一种制造隐形花纹陶瓷制品的工艺制造技术

本发明专利技术提供一种制造隐形花纹陶瓷制品的工艺，将高岭土与水混合后经搅拌、静置澄清、球磨、过筛后得细泥，将细泥定型得到粗坯体，利坯后得到坯体，采用高岭土、氧化硅、氧化铝、硅灰石、水制得釉水，将坯体进行整坯后进行素烧得到素坯，然后在素坯表面刻制花纹，接着上釉并干燥，入窑后进行高温烧制，出窑后进行选瓷、打磨得到隐形花纹陶瓷制品。采用本发明专利技术工艺制得的隐形花纹陶瓷制品，其纹路与坯体界限隐隐约约、若隐若现，使人难以肉眼发现，仔细观察方可见，手触花纹之上有凹凸感，同时具有一定的耐磨性、热稳定性与抗水性，可制造成为陶瓷餐具，陶瓷板，陶瓷砖以及陶瓷工艺品等制品，改变花纹的样式，可赋予陶瓷制品特殊的纪念意义与价值。

【技术实现步骤摘要】
一种制造隐形花纹陶瓷制品的工艺
本专利技术属于陶瓷制造
，具体涉及一种制造隐形花纹陶瓷制品的工艺。
技术介绍
陶瓷制品的造型优美、手感光滑细腻、色彩清亮明丽且便于清洗，具有经受一定温差的急热骤冷变化不易炸裂的性能，它是热的不良导体，传热缓慢，且经久耐用，耐酸、碱、盐及大气中碳酸气侵蚀，不生锈老化，因此深受人们欢迎。古往今来，陶瓷制造者会在陶瓷制品上刻制花纹，或花鸟虫鱼，或山河日月，或诗词名言，赋予了陶瓷制品不同的寓意，还使其内涵与价值得以提升。而陶瓷制品上刻制花纹后，其纹路处与制品本身产生凹陷或凸起，在上釉时容易导致釉水在花纹处聚集，从而使釉层不均匀，即使上釉均匀，在高温烧制陶瓷制品过程中，釉层熔化后也容易在花纹处聚集，从而使釉层不均匀。另外，当刻制的花纹纹路较浅时，上釉时，液态的釉水将花纹的纹路进行填充，使花纹处釉面呈现平整光滑观感与手感，且在高温烧结时，花纹处容易出现变形，从而使烧成陶瓷制品的花纹发生变形，甚至消失。
技术实现思路
基于以上现有技术，本专利技术的目的在于提供一种制造隐形花纹陶瓷制品的工艺，制得的隐形花纹陶瓷制品，其纹路与坯体界限隐隐约约、若隐若现，使人难以肉眼发现，仔细观察方可见，手触花纹之上有凹凸感，同时具有一定的耐磨性、热稳定性与抗水性，可制造成为陶瓷餐具，陶瓷板，陶瓷砖以及陶瓷工艺品等制品，改变花纹的样式，可赋予陶瓷制品特殊的记念意义与价值。为了实现以上目的，本专利技术采用的技术方案为：一种制造隐形花纹陶瓷制品的工艺，包括以下步骤：步骤1：按照重量比为1：2～4的比例将高岭土与水混合，以200～300r/min的速率搅拌1～2小时，静置澄清后，取下层的沉淀泥料并以60～100r/min的速率球磨1～2小时，之后过100～400目筛，得到细泥，调节细泥的含水率为40～50％，之后定型得到粗坯体，利坯后得到坯体；步骤2：将20～25重量份的高岭土、20～25重量份的氧化硅、15～20份的氧化铝、10～15重量份的硅灰石混合后加水球磨，然后过1200～1500目筛，调节其含水率为65～70％，得到釉水；步骤3：将坯体进行整坯后在700～850℃的条件下烧制7～8小时，得到素坯，然后在素坯表面刻制深度为0.1～2mm的花纹，接着采用步骤2得到的釉水进行上釉并干燥，入窑后在1300～1400℃下烧制，出窑后进行选瓷、打磨得到隐形花纹陶瓷制品。本专利技术提供的制造隐形花纹陶瓷制品的工艺，采用高岭土作为坯体原料，经过200～300r/min的速率搅拌、静置沉淀后再将沉淀的泥料进行球磨，从而得到可塑性与粘性皆高的细泥，定型后成为粗坯体，利坯后得到坯体。将高岭土、氧化硅、氧化铝、硅灰石混合后加水球磨，球磨处理后制得粒度为微米级、含水率为65～70％的釉水，制得的釉水具备高粘结性与附着度。将坯体进行整坯后先在700～850℃的条件下烧制成为素坯，这样烧制成的素坯体具备一定的强度，在素坯表面刻制深度为0.1～2mm的花纹时，不易对坯体其它部位进行损坏，上釉后釉水中的水分浸入素坯体中不会使其变形，还能增加釉水的干燥速度，使花纹处釉水均匀的覆于花纹纹路之中，避免具有流动性的釉水对花纹纹路进行填充。本专利技术提供的釉水，具有与将坯体素烧成为素坯后相近的热膨胀性，在高温烧制过程中，坯体与釉水的膨胀与收缩效果是基本同步的，从而使烧成的陶瓷表面的釉层厚度趋于均匀且无裂纹产生，提高陶瓷制品的耐磨性、热稳定性与抗水性，且烧制过程中上釉后的素坯体也不会发生变形，从而提高陶瓷制品的烧成率。作为优化，所述步骤1中调节细泥的含水率后在6～8MPa的压力下定型得到粗坯体，在定型的时候施加一定的压力，可以提高粗坯体的致密度与内聚度，减少其在烧制过程中的热膨胀，同时减少刻制花纹的纹理在烧制过程中的变形。作为优化，所述步骤2中配制釉水过程中，还要加入8～15重量份的颜料，制得不同颜色的釉水，所述颜料为市面上常见的陶瓷釉用色料即可，可以是釉用包裹红颜料、氧化铁红颜料、钴蓝色料、钴绿色料、钒锆黄颜料、氧化锰颜料。作为优化，所述步骤3中在坯体上雕刻的花纹可以是单面雕刻，也可以是双面雕刻，根据坯体的形状，在坯体的内外或前后两面雕刻花纹后制成双面隐形花纹陶瓷制品，当观看其上一面的花纹时，另一面雕刻的花纹不会显现，从而影响美观。作为优化，所述步骤3中上釉干燥后釉层厚度为0.1mm～2mm，优选采用刷釉法或喷釉法进行上釉，这样得到的釉层较均匀，且不会对素坯上刻制花纹的纹路进行填充。作为优化，所述步骤3中上釉干燥采用的方法为：将上釉后的坯体在温度为15～50℃、湿度为25～80％的条件下静置干燥。作为优化，所述步骤3中上釉干燥采用的方法为：将上釉后的坯体在温度为20～45℃、真空度为0～0.3MPa的条件下静置干燥，一定的真空度可除去釉层中可能存在的气泡，使釉层更致密，使烧成陶瓷制品的耐磨性与抗水性更好。作为进一步优化，其特征在于，所述静置干燥的时间为48～120小时。作为优化，所述步骤3中入窑后进行烧制的过程为：从常温以1～1.5℃/10min的速率升温至1150～1250℃，然后保温50～80分钟，接着以1.1～1.2℃/10min的速率升温至1300～1400℃，保温20～40分钟，最后自然降温至室温。作为进一步优化，所述步骤3中入窑后进行烧制的过程为：从常温以1.2℃/10min的速率升温至1200℃，然后保温60分钟，接着以1.17℃/10min的速率升温至1340℃，保温30分钟，最后自然降温至室温。作为优化，所述步骤3中选瓷后采用600～1000目水砂轮机进行打磨，除去陶瓷制品上多余的边角毛刺，使陶瓷制品整体平整光滑。有益效果本专利技术的有益效果是：(1)、采用高岭土作为坯体原料，经过搅拌、静置沉淀后再将沉淀的泥料进行球磨，从而得到可塑性与粘性皆高的细泥，定型、利坯后得到整体强度与内聚度皆高的坯体；(2)、采用高岭土、氧化硅、氧化铝、硅灰石、水作为原料，经球磨处理后制得粒度为微米级的釉水，制得的釉水具有高粘结性与附着度，另外，本专利技术提供的釉水，具有与将坯体素烧成为素坯后相近的热膨胀性，在高温烧制过程中，坯体与釉水的膨胀与收缩效果是基本同步的，从而使烧成的陶瓷表面的釉层厚度趋于均匀且无裂纹产生，提高陶瓷制品的耐磨性、热稳定性与抗水性；(3)、将坯体进行整坯后先烧制成为具备一定的强度的素坯，然后在素坯表面刻制花纹时，不易对坯体其它部位进行损坏，且上釉后不会因釉水中的水分浸入坯体中而造成坯体变形，入窑烧制过程中也不易变形从而提高陶瓷制品的烧成率，还能保证烧制出的陶瓷制品上具有隐形花纹的效果；(4)、采用本专利技术提供的工艺制得的隐形花纹陶瓷制品，其花纹纹路与坯体界限隐隐约约、若隐若现，日常光线下直视花纹处难以肉眼发现其纹路，改变光线或转动制品并仔细观察方可显现，手触花纹之处有凹凸手感，达到花纹隐形的效果，可制造成为陶瓷餐具，陶瓷板，陶瓷砖以及陶瓷工艺品等制品，改变花纹的样式，可赋予陶瓷制品特殊的记念意义与价值。具体实施方式下面结合具体实施例对本专利技术作进一步详细说明。实施例1本实施例提供一种制造隐形花纹陶瓷制品的工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：按照重量比为1：2的比例将高岭土与水混合，以200r/min的速率搅拌2小时，静置澄清后，取下层的沉本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造隐形花纹陶瓷制品的工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：按照重量比为1：2～4的比例将高岭土与水混合，以200～300r/min的速率搅拌1～2小时，静置澄清后，取下层的沉淀泥料并以60～100r/min的速率球磨1～2小时，之后过100～400目筛，得到细泥，调节细泥的含水率为40～50%，之后定型得到粗坯体，利坯后得到坯体；步骤2：将20～25重量份的高岭土、20～25重量份的氧化硅、15～20份的氧化铝、10～15重量份的硅灰石混合后加水球磨，然后过1200～1500目筛，调节其含水量为65～70%，得到釉水；步骤3：将坯体进行整坯后在700～850℃的条件下烧制7～8小时，得到素坯，然后在素坯表面刻制深度为0.1～2mm的花纹，接着采用步骤2得到的釉水进行上釉并干燥，入窑后在1300～1400℃下烧制，出窑后进行选瓷、打磨得到隐形花纹陶瓷制品。

【技术特征摘要】
1.一种制造隐形花纹陶瓷制品的工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：按照重量比为1：2～4的比例将高岭土与水混合，以200～300r/min的速率搅拌1～2小时，静置澄清后，取下层的沉淀泥料并以60～100r/min的速率球磨1～2小时，之后过100～400目筛，得到细泥，调节细泥的含水率为40～50%，之后定型得到粗坯体，利坯后得到坯体；步骤2：将20～25重量份的高岭土、20～25重量份的氧化硅、15～20份的氧化铝、10～15重量份的硅灰石混合后加水球磨，然后过1200～1500目筛，调节其含水量为65～70%，得到釉水；步骤3：将坯体进行整坯后在700～850℃的条件下烧制7～8小时，得到素坯，然后在素坯表面刻制深度为0.1～2mm的花纹，接着采用步骤2得到的釉水进行上釉并干燥，入窑后在1300～1400℃下烧制，出窑后进行选瓷、打磨得到隐形花纹陶瓷制品。2.根据权利要求1所述制造隐形花纹陶瓷制品的工艺，其特征在于，所述步骤1中调节细泥的含水率后在6～8MPa的压力下定型得到粗坯体。3.根据权利要求1所述制造隐形花纹陶瓷制品的工艺，其特征在于，所述步骤3中上釉干燥后釉层厚度为0.1mm～2mm。4.根据权利要求1所述制造隐形花纹陶瓷制品的工艺...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖永建，
申请(专利权)人：福建省中科养生健康瓷有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35