The purpose of the invention is to provide a molecular state on the surface of titanium dioxide modified cobalt / nickel active sites, mainly in the P25 semiconductor substrate in wet chemical method with EDTA transition metal complexes as precursors by calcination are uniformly distributed on the surface of cobalt / nickel molecular state activity center. The method has simple production process, green environmental protection, the precursor of cheap, and the modified P25 after having photocatalytic performance efficiently, compared with other metal salt precursors, the method is put forward for the first time the excellent function of chelate EDTA transition metal complexes. It has a broad application prospect in the field of catalysis.
【技术实现步骤摘要】
一种P25负载分子态钴/镍等活性位点材料的制备方法
本专利技术属于一种P25负载分子态金属钴/镍等活性位点材料的制备方法,具体涉及一种半导体表面负载活性分子态过渡金属活性中心的制备方法。
技术介绍
二氧化钛作为典型的半导体,在光催化领域已经得到普遍应用和广泛研究。然而由于半导体自身的光生电子-空穴的严重复合以及载流子寿命太短,提高光子效率一直是研究的挑战性难题。因此通常利用表面负载修饰助催化剂降低光生电子-空穴的复合并同时降低表面氧化还原反应所需要的活化能,进而提高光催化效率。相比铂,钌,铑等贵金属,钴镍等过渡金属构成的氧化物等作为助催化剂有着更加有利的经济适用性,然后性能通常也次于贵金属,因此,开发新型廉价高效的金属助催化剂成为了光催化领域的另一大挑战。基于均相催化中分子态活性中心的高效活性,非均相光催化体系中通常负载的纳米颗粒在界面催化中原子效率明显低劣,提高表面负载助催化剂的分散性及原子效率是提高助催化剂性能的一个重要途径。然而简单的负载分子态助催化剂往往由于分子间的团聚而不容易实现。与常规前驱体相比,EDTA-金属络合物是一种由过渡金属离子与EDTA配体形成的六鳌合的化合物,本身分子间作用力较小,并且容易分散在极性溶剂中,保证了在一定浓度范围内这种前体在半导体基体上能够均匀分散,在一定温度下焙烧,EDTA配体由于脱羧反应而部分解体,在半导体基体存在下,过渡金属离子与残留配体能够与基体表面形成配位结构,从而将过渡金属以化合形式负载于半导体表面。这种方法相较于其他前驱体如硝酸盐,氯化盐等具有更好的可控性,所得的助催化剂分散性得到明显提高。同时由于合成简 ...
【技术保护点】
一种以分子态钴/镍等活性位点表面修饰二氧化钛而提高光催化活性的方法,其特征在于,利用EDTA‑钴(即乙二胺‑N,N,N',N'‑四乙酸钴(II)二钠盐四水合物)络合分子作为前体,该前体在高温下能够发生脱羧反应并且中心钴离子与二氧化钛的表面形成键合作用,从而对光生电子产生更加高效的捕获进而提高光活性及光子效率,具体操作:取商用二氧化钛P25,加入甲醇作为溶剂N,磁力搅拌,在搅拌下加入少量EDTA‑钴络合分子前驱体,并且维持温度40摄氏度,搅拌至溶剂挥发完毕,将所得固体在300‑400摄氏度下氩气气氛中焙烧1个小时;其中,所述原料配比如下:EDTA‑Co:P25:CH3OH=1~3:10:1000。
【技术特征摘要】
1.一种以分子态钴/镍等活性位点表面修饰二氧化钛而提高光催化活性的方法,其特征在于,利用EDTA-钴(即乙二胺-N,N,N',N'-四乙酸钴(II)二钠盐四水合物)络合分子作为前体,该前体在高温下能够发生脱羧反应并且中心钴离子与二氧化钛的表面形成键合作用,从而对光生电子产生更加高效的捕获进而提高光活性及光子效率,具体操作:取商用二氧化钛P25,加入甲醇作为溶剂N,磁力搅拌,在搅拌下加入少量EDTA-钴络合分子前驱体,并且维持温度40摄氏度,搅拌至溶剂挥发完毕,将所得固体在300-400摄氏度下氩气气氛中焙烧1个小时...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵桂霞,王祥学,文涛,王祥科,
申请(专利权)人:华北电力大学,
类型:发明
国别省市:北京,11
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