单体单元制造技术

技术编号:17145221 阅读:51 留言:0更新日期:2018-01-27 17:00
本发明专利技术涉及单体单元。提供一种在配置于通风方向下游以及上游的IGBT单元之间配置单体旁通用IGBT,能够不使冷却性能降低地减少电感的单体单元。是具有多个IGBT模块和单体旁通单元的风冷单体单元,在通风方向下游侧配置第1相用的IGBT模块,在通风方向上游侧配置第2相的IBT模块,上述单体旁通单元被配置在第1相与第2相用的IGBT模块间,将上述第1相用的IGBT模块的输出与单体旁通单元的输入、以及上述第2相用的IGBT模块的输出与单体旁通单元的输出配置为相对来缩短布线长、降低电感且实现小型化。

Monomer unit

The invention relates to a single unit. A single unit which is equipped with a single side common IGBT between the downstream of the ventilation direction and the upstream IGBT units is provided, which can reduce the inductance of the cooling unit without decreasing the cooling performance. Is the air-cooled monomer unit has a plurality of IGBT modules and single bypass unit, IGBT module in the downstream direction of the ventilation configuration of first phase with the ventilation in the direction upstream side of second phase IBT configuration module, the single bypass unit is configured IGBT module in the first phase and second phase with the output, the output configuration the IGBT module IGBT module output of the first phase with the monomer and bypass unit input, and the second phase with the monomer and bypass unit is relative to shorten the length, reduce cloth inductance and realize miniaturization.

【技术实现步骤摘要】
单体单元
本专利技术的实施方式涉及在构成大容量逆变器的主电路具备单体旁通单元部的单体单元。
技术介绍
大容量逆变器有时将被称为单体单元(cellunit)的单相逆变器多个串联连接而构成。在这样的大容量逆变器所使用的单体单元内,多个IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor,绝缘栅双极型晶体管)被作为开关元件而使用。在因构成某一单体单元的IGBT的直流短路等引起的故障时,要求利用某些短路机构使构成大容量逆变器的发生了故障的单体单元的输出短路,绕过故障的单体单元,由此进行大容量逆变器的连续运转。这样的短路机构的单元被称为单体旁通单元。单体旁通单元有时由IGBT构成。图5是构成大容量逆变器的以往型单体单元300(以下称为单体单元300。)的一个例子。图示的单体单元300具有整流二极管部110、平滑电容器部120、IGBT单元部130、散热器140B以及单体旁通单元部200等而构成。IGBT单元部130由包括第1IGBT模块IGBTU1、第2IGBT模块IGBTU2、第3IGBT模块IGBTU3以及第4IGBT模块IGBT4的四个IGBT模块构成。各IGBT模块是本文档来自技高网...
单体单元

【技术保护点】
一种单体单元,是构成大容量逆变器的单相输出的单体单元,其特征在于,具有:构成第1相的IGBT单元;构成第2相的IGBT单元;以及使上述单体单元的输出短路的单体旁通单元,在一个风冷散热器上紧密固定有构成上述构成第1相的IGBT单元的IGBT模块、构成上述构成第2相的IGBT单元的IGBT模块、以及构成上述单体旁通单元的IGBT模块,上述单体旁通单元被配置在上述构成第1相的IGBT单元与上述构成第2相的IGBT单元之间,上述构成第1相的IGBT单元的输出端子与上述单体旁通单元的第1端子配置成相对,上述构成第2相的IGBT单元的输出端子与上述单体旁通单元的第2端子配置成相对,将上述构成第1相的IGB...

【技术特征摘要】
2016.07.15 JP 2016-140453;2017.05.29 JP 2017-105471.一种单体单元,是构成大容量逆变器的单相输出的单体单元,其特征在于,具有:构成第1相的IGBT单元;构成第2相的IGBT单元;以及使上述单体单元的输出短路的单体旁通单元,在一个风冷散热器上紧密固定有构成上述构成第1相的IGBT单元的IGBT模块、构成上述构成第2相的IGBT单元的IGBT模块、以及构成上述单体旁通单元的IGBT模块,上述单体旁通单元被配置在上述构成第1相的IGBT单元与上述构成第2相的IGBT单元之间,上述构成第1相的IGBT单元的输出端子与上述单体旁通单元的第1端子配置成相对,上述构成第2相的IGBT单元的输出端子与上述单体旁通单元的第2端子配置成相对,将上述构成第1相的IGBT单元的输出端子与上述单体旁通单元的第1端子通过母线连接,将上述构成第2相的IGBT单元的输出端子与上述单体旁通单元的第2端子通过母线连接。2.根据权利要求1所述的单体单元,其特征在于,在一个风冷散热器上紧密固定有上述构成第1相的IGBT单元、上述构成第2相的IGBT单元以及上述单体旁通单元,上述单体单元具备切换机构,该切换机构在上述单体单元通常运转...

【专利技术属性】
技术研发人员:杷野满上谷贤司
申请(专利权)人:东芝三菱电机产业系统株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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