一种固态硬盘读参考电压的优化方法及装置制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
一种固态硬盘读参考电压的优化方法及装置
本专利技术属于磁盘读写
，尤其涉及一种固态硬盘读参考电压的优化方法及装置。
技术介绍
固态硬盘采用NADN(与非)闪存颗粒作为存储介质进行数据存储，其中，NAND存储器由多个存储单元构成，NAND存储器包括的存储单元根据NAND类型的不同可以分为SLC(Single-LevelCell，单层单元)、MLC(Multi-LevelCell，多层单元)、TLC(Trinary-LevelCell，三层单元)三种，分别可以存储1bit、2bit、3bit数据，每个存储单元的存储结构可参考图1所示。参考图1，NAND存储数据对应的电子具体存储于存储单元的FG(FloatingGate，浮栅)内，当存储单元所存储的数据不同时，其FG内电子的数量也相应不同，相对应地，其FG内的电子所产生的电压(下文称之为内部存储电压)也不相同，以TLC类型的存储单元为例，鉴于其可以存储3bit数据(高位bit、中位bit、低位bit)，则其存储数据能够具有8种数据状态(即8种数据信息)：000、001、010、011、100、101、110、11...
【技术保护点】
一种固态硬盘读参考电压的优化方法，其特征在于，包括：根据固态硬盘中的存储数据，获得第一样本数据；利用所述第一样本数据，以固态硬盘的存储单元在数据状态的电压无偏移情况下对应的理想读参考电压为基准电压，确定固态硬盘的待优化的初始读参考电压；其中，在利用所述初始读参考电压读取第一样本数据时产生的读错误个数，不超出第一预定阈值，且低于利用所述理想读参考电压读取第一样本数据时产生的读错误个数；根据固态硬盘中的存储数据，获得第二样本数据；基于所述第二样本数据，对所述初始读参考电压进行优化，得到目标读参考电压；其中，在利用所述目标读参考电压读取所述第二样本数据时产生的读错误个数，低于利用...
【技术特征摘要】
1.一种固态硬盘读参考电压的优化方法，其特征在于，包括：根据固态硬盘中的存储数据，获得第一样本数据；利用所述第一样本数据，以固态硬盘的存储单元在数据状态的电压无偏移情况下对应的理想读参考电压为基准电压，确定固态硬盘的待优化的初始读参考电压；其中，在利用所述初始读参考电压读取第一样本数据时产生的读错误个数，不超出第一预定阈值，且低于利用所述理想读参考电压读取第一样本数据时产生的读错误个数；根据固态硬盘中的存储数据，获得第二样本数据；基于所述第二样本数据，对所述初始读参考电压进行优化，得到目标读参考电压；其中，在利用所述目标读参考电压读取所述第二样本数据时产生的读错误个数，低于利用所述初始读参考电压读取所述第二样本数据时所产生的读错误个数。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据固态硬盘中的存储数据，获得第一样本数据，包括：确定固态硬盘中每个块的最后一页的存储数据，其中，所述最后一页为所述块中最后写入数据的页；向所述最后一页的存储数据中加入扰码，使得所述最后一页的数据中0和1的比例相同，并将加入扰码后所得的所述0和1的比例相同的数据作为第一样本数据。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述利用所述第一样本数据，以固态硬盘的存储单元在数据状态的电压无偏移情况下对应的理想读参考电压为基准电压，确定固态硬盘的待优化的初始读参考电压，包括：获得预先制定的所述固态硬盘存储单元的理想读参考电压；其中，所述理想读参考电压的个数与所述固态硬盘的存储单元能具备的数据状态的数量相对应；采用递归方式，逐次减小各个所述理想读参考电压，和/或逐次增大各个所述理想读参考电压，直至在利用调节后所得的各个读参考电压读取所述第一样本数据时，所读取的0、1个数的比例与1的差值绝对值低于第二预定阈值时递归结束；将递归结束时对应的各个读参考电压作为各个所述初始读参考电压。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据固态硬盘中的存储数据，获得第二样本数据，包括：将固态硬盘中每个块的最后一页中不包含扰码的存储数据作为所述第二样本数据。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述基于所述第二样本数据，对所述初始读参考电压进行优化，得到目标读参考电压，包括：采用递归方式，逐次减小各个所述初始读参考电压，直至在利用当次调节后所得的各个读参考电压读取所述第二样本数据时所产生的读纠错个数，大于利用前一次调节后所得的各个读参考电压读取所述第二样本数据时所产生的...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕玉彬，戚勇，
申请(专利权)人：郑州云海信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：河南,41
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