用于可穿戴设备的射频系统技术方案

射频(RF)系统包括RF集成电路(IC)裸片和耦合到RF IC裸片的天线。RF系统还包括位于RF IC裸片之上的反射层，反射层在天线的至少一部分之上延伸，天线与反射层的组合具有辐射图，辐射图包括在与反射层的顶表面平行的第一方向上的主瓣。

Radio frequency systems for wearable devices

【技术实现步骤摘要】
用于可穿戴设备的射频系统
本公开总体涉及电子设备，更具体地涉及具有RF集成电路(RFIC)的射频(RF)系统和被使用在可穿戴设备中的天线系统。
技术介绍
由于诸如硅锗(SiGe)和精细几何互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的低成本半导体技术的飞速发展，毫米波频率系统中的应用在过去几年中受到高度重视。高速双极和金属氧化物半导体(MOS)晶体管的可用性导致了对处于60GHz、77GHz和80GHz以及超过100GHz的毫米波应用的集成电路的不断增长的需求。这样的应用包括例如汽车雷达系统，多千兆比特通信系统以及诸如智能手表、运动监控器和健康监控器的可穿戴消费者设备。在一些雷达系统中，通过发射调频信号、接收调频信号的反射以及基于时间延迟和/或调频信号的发射与接收之间的频率差，来确定雷达与目标之间的距离。因此，一些雷达系统包括用于发射的RF信号的发射天线、用于接收RF的接收天线以及用于生成所发射信号并接收RF信号的相关联的RF电路装置。在一些情况下，可使用多个天线来实现使用相控阵技术的定向波束。
技术实现思路
根据实施例，射频(RF)系统包括RF集成电路(IC)裸片和耦合到RFIC裸片的天线。R本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种射频(RF)系统，包括：RF集成电路(IC)裸片；耦合到所述RF IC裸片的天线；以及位于所述RF IC裸片之上的反射层，所述反射层在所述天线的至少一部分之上延伸，所述天线与所述反射层的组合具有辐射图，所述辐射图包括在与所述反射层的顶表面平行的第一方向上的主瓣。

【技术特征摘要】
2016.07.21 US 15/216,2731.一种射频(RF)系统，包括：RF集成电路(IC)裸片；耦合到所述RFIC裸片的天线；以及位于所述RFIC裸片之上的反射层，所述反射层在所述天线的至少一部分之上延伸，所述天线与所述反射层的组合具有辐射图，所述辐射图包括在与所述反射层的顶表面平行的第一方向上的主瓣。2.根据权利要求1所述的RF系统，其中，所述反射层包括金属或金属合金。3.根据权利要求1所述的RF系统，其中，所述反射层被配置成用作所述RFIC裸片的散热器。4.根据权利要求1所述的RF系统，还包括封装所述RFIC裸片和所述反射层的成型材料。5.根据权利要求1所述的RF系统，其中，所述天线为八木天线。6.根据权利要求1所述的RF系统，其中，所述辐射图具有在与所述第一方向垂直的第二方向上的旁瓣。7.根据权利要求6所述的RF系统，其中，所述反射层被配置成将RF信号的能量从所述第二方向重定向到所述第一方向。8.一种可穿戴设备，包括：壳体，所述壳体具有顶部、底部以及将所述顶部连接到所述底部的侧壁；电路板，所述电路板位于所述壳体内、且位于所述壳体的所述底部之上；射频(RF)系统，所述RF系统被安装在所述电路板上，所述RF系统包括：RF集成电路(IC)裸片；耦合到所述RFIC裸片的天线；以及位于所述RFIC裸片和所述天线之上的反射层；以及显示器，所述显示器被布置在所述RF系统之上，其中所述RF系统的辐射图具有在与所述显示器的顶表面平行的第一方向上的主瓣，并且其中所述第一方向与所述壳体的所述侧壁相交。9.根据权利要求8所述的可穿戴设备，其中，所述RFIC裸片包括被耦合到所述天线的雷达电路装置。10.根据权利要求9所述的可穿戴设备，还包括被耦合到所述RFIC裸片的手势识别处理电路装置。11.根据权利要求8所述的可穿戴设备，其中，所述辐射图具有在与所述第一方向垂直的第二方向上的旁瓣，所述第二方向与所述显示器相交。12.根据权利要求11所述的可穿戴设备，其中，所述主瓣的增益大于所述旁瓣的增益。13.根据权利要求8所述的可穿戴设备，其中，所述壳体的所述顶部...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·特罗塔，A·巴赫蒂，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE