The invention discloses a method for improving SnO2 nanomaterials, according to a certain proportion of SnO2 nano material and reducing agent, placed in a beaker, adding a certain amount of deionized water, 20 ~ 30 min ultrasonic dispersion, mixing 8 ~ 10 h; drying the powder after grinding in tube furnace in an inert atmosphere, the powder is heated to 350 to 500 DEG C, keep the prescribed time, SnO2 gas sensitive material. This method combines SnO2 nano material and reducing agent premixed, then in an inert gas atmosphere heat treatment, through the reduction of heat treatment can regulate SnO2 nano material vacancy defects, to improve the SnO2 carrier concentration and carrier rate of transmission, the invention has the advantages of simple preparation technology, low preparation cost and stable performance. Prepared by the invention, the SnO2 has a wide application prospect in gas sensitive materials, dye-sensitized solar battery light anode, photocatalysis and other fields.
【技术实现步骤摘要】
一种改善SnO2纳米材料气敏性能的方法
本专利技术涉及气敏传感器
，具体是指一种改善SnO2纳米材料气敏性能的方法。
技术介绍
金属氧化物如SnO2、WO3等由于具有性能优异、环境友善、资源丰富、价格低廉等优点，是研究较为广泛的气敏材料。尤其SnO2作为表面型气敏材料，在气敏传感器领域具有非常广阔的应用前景。决定半导体气敏材料灵敏度的关键因素包括：比表面积，通过化学法构建纳米材料，使材料具有较大的比表面积可以增加材料与目标气体的接触，进而提升材料的灵敏度；空位/缺陷调控，通过控制体系氧空位，可以提升目标气体与敏感材料的反应活性，可以提升材料的灵敏度；电学性能调控，可以提升载流子的传输速度，进而提高灵敏度。
技术实现思路
为克服现有技术的不足，本专利技术的目的是提供一种改善SnO2纳米材料气敏性能的方法。通过一种简单的调控SnO2电学性能的方法，可大幅提高SnO2纳米材料的气敏性能。一种改善SnO2纳米材料气敏性能的方法，其特征在于，它包括如下步骤：按SnO2与还原剂的摩尔比为1:2～2:1取SnO2纳米材料和还原剂，置于烧杯中，加入一定量的去离子水，超声20～3...
【技术保护点】
一种改善SnO2纳米材料气敏性能的方法，其特征在于，包括如下步骤：按SnO2与还原剂的摩尔比为1:2～2:1取SnO2纳米材料和还原剂，置于烧杯中，加入去离子水，超声20～30 min分散，搅拌8～10 h；干燥，将所得粉末研磨后置于管式炉中，在惰性气氛中将粉末加热至350～500 ℃，保温时间为2～6小时，得到SnO2气敏材料。
【技术特征摘要】
1.一种改善SnO2纳米材料气敏性能的方法，其特征在于，包括如下步骤：按SnO2与还原剂的摩尔比为1:2～2:1取SnO2纳米材料和还原剂，置于烧杯中，加入去离子水，超声20～30min分散，搅拌8～10h；干燥，将所得粉末研磨后置于管式炉中，在惰性气氛中将粉末加热至350～500℃，保温时间为2～6小时，得到SnO2气敏材料。2.根据权利要求1所述的一种改善SnO2...
【专利技术属性】
技术研发人员：何丹农，葛美英，尹桂林，孙健武，张芳，金彩虹，
申请(专利权)人：上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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