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一种实现零功耗待机开关电源集成电路制造技术

技术编号:16978517 阅读:82 留言:0更新日期:2018-01-07 13:12
本实用新型专利技术公开了一种实现零功耗待机开关电源集成电路,包括一个用于控制开关电源的零功耗控制器。所述零功耗控制器包括电荷耦合电路、零功耗微处理器和零功耗电压调整电路,交流电源输入经电荷耦合电路依次进入零功耗电压调整电路、零功耗微处理器。

A zero power standby switching power supply integrated circuit

The utility model discloses a zero power standby switching power supply integrated circuit, which includes a zero power controller for controlling the switching power supply. The zero power controller includes a charge coupled circuit, a zero power microprocessor and a zero power consumption voltage adjustment circuit. The AC power input is sequentially entered into the zero power consumption voltage adjustment circuit and the zero power consumption microprocessor through the charge coupled circuit.

【技术实现步骤摘要】
一种实现零功耗待机开关电源集成电路
本技术属于微电子
,具体涉及一种实现零功耗待机开关电源集成电路。
技术介绍
开关电源由于效率高,成本低,体积小,重量轻等优点几乎被所有的用电设备采用。但是由于开关电源传统的启动电源都是采用耗电的电阻启动电路(如图1),耗电的电容启动电路(如图2),开关电源芯片从内部功率MOSFET的漏级吸收电流对Vdd储能电容充电启动电路(如图3)和高压耗尽型场效应管启动电路(如图4)等来实现开关电源的启动。所以它们在开关电源启动前或启动后,甚至由于某些需要电源完全停止工作时他们还消耗着电能,不仅影响电源的效率,而且使电源待机功耗不可能很小,更不可能做到完全的零功耗或微功耗待机。由于开关电源做不到零功耗待机,致使使用这样开关电源的各种电器设备也做不到零功耗待机。
技术实现思路
为了解决目前开关电源无法将待机功耗降低到零功耗的技术问题,本技术提供了一种实现零功耗待机开关电源集成电路,包括一个用于控制开关电源的零功耗控制器。所述零功耗控制器包括电荷耦合电路、零功耗微处理器和零功耗电压调整电路,交流电源输入经电荷耦合电路依次进入零功耗电压调整电路、零功耗微处理器。本技术中本文档来自技高网...
一种实现零功耗待机开关电源集成电路

【技术保护点】
一种实现零功耗待机开关电源集成电路,其特征在于,包括一个用于控制开关电源的零功耗控制器,所述零功耗控制器包括电荷耦合电路、零功耗微处理器和零功耗电压调整电路,交流电源输入经电荷耦合电路依次进入零功耗电压调整电路、零功耗微处理器,零功耗控制器中包括有两对MOS管,分别为MOS管M1和MOS管M2、MOS管M3和MOS管M4;交流电电荷输入使用一个电容C1,交流电源第一端通过电容C1连接到零功耗控制器中两对MOS管中的其中一对接点,另一对MOS管接点空置,交流电源的第二端直接接零功耗控制器的地,开关电源的高压整流只使用一个二极管;在接通电源时,由于Vdd电压尚未建立,两对MOS管均为截止状态,在交...

【技术特征摘要】
1.一种实现零功耗待机开关电源集成电路,其特征在于,包括一个用于控制开关电源的零功耗控制器,所述零功耗控制器包括电荷耦合电路、零功耗微处理器和零功耗电压调整电路,交流电源输入经电荷耦合电路依次进入零功耗电压调整电路、零功耗微处理器,零功耗控制器中包括有两对MOS管,分别为MOS管M1和MOS管M2、MOS管M3和MOS管M4;交流电电荷输入使用一个电容C1,交流电源第一端通过电容C1连接到零功耗控制器中两对MOS管中的其中一对接点,另一对MOS管接点空置,交流电源的第二端直接接零功耗控制器的地,开关电源的高压整流只使用一个二极管;在接通电源时,由于Vdd电压尚未建立,两对MOS管均为截止状态,在交流电的正半周期间,交流电源第一端正电荷通过电容C1流入零功耗控制器中MOS管M1的p型有源区和n阱,然后流入Vdd储能电容C3,最后回到交流电源第二端,向Vdd储能电容C3充电;在交流电的负半周期间,交流电源第一端负电荷通过电容C1流入零功耗控制器中MOS管M3的n型有源区和p阱,然后回到交流电源第二端;对电容C1通过控制MOS管M3和MOS管M4截止的方式来开通对电容C3充电,对电容C1通过MOS管M3和MOS管M4导通并联到交流电源两端的方式来断开电容C3的充电;当零功耗控制器控制MOS管M3和MOS管M4从截止转为导通的情况下,M3和M4的漏极电压仅从Vdd下降到0V;或控制MOS管M3和MOS管M4从导通转为截止,漏极电压仅从0V上升到Vdd;还包括电容C2,从交流电源两端,通过电荷耦合电路的两个电容C1,C2分别连接到零功耗控制器中两对MOS管的接点,在接通电源时,由于Vdd电压尚未建立,两对MOS管均为截止状态,在交流电的正半周期间,交流电源第一端正电荷通过电容C1流入零功耗控制器中MOS管M1的p型有源区和n阱,然后流入Vdd储能电容C3,再经MOS管M4的p阱和n型有源区最后回到交流电源第二端,向Vdd储能电容C3充电;在交流电的负半周期间,交流电源第二端正电荷通过电容C2流入零功耗控制器中MOS管M2的p型有源区和n阱,然后流入Vdd储能电容C3,再经MOS管M3的p阱和n型有源区回到交流电源第一端,向Vdd储能电容C3充电;对C1,C2串联通过控制MOS管M3和MOS管M4截止的方式来开通对电容C3充电,对C1,C2串联通过MOS管M3和MOS管M4导通并联到交流电源两端的方式来断开电容C3的充电;当零功耗控制器控制MOS管M3和MOS管M4从截止转为导通的情况下,M3和M4的漏极电压仅从Vdd下降到0V;或控制MOS管M3和MOS管M4从导通转为截止,漏极电压仅从0V上升到Vdd;两对MOS管、零功耗电压调整器以及基准电压组成零功耗电压调整电路,在工作的同时由零功耗控制器中的零功耗电压调整器通过MOS管M3、MOS管M4构成闭环稳压控制,当Vdd电压达到零功耗控制器所设定值时,零功耗微处理器进行过压检测、欠压检测、过载检测和过温检测,如果未...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘明
申请(专利权)人:刘明
类型:新型
国别省市:广东,44

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