导体粗糙面散射问题中的电场计算方法及装置制造方法及图纸

本申请提供一种导体粗糙面散射问题中的电场计算方法及装置。该方法包括：选取长度为L的导体粗糙面上等间隔的M个离散坐标点，M＝2

【技术实现步骤摘要】
导体粗糙面散射问题中的电场计算方法及装置
本申请涉及通信
，尤其涉及一种导体粗糙面散射问题中的电场计算方法及装置。
技术介绍
粗糙面的电磁散射具有广泛的应用领域，如遥感、海洋地理学、通信、材料科学、医学成像等。一般地，粗糙面的电场为入射场与散射场的和，入射场为已知函数，其计算公式如下其中，其中，k为电磁波在真空中的波数，g为锥型因子，θi为电磁波的入射角。粗糙面的散射场的计算方法主要分为两大类：解析法和数值法，解析法是基于明确的物理概念和准确的数学推导所建立的计算方法。微扰法是一种经典的解析法，它的应用领域为表面微粗糙的粗糙面。微扰法包括传统微扰法和经典微扰法，现有技术中，通过经典微扰法计算粗糙面的散射场的计算公式为：其中，和分别为0阶散射场、1阶散射场和2阶散射场；r为位置矢量，kix＝ksinθi，kiz＝kcosθi，θi为入射角，k为电磁波在真空中的波数；F(kx)是f(x)的傅立叶变换对；W(kix-kx)是高斯谱的谱函数，h为均方根高度，l为相关长度；kx是k的x方向分量，kz是k的z方向分量，k、kx和kz之间的关系为从上述计算过程可见，经典微扰法求解积分的维数随本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种导体粗糙面散射问题中的电场计算方法，其特征在于，包括：选取长度为L的导体粗糙面上等间隔的M个离散坐标点，M＝2

【技术特征摘要】
1.一种导体粗糙面散射问题中的电场计算方法，其特征在于，包括：选取长度为L的导体粗糙面上等间隔的M个离散坐标点，M＝2N，N为正整数；根据所述M个离散坐标点的横坐标与纵坐标分别计算0阶散射场至n阶散射场，n为所要计算的电场的目标阶数；计算所得到的每一阶散射场的z轴方向上的一阶偏导至z轴方向上的n阶偏导；根据入射场和所得到的每一阶散射场的z轴方向上的一阶偏导至z轴方向上的n阶偏导与n阶电场表达式计算所述导体粗糙面的n阶电场ψn(r)；n阶电场表达式为：其中，ψi(r)是入射场，是l阶散射场，l∈{0,1,2，...n}，r为位置矢量，x为离散坐标点的横坐标，z、f为离散坐标点的纵坐标。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述M个离散坐标点的横坐标与纵坐标计算0阶散射场至n阶散射场，包括：根据所述M个离散坐标点的横坐标与纵坐标和如下公式计算n阶散射场3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述计算所得到的每一阶散射场的z轴方向上的一阶偏导至z轴方向上的n阶偏导，包括：根据计算出的n阶散射场计算谱密度函数An(kx)：根据计算出的An(kx)和如下公式计算所得到的每一阶散射场的z轴方向上的m阶偏导其中，x为离散坐标点的横坐标，k为电磁波在真空中的波数，kx是k的x方向分量，kz是k的z方向分量，i为虚数单位。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，还包括：根据所述谱密度函数An(kx)通过公式(1)计算所得到的每一阶散射场的x轴方向上的一阶偏导：通过公式(2)计算所述n阶电场ψn(r)在x轴方向上的偏导：通过公式(3)计算所述n阶电场ψn(r)在z轴方向上的偏导：根据所述谱密度函数An(kx)通过公式(4)计算n阶散射场在x轴方向上和z轴方向上的混合偏导：根据和通过公式(5)计算所述导体粗糙面上任意一点的法线方向ns对应的方向导数根据通过公式(6)和(7)计算所述导体粗糙面的双站散射系数σn(taperedwave)(θi,θs)：其中，θi为入射角，θs为散射角，L为粗糙面长度，g...

【专利技术属性】
技术研发人员：王青，雷振亚，顾宸光，袁浩波，李磊，侯建强，杨锐，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61