IGBT并联的过温保护机构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种IGBT并联的过温保护机构，其包括第一温度传感器、第二温度传感器、第一温度采集器、第二温度采集器、温度比较器，第一温度传感器的输出端接第一温度采集器，第一温度采集器的输出端接温度比较器的一个输入端；第二温度传感器的输出端接第二温度采集器，第二温度采集器的输出端接温度比较器的另一个输入端。本实用新型专利技术能够提供更高电流密度，均匀热分布，灵活布局，性价比较高，温升一致，不会造成IGBT损坏，IGBT不会频繁的触发过温保护，延长IGBT的使用寿命。

Over temperature protection mechanism of IGBT parallel

The utility model discloses an overtemperature protection mechanism of a IGBT parallel, which comprises a first temperature sensor, a temperature sensor second, the first second temperature acquisition, temperature acquisition, temperature comparator, the first output end of the temperature sensor is connected to a first temperature collector, the first output terminal temperature acquisition temperature of an input end of the comparator second output; the temperature sensor terminal second temperature collector, the output of the second temperature collector terminal temperature comparator input of another. The utility model can provide higher current density, uniform heat distribution, flexible layout, high cost performance and uniform temperature rise, and will not cause IGBT damage. IGBT will not frequently trigger over temperature protection and prolong the service life of IGBT.

【技术实现步骤摘要】
IGBT并联的过温保护机构
本技术涉及一种过温保护机构，特别是涉及一种IGBT并联的过温保护机构。
技术介绍
随着市场对大功率变流器的需求与日俱增，IGBT并联方案目前已成为一种趋势，实现并联难点在于IGBT静态和动态过程的均流问题，如果电流出现不均衡现象，会造成并联的IGBT温升不一致，温升过高的IGBT不及时诊断，最终会造成IGBT损坏。当前，针对IGBT并联的过温保护机构主要有两种：一、在IGBT的散热器上放置热敏电阻采集散热器温度，在温度达到过温保护点后，停止IGBT工作。这种机构只能间接测量热敏电阻附近的IGBT温度，不能正确测量另一个IGBT的温度，会因过温保护失效造成IGBT损坏。二、采集并联的两个IGBT内部的热敏电阻温度，在温度达到过温保护点后，停止IGBT工作。这种可以正常对IGBT进行保护，但在并联的两个IGBT出现不均流情况下，IGBT会频繁的触发过温保护，IGBT频繁的工作在温度临界值，会大大降低IGBT的使用寿命。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种IGBT并联的过温保护机构，其能够提供更高电流密度，均匀热分布，灵活布局，性价比较高，温升一致，不会造成IGBT损坏，IGBT不会频繁的触发过温保护，延长IGBT的使用寿命。本技术是通过下述技术方案来解决上述技术问题的：一种IGBT并联的过温保护机构，其特征在于，其包括第一温度传感器、第二温度传感器、第一温度采集器、第二温度采集器、温度比较器，第一温度传感器的输出端接第一温度采集器，第一温度采集器的输出端接温度比较器的一个输入端；第二温度传感器的输出端接第二温度采集器，第二温度采集器的输出端接温度比较器的另一个输入端。优选地，所述温度比较器为微处理器。优选地，所述第一温度采集器、第二温度采集器都采用电阻分压方式的温度采集器，第一温度采集器或第二温度采集器包括分压电阻、运算放大器，第一温度传感器或第二温度传感器采用测温电阻，分压电阻与测温电阻串联，分压电阻、测温电阻都与运算放大器的正极输入端连接。本技术的积极进步效果在于：本技术能够提供更高电流密度，均匀热分布，灵活布局，性价比较高，温升一致，不会造成IGBT损坏，IGBT不会频繁的触发过温保护，延长IGBT的使用寿命。附图说明图1为本技术IGBT并联的过温保护机构的框图。图2为本技术中温度采集器的实施电路图。具体实施方式下面结合附图给出本技术较佳实施例，以详细说明本技术的技术方案。如图1所示，本技术IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管)并联的过温保护机构包括第一温度传感器、第二温度传感器、第一温度采集器、第二温度采集器、温度比较器，第一温度传感器的输出端接第一温度采集器，第一温度采集器的输出端接温度比较器的一个输入端；第二温度传感器的输出端接第二温度采集器，第二温度采集器的输出端接温度比较器的另一个输入端。第一温度传感器感应第一IGBT温度，输出一种随IGBT温度变化而变化的信号；一般采取测温电阻，测温电阻阻值随IGBT温度的变化而变化；选取IGBT内部封装的测温电阻，或者在IGBT附近增加测温电阻，这样很好的反映IGBT外壳的温度。第二温度传感器感应第二IGBT温度，输出一种随IGBT温度变化而变化的信号；一般采取测温电阻，测温电阻阻值随IGBT温度的变化而变化；选取IGBT内部封装的测温电阻，或者在IGBT附近增加测温电阻，这样很好的反映IGBT外壳的温度。第一温度采集器将第一温度传感器的输出端电阻信号转换为电压信号，一般采用电阻分压方式实施，或采用其他方式实施。第二温度采集器将第二温度传感器的输出端电阻信号转换为电压信号，一般采用电阻分压方式实施，或采用其他方式实施。温度比较器为微处理器(型号可以是TC1797)，微处理器的AD口采集两组IGBT温度，将电压信号转换成数字信号进行对比，在第一组IGBT温度与第一组IGBT温度相差大于等于5℃以上时，由微处理器给出IGBT停止工作信号。温度比较器接收第一温度采集器与第二温度采集器的电压信号，对两种信号相减，结果的绝对值大于等于N则停止IGBT工作，结果的绝对值小于N则IGBT正常工作，这里的N为自然数。如图2所示，第一温度采集器、第二温度采集器都采用电阻分压方式的温度采集器，第一温度采集器或第二温度采集器包括分压电阻R1、运算放大器IC1，第一温度传感器或第二温度传感器采用测温电阻R2，分压电阻R1与测温电阻R2串联，分压电阻R1、测温电阻R2都与运算放大器IC1的正极输入端连接。温度传感器R2随IGBT的温度变化而变化，所以分压电阻R1与测温电阻R2分压后的电压V1随温度变化而变化；电压V1在经过运算放大器IC1后输入温度比较器。综上所述，本技术能够提供更高电流密度，均匀热分布，灵活布局，性价比较高，温升一致，不会造成IGBT损坏，IGBT不会频繁的触发过温保护，延长IGBT的使用寿命。以上所述的具体实施例，对本技术的解决的技术问题、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本技术的具体实施例而已，并不用于限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种IGBT并联的过温保护机构，其特征在于，其包括第一温度传感器、第二温度传感器、第一温度采集器、第二温度采集器、温度比较器，第一温度传感器的输出端接第一温度采集器，第一温度采集器的输出端接温度比较器的一个输入端；第二温度传感器的输出端接第二温度采集器，第二温度采集器的输出端接温度比较器的另一个输入端。

【技术特征摘要】
1.一种IGBT并联的过温保护机构，其特征在于，其包括第一温度传感器、第二温度传感器、第一温度采集器、第二温度采集器、温度比较器，第一温度传感器的输出端接第一温度采集器，第一温度采集器的输出端接温度比较器的一个输入端；第二温度传感器的输出端接第二温度采集器，第二温度采集器的输出端接温度比较器的另一个输入端。2.如权利要求1所述的IGBT并联的过温...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲁克银，马志国，
申请(专利权)人：上海力信电气技术有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31