一种芯片高压供电电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种芯片高压供电电路，包括恒流充电电路、关断电路、线性稳压电路、过压保护电路，所述恒流充电电路与线性稳压电路连接，所述恒流充电电路与第一稳压二极管VZ1连接，所述第一稳压二极管VZ1与关断电路连接，所述关断电路与过压保护电路连接，所述过压保护电路与线性稳压电路连接。该芯片高压供电电路，通过高压恒流充电给芯片电容充电，芯片正常工作后关闭此高压恒流充电电路，并且可实现输入过压保护功能。

A high voltage power supply circuit for chip

The utility model discloses a chip high voltage power supply circuit, including constant current charging circuit, switching circuit, linear voltage regulator circuit, overvoltage protection circuit, the constant current charging circuit is connected with the linear voltage regulator circuit, the constant current charging circuit is connected with a first Zener diode VZ1, the first VZ1 zener diode is connected with the turn off the circuit, the switching circuit is connected with the overvoltage protection circuit, the overvoltage protection circuit and linear voltage regulator circuit connection. The high voltage power supply circuit of the chip is charged to the chip capacitor through high voltage and constant current charging. After the chip is working normally, the high voltage constant current charging circuit is closed, and the input overvoltage protection function is realized.

【技术实现步骤摘要】
一种芯片高压供电电路
本技术属于电网
，具体涉及一种芯片高压供电电路。
技术介绍
效率是开关电源的关键性能指标之一，而减小高压供电电路自身的损耗是提高效率的重要措施，但现有的高压供电电路普遍存在损耗较大的问题。现有的高压供电电路直接与经整流后的交流输入电压相连，输出供电电流到LED芯片的供电电容。由于较高的交流输入电压和较大的供电电流导致高压供电电路本身的损耗较大。另外，在高压供电电路中，当AC输入电压下降到供电电压以下时，为了防止供电电容向AC输入端反灌电流，往往采用二极管串联方式实现单向导通。但由于供电电流较大，要求串联的二极管导通面积需足够大，同时也加大了该二极管的反向漏电流和寄生三极管的影响，降低电路的可靠性。交流电源供电电路中由于输入电压非常高，芯片启动时在满足启动时间的情况下，启动电阻损耗会非常大，如图1所示，R1损耗很大。且输入过压保护时电压在反复重启，保护效果不理想。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种芯片高压供电电路，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种芯片高压供电电路，包括恒流充电电路、关断电路、线性稳压电路、过压保护电路本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片高压供电电路，包括恒流充电电路、关断电路、线性稳压电路、过压保护电路，其特征在于：所述恒流充电电路与线性稳压电路连接，所述恒流充电电路与第一稳压二极管VZ1连接，所述第一稳压二极管VZ1与关断电路连接，所述关断电路与过压保护电路连接，所述过压保护电路与线性稳压电路连接。

【技术特征摘要】
1.一种芯片高压供电电路，包括恒流充电电路、关断电路、线性稳压电路、过压保护电路，其特征在于：所述恒流充电电路与线性稳压电路连接，所述恒流充电电路与第一稳压二极管VZ1连接，所述第一稳压二极管VZ1与关断电路连接，所述关断电路与过压保护电路连接，所述过压保护电路与线性稳压电路连接。2.根据权利要求1所述的一种芯片高压供电电路，其特征在于：所述恒流充电电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第一电容C1和第一MOS管VT1，所述第一电阻R1与第三电阻R3并联，所述第一电阻R1与第一MOS管VT1的漏极连接，所述第二电阻R2与第一MOS管VT1的源极连接。3.根据权利要求1所述的一种芯片高压供电电路，其特征在于：所述关断电路包括第四电阻R4、第五电阻R5和第二MOS管VT2，所述第二MOS管VT2的漏极分别与第三电阻R3、第一MOS管VT1的栅极、第一稳压二极管VZ1和第一电容C1电性连接，所述第三电阻R3、第一MOS管VT1的栅极、第一稳压二极管VZ1和第一电容C1相互之间并联...

【专利技术属性】
技术研发人员：高晓亮，游京燕，宋蕾，
申请(专利权)人：青岛鼎焌电气有限公司，
类型：新型
国别省市：山东,37