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体、第一电容、第二电容均位于TFT阵列层中；所述第一薄膜晶体管的栅极接入扫描信号，源极接入第一数据信号，漏极电性连接第二薄膜晶体管的栅极；所述第二薄膜晶体管的漏极接入电源正电压，源极电性连接对应像素区域中的第一阳极；所述第三薄膜晶体管的栅极电性连接第一薄膜晶体管的栅极，源极接入第二数据信号，漏极电性连接第四薄膜晶体管的栅极；所述第四薄膜晶体管的漏极接入电源正电压，源极电性连接对应像素区域中的第二阳极；所述第一电容的两端分别电性连接第二薄膜晶体管的栅极及漏极；所述第二电容的两端分别电性连接第四薄膜晶体管的栅极及漏极；所述阴极接入电源负电压。所述TFT基板还包括设于阳极层与TFT阵列层之间的平坦化层。所述平坦化层上对应第一阳极的区域的厚度小于对应第二阳极的区域的厚度。本技术的有益效果：本技术提供的一种AMOLED显示装置，像素区域内的阳极层包括第一阳极、及设于第一阳极外围且与第一阳极间隔的第二阳极，第一阳极、及第二阳极分别与其上方的OLED功能层及阴极构成第一子OLED及第二子OLED，同时对应每一像素区域设有一像素驱动电路，该像素驱动电路分别与第一阳极及第二阳极连接，工作时，像素驱动电路分别向第一阳极和第二阳极通入不相同的电流，通过控制电流的大小，能够使第一子OLED与第二子OLED发出的光亮度一致，解决了由于采用打印的方式制作OLED功能层时OLED功能层厚度不均匀产生的像素亮度不均的问题，提升了显示的品质。附图说明为了能更进一步了解本技术的特征以及
技术实现思路
，请参阅以下有关本技术的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本技术加以限制。附图中，图1为本技术的AMOLED显示装置的第一实施例的结构示意图；图2为本技术的AMOLED显示装置的像素驱动电路与第一子OLED及第二子OLED连接的电路图；图3为本技术的AMOLED显示装置的第二实施例的结构示意图；图4为本技术的AMOLED显示装置的第三实施例的结构示意图。具体实施方式为更进一步阐述本技术所采取的技术手段及其效果，以下结合本技术的优选实施例及其附图进行详细描述。本技术提供一种AMOLED显示装置，请参阅图1及图2，为本技术的AMOLED显示装置的第一实施例，本技术的AMOLED显示装置包括：TFT基板100、设于TFT基板100上的多条像素隔离坝200、设于TFT基板100上的多个OLED功能层300、及设于多个OLED功能层300上的阴极400；所述多条像素隔离坝200在TFT基板100上限定出多个像素区域101，多个OLED功能层300分别位于多个像素区域101内；所述TFT基板100包括衬底基板110、设于衬底基板110上的TFT阵列层120、及设于TFT阵列层120上且对应位于多个像素区域101内的多个阳极层130；每一阳极层130均包括：位于对应的像素区域101的中心的第一阳极131、及设于第一阳极131周围且与第一阳极131间隔的第二阳极132；第一阳极131与其上方的OLED功能层300及阴极400构成第一子OLEDD1，第二阳极132与其上方的OLED功能层300及阴极400构成第二子OLEDD2；所述AMOLED显示装置对应每一像素区域101设有一像素驱动电路10，所述像素驱动电路10分别与第一阳极131及第二阳极132电性连接，所述像素驱动电路10用于在AMOLED显示装置显示时，分别向第一阳极131及第二阳极132通入第一电流及第二电流，驱动第一子OLEDD1及第二O本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种AMOLED显示装置，其特征在于，包括：TFT基板(100)、设于TFT基板(100)上的多条像素隔离坝(200)、设于TFT基板(100)上的多个OLED功能层(300)、及设于多个OLED功能层(300)上的阴极(400)；所述多条像素隔离坝(200)在TFT基板(100)上限定出多个像素区域(101)，多个OLED功能层(300)分别位于多个像素区域(101)内；所述TFT基板(100)包括衬底基板(110)、设于衬底基板(110)上的TFT阵列层(120)、及设于TFT阵列层(120)上且对应位于多个像素区域(101)内的多个阳极层(130)；每一阳极层(130)均包括：位于对应的像素区域(101)的中心的第一阳极(131)、及设于第一阳极(131)周围且与第一阳极(131)间隔的第二阳极(132)；第一阳极(131)与其上方的OLED功能层(300)及阴极(400)构成第一子OLED(D1)，第二阳极(132)与其上方的OLED功能层(300)及阴极(400)构成第二子OLED(D2)；所述AMOLED显示装置对应每一像素区域(101)设有一像素驱动电路(10)，所述像素驱动电路(10)分别与第一阳极(131)及第二阳极(132)电性连接。...

【技术特征摘要】
1.一种AMOLED显示装置，其特征在于，包括：TFT基板(100)、设于TFT基板(100)上的多条像素隔离坝(200)、设于TFT基板(100)上的多个OLED功能层(300)、及设于多个OLED功能层(300)上的阴极(400)；所述多条像素隔离坝(200)在TFT基板(100)上限定出多个像素区域(101)，多个OLED功能层(300)分别位于多个像素区域(101)内；所述TFT基板(100)包括衬底基板(110)、设于衬底基板(110)上的TFT阵列层(120)、及设于TFT阵列层(120)上且对应位于多个像素区域(101)内的多个阳极层(130)；每一阳极层(130)均包括：位于对应的像素区域(101)的中心的第一阳极(131)、及设于第一阳极(131)周围且与第一阳极(131)间隔的第二阳极(132)；第一阳极(131)与其上方的OLED功能层(300)及阴极(400)构成第一子OLED(D1)，第二阳极(132)与其上方的OLED功能层(300)及阴极(400)构成第二子OLED(D2)；所述AMOLED显示装置对应每一像素区域(101)设有一像素驱动电路(10)，所述像素驱动电路(10)分别与第一阳极(131)及第二阳极(132)电性连接。2.如权利要求1所述的AMOLED显示装置，其特征在于，所述像素隔离坝(200)的材料为亲水性材料，所述OLED功能层(300)与第一阳极(131)对应的部分的厚度小于与第二阳极(132)对应的部分的厚度。3.如权利要求1所述的AMOLED显示装置，其特征在于，所述像素隔离坝(200)的材料为疏水性材料，所述OLED功能层(300)与第一阳极(131)对应的部分的厚度...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄泰钧，王振岭，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44