一种全息镭射薄膜贴合的非接触式IC卡制造技术

一种全息镭射薄膜贴合的非接触式IC卡，包括IC芯片、卡结构，所述IC芯片设于所述卡结构内，所述卡结构包括上侧卡结构、下侧卡结构，所述上侧卡结构包括从内至外依次设于所述IC芯片上的全息PET/PVC镭射塑胶层组、印刷层、PET/PVC薄膜类层，所述全息PET/PVC镭射塑胶层组用于实现全息图案、镭射图案功能，所述印刷层用于进行图案印刷，所述PET/PVC薄膜类层用于保护内层。本发明专利技术的全息镭射薄膜贴合的非接触式IC卡，解决了全息镭射薄膜与PVC卡片贴合后芯片发射频率过小问题，增强了制卡行业印刷图案的表面效果性能，具有可读取距离远、频率损耗小、批量化生产、表面效果好、使用寿命长、防伪性能好等特点，在各行各类的IC卡领域均具有广泛应用前景。

A non-contact IC card fitted with holographic laser thin film

Contactless IC card is a holographic laser film laminating, including IC chip, card structure, the IC chip is arranged on the card structure, the card structure includes an upper and lower structure card card structure, the upper structure includes a card from the inside to the outside are sequentially arranged in the IC chip on the holographic PET/PVC laser plastic layer group, printing layer, PET/PVC film layer, the laser holographic PET/PVC plastic layer group for holographic patterns, laser pattern function, the printing layer is used for pattern printing, the PET/PVC film layer is used to protect the inner. Non contact IC card holographic laser film laminating of the invention, solve the holographic laser film and PVC chip card after fitting emission frequency is too small, enhance the performance of the surface effect business card printing industry printing pattern, which can be read distance, frequency loss, mass production, surface effect, service life long, security and good performance, which has wide application prospect in the field of IC card lines of all kinds of.

【技术实现步骤摘要】
一种全息镭射薄膜贴合的非接触式IC卡
本专利技术涉及IC卡制卡
，具体地，涉及一种全息镭射薄膜贴合的非接触式IC卡。
技术介绍
IC卡是将一个微电子芯片嵌入符合ISO7816标准的卡基中，做成卡片形式，可根据通讯接口把IC卡分成接触式IC卡、非接触式IC卡和双界面卡。非接触式IC卡又称射频卡，由IC芯片、感应天线组成，封装在一个标准的PVC卡片内，芯片及天线无任何外露部分，成功地解决了无源(卡中无电源)和免接触这一难题，是电子器件领域的一大突破，具有可靠性高、防冲突(自动分辨能力)、操作方便、应用范围广、加密性能好等优势，主要用于公交、电信、银行、高速公路收费、车场管理等领域。非接触式IC卡在一定距离范围(通常为40-50mm)靠近读写器表面，通过无线电波的传递来完成数据的读写操作。目前，现有非接触式IC卡在制卡行业一般采用胶塑胶片单一材料印刷而成，发射频率为13.56HZ,读取距离为40mm左右，存在成卡印刷的表面图案效果单一的问题。由于现有非接触式IC卡的卡片厚度较为固定，现有增强成卡印刷的表面图案效果的方式一般是在卡片表面贴合薄膜的形式。这种方式会造成芯片发射频率过小的问题。需将制作芯片层的线圈数增加1-2圈，同时增大绕线直径，以提高发射频率。这样，每批相关镭射材料的订单都要单独制作芯片层，且耗时比正常多出5-10秒/圈，造成生产所需人力物力增加，从而导致生产成本高、效率低、报废率增加。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种全息镭射薄膜贴合的非接触式IC卡及其生产方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种全息镭射薄膜贴合的非接触式IC卡，包括IC芯片、卡结构，所述IC芯片设于所述卡结构内，所述卡结构包括上侧卡结构、下侧卡结构，所述上侧卡结构包括从内至外依次设于所述IC芯片上的全息PET/PVC镭射塑胶层组、印刷层、PET/PVC薄膜类层，所述全息PET/PVC镭射塑胶层组用于实现全息图案、镭射图案等功能，所述印刷层用于进行图案印刷，所述PET/PVC薄膜类层用于保护内层。优选的，所述全息PET/PVC镭射塑胶层组包括从内至外依次设置的PET/PVC塑胶层、胶水层、组合层、镀金属层/纳米等新材料层、PET/PVC基膜层，所述PET/PVC塑胶层起对IC芯片的固定及卡结构的定型作用，所述胶水层用于粘合相邻两层，所述组合层为根据全息、镭射工艺需要进行预处理的功能层，所述镀金属层/纳米等新材料层为全息图案层，所述PET/PVC基膜层用于保护内层。镀金属层厚度会影响透光度、反射度、导电性，镀金属层越厚透光度越差，反射度、导电性越好；镀金属层越薄透光度越好，反射度、导电性越差。与现有全息工艺的层厚相比,优选的，所述镀金属层/纳米等新材料层厚度为从而在保证全息镭射效果的同时，减小频率损耗，使IC卡具有更长的读取距离。这里，A(简称:为镀铝层厚度单位，优选的，所述全息PET/PVC镭射塑胶层组还包括镭射涂层，所述镭射涂层设于所述镀金属层/纳米等新材料层、PET/PVC基膜层之间。所述镭射涂层为一种随着视觉角度及光线的变化而在卡片的任何部位呈现特殊的反射变幻体的图案层，为一层有激光镭射图案的电化铝图层，是用一种镭射PVC材料印刷之后从不同的角度看有光芒闪烁的感觉，可变幻图案、呈现各种色泽、能在卡片的任何部位呈现特殊的反射变幻体，具有很好的视觉效果，并可增强交易卡的防伪功能及防扫描复制功能，使交易卡的流通更安全。优选的，所述下侧卡结构包括从内至外依次设于所述IC芯片上的所述全息PET/PVC镭射塑胶层组、印刷层、PET/PVC薄膜类层。从而使IC卡具备双面全息、镭射效果。另选的，所述下侧卡结构包括从内至外依次设于所述IC芯片上的PET/PVC塑胶层、印刷层、PET/PVC薄膜类层，即IC卡的下侧面不具备全息、镭射效果。优选的，所述镀金属层/纳米等新材料层利用激光彩色全息图制版技术和模压复制技术制成激光彩虹模压全息图文，可以在IC卡上制成可见的或不可见的图文或信息。由于全息图中的色块组合是随机编码，即使用同一设备也难复制出完全相同的母版，故彩虹全息图可用作防伪标识。激光模压全息防伪标识的颜色有单一的彩虹色、多种彩虹色、真彩色及黑白(消色)4种，其图像有二维、三维、多重与动态成像。推出烫金全息图、和透过式全息图，后者透过全息图可同时看见其下被掩盖的图文，故称透视全息图。还有一种透过式全息图，在全息图条纹上镀上多层透明介质，使其只能在一定的角度上看到全息图，换个角度则几乎成一透明膜，并显现出下面被掩盖的图文，其性能更优于前者。同等条件下，经测试，与现有全息工艺的层厚单面使用可读取最大距离为35-40mm,双面使用可读取最大距离为25-30mm的效果相比，采用本专利技术的IC卡，单面具备全息、镭射效果的可读取最大距离为40-45mm,读取距离增大5±2MM、频率损耗减小1.5HZ，双面单面具备全息、镭射效果的可读取最大距离为35-40mm、读取距离增大10±5mm、频率损耗减小2.0-2.5HZ。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术的全息镭射薄膜贴合的非接触式IC卡，兼顾了表面效果与读取距离、读取成功率之间的关系，解决了全息镭射薄膜与PVC卡片贴合后芯片发射频率过小问题，增强了制卡行业印刷图案的表面效果性能，具有可读取距离远、频率损耗小、批量化生产、表面效果好、使用寿命长、防伪性能好等特点，在各行各类的IC卡领域均具有广泛应用前景。附图说明图1为本专利技术实施例一的结构示意图；图2为本专利技术实施例一全息PET/PVC镭射塑胶层组的结构示意图；图3为本专利技术实施例一带镭射涂层的全息PET/PVC镭射塑胶层组的结构示意图；图4为本专利技术实施例二的结构示意图；其中：1.IC芯片，2.全息PET/PVC镭射塑胶层组，3.印刷层，4.PET/PVC薄膜类层，5.PET/PVC塑胶层，6.胶水层，7.组合层，8.镀金属层/纳米新材料层，9.PET/PVC基膜层，10.镭射涂层。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例一参照图1、图2所示，一种全息镭射薄膜贴合的非接触式IC卡，包括IC芯片1、卡结构，所述IC芯片1设于所述卡结构内，所述卡结构包括上侧卡结构、下侧卡结构，所述上侧卡结构包括从内至外依次设于所述IC芯片1上的全息PET/PVC镭射塑胶层组2、印刷层3、PET/PVC薄膜类层4，所述全息PET/PVC镭射塑胶层组2用于实现全息图案、镭射图案等功能，所述印刷层3用于进行图案印刷，所述PET/PVC薄膜类层4用于保护内层。所述全息PET/PVC镭射塑胶层组2包括从内至外依次设置的PET/PVC塑胶层5、胶水层6、组合层7、镀金属层/纳米新材料层8、PET/PVC基膜层9，所述PET/PVC塑胶层5起对IC芯片1的固定及卡结构的定型作用，所述胶水层6用于粘合相邻两层，所述组合层7为根据全息、镭射工艺需要进行预处理的功能层，所述镀金属层/纳米新材料层8为全本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种全息镭射薄膜贴合的非接触式IC卡，包括IC芯片、卡结构，其特征在于，所述IC芯片设于所述卡结构内，所述卡结构包括上侧卡结构、下侧卡结构，所述上侧卡结构包括从内至外依次设于所述IC芯片上的全息PET/PVC镭射塑胶层组、印刷层、PET/PVC薄膜类层，所述全息PET/PVC镭射塑胶层组用于实现全息图案、镭射图案功能，所述印刷层用于进行图案印刷，所述PET/PVC薄膜类层用于保护内层。

【技术特征摘要】
1.一种全息镭射薄膜贴合的非接触式IC卡，包括IC芯片、卡结构，其特征在于，所述IC芯片设于所述卡结构内，所述卡结构包括上侧卡结构、下侧卡结构，所述上侧卡结构包括从内至外依次设于所述IC芯片上的全息PET/PVC镭射塑胶层组、印刷层、PET/PVC薄膜类层，所述全息PET/PVC镭射塑胶层组用于实现全息图案、镭射图案功能，所述印刷层用于进行图案印刷，所述PET/PVC薄膜类层用于保护内层。2.根据权利要求1所述的全息镭射薄膜贴合的非接触式IC卡，其特征在于，所述全息PET/PVC镭射塑胶层组包括从内至外依次设置的PET/PVC塑胶层、胶水层、组合层、镀金属层/纳米新材料层、PET/PVC基膜层，所述PET/PVC塑胶层起对IC芯片的固定及卡结构的定型作用，所述胶水层用于粘合相邻两层，所述组合层为根据全息、镭射工艺需要进行预处理的功能层，所述镀金属层/纳米新材料层为全息图案层，所述PET/PVC基膜层用于保护内层。3.根据权利要求2所述的全息镭射薄膜贴合的非接触式IC卡，其特征在于，所述镀金属层/纳米新材料层厚度为4.根据权利要求3所述的全息镭射薄膜贴合的非接触式IC卡，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：许贵贤，洪宝丽，
申请(专利权)人：深圳市千丰彩智能科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44