The utility model specifically relates to a three level IGBT inverter overcurrent protection driving circuit, which solves the problem that all the existing IGBT circuits fail to cause various faults in time. The circuit comprises a signal input circuit and a push-pull circuit, also includes a drive signal circuit and protection circuit; the signal input circuit and a push-pull circuit connected through the optocoupler U1; driving signal circuit includes a diode D1, cathode diode D1 is connected with the power supply of +15V, G and IGBT gate ANODE DIODE D1 connected with the output end of the push-pull circuit connect the drive signal through the diode D1 and the power supply is directly connected to the driving signal to maintain the voltage of power supply. The circuit provided by the utility model has the advantages of simple, low hardware cost, stable and reliable system, high voltage insulation grade, strong anti-interference and so on.
【技术实现步骤摘要】
一种三电平IGBT逆变器过流保护驱动电路
本技术涉及二极管中点箝位型三电平IGBT静止无功发生器拓扑结构及驱动电路
,具体涉及一种三电平IGBT逆变器过流保护驱动电路。
技术介绍
三电平逆变器结构如图1所示,三电平逆变器有三种工作状态:1)输出正电平,此时1、2管导通,3、4管关闭;2)输出零电平,此时2、3管导通,1、4管关闭;3)输出负电平,此时3、4管导通,1、2管关闭;在工作中,三种工作状态不断变化,输出需要的电平,通过电抗变换成需要的谐波或无功电流,达到输出反向谐波电流的目的。二极管中点箝位型三电平有源滤波拓扑结构如图2所示,图中Cd1、Cd2是直流储能电容,RC1、RC2是均压电阻,L1、C1、R、L2、C2组成高阶低通滤波器对输出电压进行滤波。IGBT是一种电压控制型功率的晶体管,需要的驱动功率小,控制电路简单,导通压降低,具有较大的安全工作区和短路承受能力,如何有效地驱动和保护IGBT,使其安全高效的工作,成为当前电力电子领域的一个重要课题。IGBT的驱动保护设计是逆变器设计的重要组成部分,只有通过可靠的保护,逆变器才能可靠工作。三电平IGBT技术在逆变器领域的应用非常广泛,逆变器在运行过程中通常会有各种故障,其中较严重的故障为炸机,而引起炸机的主要原因通常为逆变器的逆变单元桥臂直通,这种直通大部分是由于保护不及时造成这种直通。IGBT发生短路故障时,实际电流会在短时间内达到额定电流的几十倍,IGBT遇到短路和过流时,超过10μs的短路或者短路保护不当就会诱导IGBT锁定失效,甚至炸机,其主要原因有超过热极限、发生擎住效应和超过器件耐 ...
【技术保护点】
一种三电平IGBT逆变器过流保护驱动电路,包括信号输入电路和推挽电路,其特征在于:还包括驱动信号电路和保护电路;信号输入电路和推挽电路通过光耦U1连接;驱动信号电路包括二极管D1,二极管D1的阴极与+15V电源连接,二极管D1的阳极与IGBT的栅极G连接,同时与推挽电路的输出端连接,驱动信号经二极管D1和电源直接连接,使驱动信号维持电源电压;保护电路包括二极管D5、齐纳二极管D8、三极管Q3、电阻RD2、电阻RD1、电阻RD3、电容CD1、电容CD2、齐纳二极管D6、二极管D9和三极管Q4;二极管D5的阴极和IGBT发射极C连接,二极管D5的阳极与齐纳二极管D8阴极相连,齐纳二极管D8的阳极和三极管Q3的基极相连,三极管Q3发射极E和光耦DG1相连、集电极C和驱动电源负压相连,光耦DG1的另一端与电阻RD2连接,电容CD2的一端与齐纳二极管D8的阳极连接,电容CD2的另一端与驱动电源负压相连;电阻RD1、电阻RD3、电容CD1并联在齐纳二极管D6的两端,齐纳二极管D6的阴极和驱动电压的正向开通电源相连,阳极分别与电阻RD2、二极管D9的阴极连接;二极管D9的阳极和三极管Q4的基极连接, ...
【技术特征摘要】
1.一种三电平IGBT逆变器过流保护驱动电路,包括信号输入电路和推挽电路,其特征在于:还包括驱动信号电路和保护电路;信号输入电路和推挽电路通过光耦U1连接;驱动信号电路包括二极管D1,二极管D1的阴极与+15V电源连接,二极管D1的阳极与IGBT的栅极G连接,同时与推挽电路的输出端连接,驱动信号经二极管D1和电源直接连接,使驱动信号维持电源电压;保护电路包括二极管D5、齐纳二极管D8、三极管Q3、电阻RD2、电阻RD1、电阻RD3、电容CD1、电容CD2、齐纳二极管D6、二极管D9和三极管Q4;二极管D5的阴极和IGBT发射极C连接,二极管D5的阳极与齐纳二极管D8阴极相连,齐纳二极管D8的阳极和三极管Q3的基极相连,三极管Q3发射极E和光耦DG1相连、集电极C和驱动电源负压相连,光耦DG1的另一端与电阻RD2连接,电容CD2的一端与齐纳二极管D8的阳极连接,电容CD2的另一端与驱动电源负压相连;电阻RD1、电阻RD3、电容CD1并联在齐纳二极管D6的两端,齐纳二极管D6的阴极和驱动电压的正向开通电源相连,阳极分别与电阻RD2、二极管D9的阴极连接;二极管D9的阳极和三极管Q4的基极连接,三极管Q4的发射极E经电阻RD4和驱动电源负压连接,三极管Q4的集电极C与IGBT的栅极G连接。2.根据权利要求1所述的三电平IGBT逆变器过流保护驱动电...
【专利技术属性】
技术研发人员:阮绪峰,刘凯,张宁,刘圆圆,
申请(专利权)人:西安思坦科技有限公司,
类型:新型
国别省市:陕西,61
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