共直流母线半导体封装设备的直线电机驱动装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种共直流母线半导体封装设备的直线电机驱动装置，在驱动器应用的设备上提供一个由市电经过整流桥、滤波后的直流电源箱，然后把所有的驱动器的电源都并联在电源箱上；同时，再取消放电电路，因此，减少驱动器发热。在电机做加减速的运动时候，由于各个驱动器的电源并在一起，电机在减速过程中产生的电量可以回馈给直流电源箱，供给其它电机使用，耗能更低。

【技术实现步骤摘要】
共直流母线半导体封装设备的直线电机驱动装置
本技术涉及自动化设备，具体的说是涉及一种共直流母线半导体封装设备的直线电机驱动装置。
技术介绍
目前，三相直流电机的功率驱动单元的供电模式是由交流电经过整流桥和电容滤波后变成直流电，然后三相PWM经过逆变电路转成可控制相位的三相交流输出，直接驱动电机。电机是由线圈绕组组成，其在做梯形曲线或者S型曲线运动的过程中，加速运动的时候，消耗电量，输入电容的稳压电容放电，导致逆变电路的供给电压会被拉低。在停止的过程中，线圈在切割磁感线的过程中产生电量，使驱动器的输入电源稳压电容充电，逆变电路的供给电压上升，直流电源的不稳定造成电机动态性能下降。部分驱动器厂家会加上泄电措施，当电压超过一定的值的时候，打开放电开关，使电压下降到合适的电压值后，再关闭放电功能。其不足之处主要存在三点：1.增加放电电路增加成本，能耗增加。2.在放电电路工作的时候，会发出大量的热量。3.加速减速的运动过程中，直流电源的电压不稳定，动态性能下降。
技术实现思路
针对现有技术中的不足，为了克服驱动器驱动电机的过程中造成不必要的能量损耗，减少材料成本。增加直流电源的稳定性。本技术要解决的技术问题在于提供了一种共直流母线半导体封装设备的直线电机驱动装置。为解决上述技术问题，本技术通过以下方案来实现：共直流母线半导体封装设备的直线电机驱动装置，在驱动器应用的设备上提供一个由市电经过整流桥、滤波后的直流电源箱，然后把所有的驱动器的电源都并联在电源箱上；驱动器直接直流输入；所述驱动器的内部设置有逆变电路，该逆变电路与外部电机连接；所述外部电机的U、V、W端分别连接到驱动器内部功率管模块的逆变电路U、V、W端；所述外部电机的U端连接到IGBT晶体管Q1的发射极、IGBT晶体管Q2的集电极，IGBT晶体管Q1和IGBT晶体管Q2的集电极和发射极之间分别并联一个续流二极管；所述外部电机的V端连接到IGBT晶体管Q3的发射极、IGBT晶体管Q4的集电极，IGBT晶体管Q3和IGBT晶体管Q4的集电极和发射极之间分别并联一个续流二极管；所述外部电机的W端连接到IGBT晶体管Q5的发射极、IGBT晶体管Q6的集电极，IGBT晶体管Q5和IGBT晶体管Q6的集电极和发射极之间分别并联一个续流二极管；所述IGBT晶体管Q1、IGBT晶体管Q3、IGBT晶体管Q5的集电极与DC电源的正极连接；所述IGBT晶体管Q2、IGBT晶体管Q4、IGBT晶体管Q6的集电极与DC电源的负极连接。相对于现有技术，本技术的有益效果是：1.不需要放放电路，减少电路成本，电路体积小，发热量更低；2.减速运动中电机将能量回馈给直流电源箱，可供给其他的电机使用，达到节能的目的；3.直流母线电压更加稳定，使电机获得更好的动态性能。附图说明图1是直线电机在导轨上运动受到的电流给其向前的推力以及阻力；图2是电机在做T型直线运动时的速度变化；图3是驱动器内部逆变电路与外部电机的电路图；图4是设备上的驱动器与电源以及电机的连接图。具体实施方式下面结合附图对本技术的优选实施例进行详细阐述，以使本技术的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本技术的保护范围做出更为清楚明确的界定。请参照附图1-4，本技术的一种共直流母线半导体封装设备的直线电机驱动装置，在驱动器应用的设备上提供一个由市电经过整流桥、滤波后的直流电源箱，然后把所有的驱动器的电源都并联在电源箱上；驱动器直接直流输入；所述驱动器的内部设置有逆变电路，该逆变电路与外部电机连接；所述外部电机的U、V、W端分别连接到驱动器内部功率管模块的逆变电路U、V、W端；所述外部电机的U端连接到IGBT晶体管Q1的发射极、IGBT晶体管Q2的集电极，IGBT晶体管Q1和IGBT晶体管Q2的集电极和发射极之间分别并联一个续流二极管；所述外部电机的V端连接到IGBT晶体管Q3的发射极、IGBT晶体管Q4的集电极，IGBT晶体管Q3和IGBT晶体管Q4的集电极和发射极之间分别并联一个续流二极管；所述外部电机的W端连接到IGBT晶体管Q5的发射极、IGBT晶体管Q6的集电极，IGBT晶体管Q5和IGBT晶体管Q6的集电极和发射极之间分别并联一个续流二极管；所述IGBT晶体管Q1、IGBT晶体管Q3、IGBT晶体管Q5的集电极与DC电源的正极连接；所述IGBT晶体管Q2、IGBT晶体管Q4、IGBT晶体管Q6的集电极与DC电源的负极连接。图1中，直线电机在导轨上主要受到向前的推力F以及直线电机与导轨之间的摩擦力f；图2中，直线电机在导轨上做梯形运动时，a段为加速段，b段为匀速段，c段为减速段。在加速段a中，电机运动消耗能量，会导致图3的DC电源两端的电压被拉低；在减速段c中，电机减速或者急停，电机做切割磁感线运动会发电，导致DC电源端的电压被拉高。DC电源两端的工作电压变化过大的时候，会对电机控制模型造成影响。图3中，驱动器内部的功率管模块与电机、电源的连接电路图，当电机M1减速停止工作时，逆变电路中U，V导通，产生的电流经过U端的续流二极管流入电源端，使DC电源两端的电压升高；当电机M2加速或者匀速运动的时候，U，V，W端任意两端导通的时候，消耗大量电能，导致DC电源两端的电压被拉低；由此可得，当电机M1处于减速停止状态的时候，电机M2处于加速运动时，电机M1产生的电量将会弥补M2时消耗的电量，使供给驱动器使用的电源的处于比较稳定的状态，电机控制也能获取到更好的动态性能。在图4中可以看到，各个驱动器是并联在电源箱上的，因此，在电机停止运动产生的电能可以反馈回去给电源箱，然后再提供给其它驱动器使用，使直流母线上的电压更稳定。在驱动器应用的设备上提供一个由市电经过整流桥，滤波后的直流电源箱，然后把所有的驱动器的电源都并联在电源箱上。同时，再取消放电电路，因此，减少驱动器发热。在电机做加减速的运动时候，由于各个驱动器的电源并在一起，电机在减速过程中产生的电量可以回馈给直流电源箱，供给其它电机使用，耗能更低。以上所述仅为本技术的优选实施方式，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的
，均同理包括在本技术的专利保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
共直流母线半导体封装设备的直线电机驱动装置，其特征在于：在驱动器应用的设备上提供一个由市电经过整流桥、滤波后的直流电源箱，然后把所有的驱动器的电源都并联在电源箱上；驱动器直接直流输入；所述驱动器的内部设置有逆变电路，该逆变电路与外部电机连接；所述外部电机的U、V、W端分别连接到驱动器内部功率管模块的逆变电路U、V、W端；所述外部电机的U端连接到IGBT晶体管Q1的发射极、IGBT晶体管Q2的集电极，IGBT晶体管Q1和IGBT晶体管Q2的集电极和发射极之间分别并联一个续流二极管；所述外部电机的V端连接到IGBT晶体管Q3的发射极、IGBT晶体管Q4的集电极，IGBT晶体管Q3和IGBT晶体管Q4的集电极和发射极之间分别并联一个续流二极管；所述外部电机的W端连接到IGBT晶体管Q5的发射极、IGBT晶体管Q6的集电极，IGBT晶体管Q5和IGBT晶体管Q6的集电极和发射极之间分别并联一个续流二极管；所述IGBT晶体管Q1、IGBT晶体管Q3、IGBT晶体管Q5的集电极与DC电源的正极连接；所述IGBT晶体管Q2、IGBT晶体管Q4、IGBT晶体管Q6的集电极与DC电源的负极连接。

【技术特征摘要】
1.共直流母线半导体封装设备的直线电机驱动装置，其特征在于：在驱动器应用的设备上提供一个由市电经过整流桥、滤波后的直流电源箱，然后把所有的驱动器的电源都并联在电源箱上；驱动器直接直流输入；所述驱动器的内部设置有逆变电路，该逆变电路与外部电机连接；所述外部电机的U、V、W端分别连接到驱动器内部功率管模块的逆变电路U、V、W端；所述外部电机的U端连接到IGBT晶体管Q1的发射极、IGBT晶体管Q2的集电极，IGBT晶体管Q1和IGBT晶体管Q2的集电极和发射极之间分别并联一个续流二极管；所述外部电...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡新荣，梁志宏，胡新平，陈玮麟，
申请(专利权)人：深圳市新益昌自动化设备有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44