一种电源隔离电路与供电装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提出一种电源隔离电路与供电装置，涉及供电技术领域。该电源隔离电路包括控制电路与MOS管，控制电路与MOS管电连接，MOS管的输入端、控制电路均与一电源电连接，MOS管的输出端与一负载电连接，控制电路用于依据MOS管的输出端的电压控制MOS管处于导通或截止状态。发明专利技术提供的电源隔离电路与供电装置具有导通时的损耗小，电源的效率高的优点。

A power isolation circuit and power supply device

An embodiment of the invention provides a power isolation circuit and a power supply device, which relates to the field of power supply technology. The power supply circuit comprises a control circuit and control circuit of MOS tube and MOS tube are electrically connected, MOS tube input, the control circuit is connected with a power supply, the output terminal of the MOS tube and a load control circuit is electrically connected according to the output voltage of MOS pipe end control MOS tubes are turned on or off state. The power supply isolation circuit and power supply device provided by the invention have the advantages of small loss and high efficiency of power supply.

【技术实现步骤摘要】
一种电源隔离电路与供电装置
本专利技术涉及供电
，具体而言，涉及一种电源隔离电路与供电装置。
技术介绍
随着科学技术的飞速发展，半导体行业发展的也突飞猛进，近些年来半导体的集成度也越来越高，芯片制造厂家为了降低芯片功耗，尽可能的将芯片的工作电压做低，同时需要提供的电流就比较大，相比较而言就需要电源提供的电流越来越大。所以，目前普遍采用多台电源并联工作，从而为芯片供电。在多台电源并联供电时，若其中一台电源内部出现故障，则其它电源的点会倒灌到该故障电源中。为了防止倒灌的情况的产生，目前普遍采用在每个电源后方接一二极管，利用二极管的单向导电性防止倒灌的情况的产生。但是，在利用二极管进行隔离时，由于二极管本身压降大约为0.7V，所以二极管导通时的损耗普遍较高，从而使得电源的效率较低。如何解决上述问题，是本领域技术人员关注的重点。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种电源隔离电路，以解决在进行电源隔离时损耗较大的问题。本专利技术的另一目的在于提供一种供电装置，以解决在进行电源隔离时损耗较大的问题。为了实现上述目的，本专利技术实施例采用的技术方案如下：一方面，本专利技术实施例提供了一种电源隔离电路，所述电源隔离电路包括控制电路与MOS管，所述控制电路与所述MOS管电连接，所述MOS管的输入端、所述控制电路均用于与一电源电连接，所述MOS管的输出端用于与一负载电连接，所述控制电路用于依据所述MOS管的输出端的电压控制所述MOS管处于导通或截止状态。进一步地，所述控制电路包括稳压元件与第一三极管，所述稳压元件与所述MOS管的输出端电连接，且所述稳压元件与所述第一三极管的基极电连接，所述第一三极管的集电极与所述MOS管的栅极电连接，所述第一三极管的发射极接地，所述稳压元件用于当所述MOS管的输出端的电压大于预设定的阈值电压时，控制所述第一三极管导通，以使所述MOS管处于截止状态，所述稳压元件还用于当所述MOS管的输出端的电压小于或等于预设定的阈值电压时，控制所述第一三极管断开，以使所述MOS管处于导通状态。进一步地，所述稳压元件包括基准稳压器，所述基准稳压器的参考极与所述MOS管的输出端电连接，所述基准稳压器的阴极与所述第一三极管的基极电连接，所述基准稳压器的阳极接地。进一步地，所述控制电路还包括分压组件，所述分压组件与所述基准稳压器的参考极电连接，且所述MOS管的输出端通过所述分压组件接地。进一步地，所述分压组件包括第一电阻与第二电阻，所述第一电阻的一端与所述MOS管的输出端电连接，所述第一电阻的另一端分别与所述基准稳压器的参考极、所述第二电阻的一端电连接，所述第二电阻的另一端接地，所述第一电阻与所述第二电阻的阻值为预设定比例的阻值。进一步地，所述控制电路还包括补偿电容，所述补偿电容的一端与所述基准稳压器的参考极电连接，所述补偿电容的另一端与所述基准稳压器的阴极电连接。进一步地，所述电源隔离电路还包括电源保护电路，所述电源保护电路分别与所述控制电路电连接，且所述电源保护电路用于与所述电源电连接。进一步地，所述MOS管的数量为两个。进一步地，所述MOS管为N沟道MOS管或P沟道MOS管。第二方面，本专利技术还提供了一种供电装置，所述供电装置包括多个电源与与所述电源数量相同的电源隔离电路，所述电源隔离电路包括控制电路与MOS管，所述控制电路与所述MOS管电连接，所述MOS管的输入端、所述控制电路均用于与一电源电连接，所述MOS管的输出端用于与一负载电连接，所述控制电路用于依据所述MOS管的输出端的电压控制所述MOS管处于导通或截止状态，每个所述电源均与一个所述电源隔离电路电连接，且每个所述电源隔离电路的输出端均与相同负载电连接。相对现有技术，本专利技术具有以下有益效果：本专利技术提供了一种电源隔离电路与供电装置，该电源隔离电路包括控制电路与MOS管，控制电路与MOS管电连接，控制电路用于依据MOS管的输出端的电压控制MOS管处于导通或截止状态。由于在本专利技术中，控制电路能够根据MOS管的输出端的电压控制MOS管的状态，即当电源发生倒灌时，控制电路能够控制MOS管处于截止状态，从而达到了防止电源倒灌的情况的产生。同时，由于MOS管导通时内阻大约为0.35mΩ，使得MOS管在导通时的压降较小，从而使得MOS管在导通时的损耗较小，电源的效率更高。为使本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1示出了本专利技术的一个实施例提供的电源隔离电路的连接框图。图2示出了本专利技术的一个实施例提供的电源隔离电路的电路图。图3示出了本专利技术另一个实施例提供的供电装置的连接框图。图4示出了本专利技术另一个实施例提供的电源与电源隔离电路的连接框图。图标：100-电源隔离电路；110-控制电路；111-基准稳压器；112-第一三极管；113-分压组件；1131-第一电阻；1132-第二电阻；114-补偿电容；120-MOS管；130-电源保护电路；200-供电装置；210-电源。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。下面将结合本专利技术实施例中附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本专利技术的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。下面结合附图，对本专利技术的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施例中的特征可以相互组合。请参照图1，本专利技术实施例提供了一种电源隔离电路100，该电源隔离电路100包括电源保护电路130、控制电路110以及MOS管120，电源保护电路130、控制电路110以及MOS管120依次电连接，电源保护电路130、控制电路110以及MOS管120的输入端均与一电源电连接，MOS管120本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电源隔离电路，其特征在于，所述电源隔离电路包括控制电路与MOS管，所述控制电路与所述MOS管电连接，所述MOS管的输入端、所述控制电路均用于与一电源电连接，所述MOS管的输出端用于与一负载电连接，所述控制电路用于依据所述MOS管的输出端的电压控制所述MOS管处于导通或截止状态。

【技术特征摘要】
1.一种电源隔离电路，其特征在于，所述电源隔离电路包括控制电路与MOS管，所述控制电路与所述MOS管电连接，所述MOS管的输入端、所述控制电路均用于与一电源电连接，所述MOS管的输出端用于与一负载电连接，所述控制电路用于依据所述MOS管的输出端的电压控制所述MOS管处于导通或截止状态。2.如权利要求1所述的电源隔离电路，其特征在于，所述控制电路包括稳压元件与第一三极管，所述稳压元件与所述MOS管的输出端电连接，且所述稳压元件与所述第一三极管的基极电连接，所述第一三极管的集电极与所述MOS管的栅极电连接，所述第一三极管的发射极接地，所述稳压元件用于当所述MOS管的输出端的电压大于预设定的阈值电压时，控制所述第一三极管导通，以使所述MOS管处于截止状态，所述稳压元件还用于当所述MOS管的输出端的电压小于或等于预设定的阈值电压时，控制所述第一三极管断开，以使所述MOS管处于导通状态。3.如权利要求2所述的电源隔离电路，其特征在于，所述稳压元件包括基准稳压器，所述基准稳压器的参考极与所述MOS管的输出端电连接，所述基准稳压器的阴极与所述第一三极管的基极电连接，所述基准稳压器的阳极接地。4.如权利要求3所述的电源隔离电路，其特征在于，所述控制电路还包括分压组件，所述分压组件与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵文全，
申请(专利权)人：上海德朗能电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31