可控硅导通角新型传感器控制方法技术

本发明专利技术涉及一种可控硅导通角新型传感器控制方法，其特征在于：在可控硅控制回路中，R4与R4’并联连接组成，在可控硅整流器恒流能源设备电路中，包括：可控硅整流器的控制回路中与可控硅整流器的主电路触发极连接，可控硅整流器的主电路供恒流设备用能。通过利用新型传感器，就不需要更换大功率可控硅或改变变压器调节控制电压，就能方便有效的控制可控硅的导通角，从而达到恒流供能设备的成本降低的目的。

【技术实现步骤摘要】
可控硅导通角新型传感器控制方法
本专利技术涉及可控硅整流器领域，尤其是可控硅导通角新型传感器控制方法，供恒流用电设备用能。
技术介绍
目前利用可控硅整流器恒流供应能源，实际使用可控硅的功率比额定功率大得多，如果利用变压器调节控制电压，设备费用也要大大增加，只有用新型传感器控制可控硅起始导通角，就能大大降低恒流供能设备的成本。
技术实现思路
本专利技术目的是解决可控硅整流器恒流供能设备成本过高的问题，通过利用新型传感器(附加有半可变电阻R4’)与R4并联连接，就不需要更换大功率可控硅或改变变压器调节控制电压，只要一个很小的电子元件R4’，就能方便有效的控制可控硅的导通角，从而达到恒流供能设备的成本降低的目的。附图说明图1为可控硅整流器的控制回路图，图中标记为：R4’为附加电阻。具体实施方式如图1所示，图中R4’附加电阻在电路中传感信号触发可控硅导通角的改变，起着关键和重要的作用。如在太阳能发电站的辅助能源供电设备中，从供能设备开始供电直到供能设备供电功率最大，始终和发电实施电流相同。这种供能设备需要恒流装置，如果可控硅开始供能电压很低，可控硅导通角就很小，容易烧坏可控硅，如果更换大功率可控本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可控硅导通角新型传感器控制方法，其特征在于：在可控硅控制回路中，R4与R4’并联连接组成，在可控硅整流器恒流能源设备电路中，包括：可控硅整流器的控制回路中与可控硅整流器的主电路触发极连接，可控硅整流器的主电路供恒流设备用能。

【技术特征摘要】
1.一种可控硅导通角新型传感器控制方法，其特征在于：在可控硅控制回路中，R4与R4’并联连接组成，在可控硅整流器恒流能源设备电路中，包括：可控硅整流器的控制回路中与可控硅整流器的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王日晟，殷志祥，
申请(专利权)人：安徽理工大学，
类型：发明
国别省市：安徽,34