三电平四象限功率单元模块及变频器制造技术

技术编号:17113821 阅读:48 留言:0更新日期:2018-01-24 23:26
本实用新型专利技术提供了一种三电平四象限功率单元模块及变频器,所述功率单元模块包括散热器、第一半导体开关元件、第二半导体开关元件、第三半导体开关元件、第四半导体开关元件以及一个整流二极管元件;其中:所述第一半导体开关元件、第二半导体开关元件、所述第三半导体开关元件、第四半导体开关元件以及整流二极管元件以排列成直线的方式贴于散热器的同一侧散热面。本实用新型专利技术根据电流的流向将四个半导体开关元件及整流二极管元件在散热器的一个散热面上按直线形排列,从而利于叠层母排设计,可有效降低换流回路的杂散电感。

Three four quadrant power module and inverter

The utility model provides a three level Four Quadrant power module and inverter, the power module comprises a radiator, a first semiconductor switching element and a second semiconductor switch element and the third semiconductor switching element and a fourth semiconductor switch element and a rectifying diode element; wherein one side of the radiating surface of the first semiconductor switching element second, the third semiconductor switching element, semiconductor switching element, a fourth semiconductor switch element and a rectifier diode element affixed to the radiator to become aligned way. The utility model according to the current flow of the four semiconductor switches and rectifier diode element in a radiating surface of the radiator according to the linear arrangement, thereby facilitating the laminated busbar design, can effectively reduce the stray inductance of commutation circuit.

【技术实现步骤摘要】
三电平四象限功率单元模块及变频器
本技术涉及变频器领域,更具体地说,涉及一种三电平四象限功率单元模块及变频器。
技术介绍
功率模块是中高压大电流三电平四相限变频器整机中的核心部件。如图1所述,上述功率模块通常由四个半导体开关元件11、12、13、14及整流二极管器件15(该整流二极管器件15包括两个二极管)构成,上述半导体开关元件通常采用IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor,绝缘栅双极型晶体管)。作为功率模块中的关键器件的半导体开关元件11、12、13、14的载流能力是否被合理充分利用,决定了产品的竞争力,而载流能力往往受限于电气连接母排的杂散电感。如图2所示,是具有四个半导体开关元件11、12、13、14和两个整流二极管器件15的功率模块的结构示意图。在该功率模块中,四个半导体开关元件11、12、13、14和两个整流二极管器件15以梅花形平面分布在散热器16上,功率模块内部的相互换流通过叠层母排实现。然而,如图3-6所示,上述功率模块中,由于半导体开关元件11、12、13、14和整流二极管器件15的位置关系,使得内部换流回路整体较长,从而导致杂散电本文档来自技高网...
三电平四象限功率单元模块及变频器

【技术保护点】
一种三电平四象限功率单元模块,其特征在于,包括散热器、第一半导体开关元件、第二半导体开关元件、第三半导体开关元件、第四半导体开关元件以及一个整流二极管元件;其中:所述第一半导体开关元件、所述第二半导体开关元件、所述第三半导体开关元件、所述第四半导体开关元件以及所述整流二极管元件以排列成直线的方式贴于所述散热器的同一侧散热面。

【技术特征摘要】
1.一种三电平四象限功率单元模块,其特征在于,包括散热器、第一半导体开关元件、第二半导体开关元件、第三半导体开关元件、第四半导体开关元件以及一个整流二极管元件;其中:所述第一半导体开关元件、所述第二半导体开关元件、所述第三半导体开关元件、所述第四半导体开关元件以及所述整流二极管元件以排列成直线的方式贴于所述散热器的同一侧散热面。2.根据权利要求1所述的三电平四象限功率单元模块,其特征在于,所述散热器的宽度与所述第一半导体开关元件的宽度匹配。3.根据权利要求1所述的三电平四象限功率单元模块,其特征在于,所述第一半导体开关元件、所述第二半导体开关元件、所述整流二极管元件、所述第三半导体开关元件和所述第四半导体开关元件在所述散热器上依次排列。4.根据权利要求3所述的三电平四象限功率单元模块,其特征在于,所述第一半导体开关元件、所述第二半导体开关元件、所述第三半导体开关元件、所述第四半导体开关元件以及所述整流二极管元件之间通过叠层设置的P直流铜排、N直流铜排、O直流铜排、L交流铜排、第一连接铜排以及第二连接铜排电连接。5.根据权利要求4所述的三电平四象限功率单元模块,其特征在于,所述第一半导体开关元件、所述第二半导体开关元件、所述第三半导体开关元件、所述第四半导体开关元件分别为绝缘栅双极型晶体管。6.根据权利要求5所述的三电平四象限功率单元模块,其特征在于,所述整流二极管元件包括第一二极管和第二二极管;所述第一连接铜排分别与第一二极管的阴极、所述第一半导体开关元件的发射极、所述第二半导体开关元件的集电极电连接;所述第二连接铜排分别与所述第二二极管的阳极、所述第三半导体开关元件的发射极、所述第四半导体开关元件的集电极连接;所述P直流铜排与所述第一半导体开关元件的集电极电连接;所述O直流铜排分别与所述第一二极管的阳极、所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员:李玉相
申请(专利权)人:苏州汇川技术有限公司
类型:新型
国别省市:江苏,32

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