The pressure sensor of the present invention inhibits the deviation of the drift amount of the zero point output from the sensor of the pipe and the pressure sensor by the clamp to connect the pipe to the pressure sensor. The pressure sensor of the invention (100) in plane view through the diaphragm (3) in the center (30) and 2 lines (21, 22) orthogonal configuration respectively on the semiconductor chip (1a, 1b), and in supporting the semiconductor chip (1a) of the 2 support member and the support member ((2a) 2b) the area between the formation of resistance (R1, R2), in support of the semiconductor chip (1b) of the 2 support member (2C) and the support member (2D) between the regional resistance (R3, R4) formed.
【技术实现步骤摘要】
压力传感器
本专利技术涉及一种压力传感器,例如涉及一种卫生用压力传感器。
技术介绍
通常,检测流体的压力的压力传感器要被认可为在需要考虑卫生的食品、医药品等的生产车间等当中所使用的卫生用压力传感器,必须满足有关耐腐蚀性、洁净性、可靠性及通用性等的严格要求。例如,就耐腐蚀性而言,卫生用压力传感器必须对与压力的测定对象流体(例如液体)接触的液体接触部分使用不锈钢(SUS)、陶瓷以及钛等耐腐蚀性较高的材料。此外,就洁净性而言,卫生用压力传感器必须具有易于清洁的平膜片结构,而且必须具有对于蒸气清洁的高耐热冲击性。此外,就可靠性而言,卫生用压力传感器必须具有不使用封固剂的结构(无油结构)以及膜片不易破裂的结构(屏障高刚性)。如此,卫生用压力传感器所使用的材料、结构与其他压力传感器相比是受到限制的,因此不容易实现高灵敏度化。例如,要实现膜片不易破裂的结构,就必须增大膜片的膜厚(减小膜片的直径相对于厚度的高宽比),但通常而言,若增大膜片的膜厚,则膜片的变形量变得微小,从而存在传感器灵敏度降低的问题。因此,在卫生用压力传感器中,一直在寻求用以高精度地检测膜片的微小的变形的技术。例如,在专利文献1、2中揭示有如下荷载转换型压力传感器:仅将膜片的中心部分的位移传递至形成有由扩散电阻构成的应变计的Si等的半导体芯片(梁构件),对由基于上述半导体芯片的形变的压阻效应引起的扩散电阻的电阻值的变化进行检测,由此实现了传感器的高灵敏度化。具体而言,在专利文献1、2中所揭示的以往的荷载转换型压力传感器中,是在膜片的中心部分支承俯视时为长方形形状的半导体芯片的中心部分,而且将上述半导体芯片 ...
【技术保护点】
一种压力传感器,其特征在于,具有:膜片,所述膜片具有承受测定对象流体的压力的第1主面和所述第1主面的相反侧的第2主面;第1基座,所述第1基座在俯视时与所述膜片同心圆状地设置于所述第2主面的变形区域,所述变形区域是施加于所述第1主面的压力比施加于所述第2主面的压力大时所述膜片发生变形的区域,所述第1基座从所述第2主面向垂直方向突出;第2基座,所述第2基座在俯视时与所述膜片同心圆状地设置于所述变形区域,所述第2基座从所述第2主面向垂直方向突出,并且直径比所述第1基座大;第1半导体芯片,所述第1半导体芯片在一个面形成有构成应变计的第1电阻以及第2电阻;第2半导体芯片,所述第2半导体芯片在一个面形成有构成应变计的第3电阻以及第4电阻;第1结构体,所述第1结构体的一端在俯视时被接合于通过所述膜片的所述第2主面的中心的第1直线上的所述第1基座上,另一端被接合于所述第1半导体芯片的另一面,从而所述第1结构体被垂直设置;第2结构体,所述第2结构体的一端在俯视时被接合于所述第1直线上的所述第2基座上,另一端被接合于所述第1半导体芯片的另一面,从而所述第2结构体被垂直设置;第3结构体,所述第3结构体的一端 ...
【技术特征摘要】
2016.07.08 JP 2016-1358941.一种压力传感器,其特征在于,具有:膜片,所述膜片具有承受测定对象流体的压力的第1主面和所述第1主面的相反侧的第2主面;第1基座,所述第1基座在俯视时与所述膜片同心圆状地设置于所述第2主面的变形区域,所述变形区域是施加于所述第1主面的压力比施加于所述第2主面的压力大时所述膜片发生变形的区域,所述第1基座从所述第2主面向垂直方向突出;第2基座,所述第2基座在俯视时与所述膜片同心圆状地设置于所述变形区域,所述第2基座从所述第2主面向垂直方向突出,并且直径比所述第1基座大;第1半导体芯片,所述第1半导体芯片在一个面形成有构成应变计的第1电阻以及第2电阻;第2半导体芯片,所述第2半导体芯片在一个面形成有构成应变计的第3电阻以及第4电阻;第1结构体,所述第1结构体的一端在俯视时被接合于通过所述膜片的所述第2主面的中心的第1直线上的所述第1基座上,另一端被接合于所述第1半导体芯片的另一面,从而所述第1结构体被垂直设置;第2结构体,所述第2结构体的一端在俯视时被接合于所述第1直线上的所述第2基座上,另一端被接合于所述第1半导体芯片的另一面,从而所述第2结构体被垂直设置;第3结构体,所述第3结构体的一端在俯视时被接合于通过所述第2主面的中心并与所述第1直线正交的第2直线上的所述第1基座上,另一端被接合于所述第2半导体芯片的另一面,从而所述第3结构体被垂直设置;以及第4结构体,所述第4结构体的一端在俯视时被接合于所述第2直线上的所述第2基座上,另一端被接合于所述第2半导体芯片的另一面,从而所述第4结构体被垂直设置,在所述第1半导体芯片上,所述第1电阻以及所述第2电阻在俯视时被形成于接合有所述第1结构体的接合面与接合有所述第2结构体的接合面之间的区域,在所述第2半导体芯片上,所述第3电阻以及所述第4电阻在俯视时被形成于接合有所述第3结构体的接合面与接合有所述第4结构体的接合面之间的区域。2.根据权利要求1所述的压力传感器,其特征在于,所述第1半导体芯片被形成为长方形形状,且以所述第1半导体芯片的长边与所述第1直线平行的方式配置,所述第2半导体芯片被形成为长方形形状,且以所述第2半导体芯片的长边与所述第2直线平行的方式配置,所述第1电阻和所述第2电阻在与所述第1半导体芯片的短边平行的方向上排列配置,且向相...
【专利技术属性】
技术研发人员:濑户祐希,小笠原里奈,
申请(专利权)人:阿自倍尔株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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