OLED显示装置及其压力触控驱动方法制造方法及图纸

本申请公开了一种有机发光二极管(OLED)显示装置及其压力触控驱动方法，该OLED显示装置包括：硅基板；形成在所述硅基板上的像素单元和磁敏传感器；磁场发生装置。所述磁场发生装置对应于所述磁敏传感器设置且设置在所述硅基板下方或形成在所述硅基板之中。所述磁敏传感器用于检测磁场变化且将所述磁场变化转化为电压差输出。

OLED display device and its pressure touch control method

The invention discloses an organic light-emitting diode (OLED) display device and a pressure touch driving method. The OLED display device includes a silicon substrate, a pixel unit and a magnetic sensor formed on the silicon substrate, and a magnetic field generating device. The magnetic field generating device is set corresponding to the magnetic sensitive sensor and is set under the silicon substrate or formed in the silicon substrate. The magnetic sensor is used to detect the change of the magnetic field and convert the magnetic field change into a voltage difference output.

【技术实现步骤摘要】
OLED显示装置及其压力触控驱动方法
本专利技术的实施例涉及OLED显示装置及其压力触控驱动方法。
技术介绍
在显示装置中实现压力触控以实现更加丰富的触控操作是业内的研究热点以及市场开发的重点。为了实现压力触控，可在显示装置中集成压敏传感器。目前采用电磁感应式的模组叠层结构的压敏传感器大多采用矩形线圈接收感应的方式。但是，这种矩形线圈要么只能用于接收磁性笔发出的较强信号，要么则只能勉强感应到手指触摸微弱信号，而无法对手指压力进行压力等级区分。
技术实现思路
鉴于上述问题，本专利技术的实施例提供了一种有机发光二极管(OLED)显示装置及压力触控驱动方法，以在OLED显示装置中实现更好的压力触控操作。本专利技术的一个实施例提供了一种有机发光二极管(OLED)显示装置，包括：硅基板；形成在所述硅基板上的像素单元和磁敏传感器；磁场发生装置。所述磁场发生装置对应于所述磁敏传感器设置且设置在所述硅基板下方或形成在所述硅基板之中；所述磁敏传感器用于检测磁场变化且将所述磁场变化转化为电压差输出。在所述OLED显示装置的一个示例中，所述磁敏传感器包括第一端、第二端、第三端、第四端，所述第一端与所述第三端相本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光二极管(OLED)显示装置，包括：硅基板；形成在所述硅基板上的像素单元和磁敏传感器；以及磁场发生装置，所述磁场发生装置对应于所述磁敏传感器设置且设置在所述硅基板下方或形成在所述硅基板之中；其中，所述磁敏传感器用于检测磁场变化且将所述磁场变化转化为电压差输出。

【技术特征摘要】
1.一种有机发光二极管(OLED)显示装置，包括：硅基板；形成在所述硅基板上的像素单元和磁敏传感器；以及磁场发生装置，所述磁场发生装置对应于所述磁敏传感器设置且设置在所述硅基板下方或形成在所述硅基板之中；其中，所述磁敏传感器用于检测磁场变化且将所述磁场变化转化为电压差输出。2.如权利要求1所述的OLED显示装置，其中，所述磁敏传感器包括第一端、第二端、第三端、第四端，所述第一端与所述第三端相对设置构成第一对端子，所述第二端与所述第四端相对设置构成第二对端子，所述第一对端子用于接收输入信号而所述第二端端子用于输出感应信号，或者，所述第二对端子用于接收输入信号而所述第一端端子用于输出感应信号。3.如权利要求2所述的OLED显示装置，其中，所述磁敏传感器包括：设置在所述硅基板上的P型半导体衬底、在所述P型半导体衬底上形成的N型半导体区以及在所述N型半导体区上形成的第一n+离子注入区域、第二n+离子注入区域、第三n+离子注入区域和第四n+离子注入区域，所述第一n+离子注入区域对应于所述磁敏传感器的第一端，所述第二n+离子注入区域对应于所述磁敏传感器的第二端，所述第三n+离子注入区域对应于所述磁敏传感器的第三端，所述第四n+离子注入区域对应于所述磁敏传感器的第四端。4.如权利要求3所述的OLED显示装置，其中，所述N型半导体区为正方形N型半导体区，且所述第一n+离子注入区域、所述第二n+离子注入区域、所述第三n+离子注入区域和所述第四n+离子注入区域分别依次设置在所述正方形N型半导体区的四个角。5.如权利要求4所述的OLED显示装置，其中，在所述P型半导体衬底和N型半导体区之间还包括p+离子浅掺杂层，所述p+离子浅掺杂层的面积小于所述N型半导体区的面积，并且所述p+离子浅掺杂层覆盖在所述N型半导体区的中心区域上。6.如权利要求3所述的OLED显示装置，其中，所述像素单元包括像素驱动电路、OLED以及一个或多个电连接层，所述OLED通过所述电连接层连接到像素驱动电路，所述像素驱动电路形成在所述P型半导体衬底中。7.如权利要求1所述的OLED显示装置，其中，所述磁场发生装置包括至少一个通电线圈。8.如权利要求7所述的OLED显示装置，其中，所述至少一个通电线圈包括沿第一方向布置的第一层线圈和沿第二方向布置的第二层线圈，所述第一方向与所述第二方向相交叉，所述第一层线圈和所述第二层线圈的交叠区域对应于所述磁敏传感器。9.如权利要求1所述的OLED显示装置，其中，每个所述磁敏传感器与一个或多个所述像素单元对应设置。10.如权利要求1-9任一所述的OLED显示装置，还包括连接到所述磁敏传感器的信号检测电路。11.如权利要求10所述的OLED显示装置，其中，所述信号检测电路包括电源端、接地端、第一信号检测端和第二信号检测端，所述电源端将所述磁敏传感器的第一端连接与电源连接；所述接地端将所述磁敏传感器的第三端接地；所述第一信号检测端与所述磁敏传感器的第二端连接；所述第二信号检测端与所述磁敏传感器的第四端连接。12.如权利要求11所述的OLED显示装置，其中，所述信号检测电路还包括运算放大器，所述运算放大器的同相输入端接所述第二信号检测端，所述运算放大器的反相输入端接所述第一信号检测端。13.如权利要求11所述的OLED显示装置，其中，所述信号检测电路还包括电源开关元件和控制线，所述电源开关元件的一端接所述电源端，所述电源开关元件的另一端接所述磁敏传感器的第一端，所述电源开关元件的控制端接所述控制线。14.如权利要求13所述的OLED显示装置，还包括栅驱动电路，其中，与所述电源开关元件的控制端连接的控制线连接到所述栅驱动电路且由所述栅驱动电路提供控制信号。15.如权利要求10所述的OLED显示装置，其中，所述信号检测电路包括检测电压输入部分和感应信号输出部分，所述检测电压输入部分连接到所述第一对端子和所述第二对端子，所述感应信号输出部分包括第一输出端和第二输出端，连接到所述第一对端子和所述第二对端子，且可在不同时段分别输出第一检测电压和第二检测电压。16.如权利要求15所述的OLED显示装置，其中，所述第二对端子输出的第一检测电压的感应电压成分和所述第一对端子输出的第二检测电压的感应电压成分极性相反。17.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：王鹏鹏，董学，陈小川，王海生，刘英明，丁小梁，赵卫杰，杨盛际，李昌峰，刘伟，高健，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11