实现烧写器中芯片上电时间自适应控制的系统及方法技术方案

本发明专利技术涉及一种实现烧写器中芯片上电时间自适应控制的系统及方法，其中系统包括芯片连接元件、操作元件、控制元件和上电控制电路，上电控制电路通过芯片连接元件与待烧写芯片相连接，控制元件同时与芯片连接元件、操作元件和上电控制电路相连接。采用该种结构的实现烧写器中芯片上电时间自适应控制的系统及方法，可实现对上电时间的可控，在调节时间过程中，得到可以使芯片正常烧写的一个上电时间，断电过程中，使用放电电路进而快速放电，这样不仅未影响烧写器短路保护的功能，也大大缩短了放电时间，能够在保护烧写器情况下，用于烧写有各种上电时间需求的芯片，无需对不同的PCB板进行不同的时间修改，或拆除PCB板上的电容，具有更广泛的应用范围。

【技术实现步骤摘要】
实现烧写器中芯片上电时间自适应控制的系统及方法
本专利技术涉及控制设计领域，尤其涉及烧写器中芯片上电时间自适应控制设计，具体是指一种实现烧写器中芯片上电时间自适应控制的系统及方法。
技术介绍
使用MCU产品时，会使用MCU芯片设计公司提供的烧写器对芯片进行批量烧写。MCU芯片进行烧写时，烧写器内部会首先对MCU芯片上电，上电后，再打入相应的烧写时序，从而完成对MCU芯片的烧录工作。MCU芯片如果已经焊接在了PCB板上，PCB的电源端一般会接有电容，该电容与烧写器上带的电阻形成RC电路，会有一个不可以省略的充电过程，会将上电时间延迟，在电源电压未达到MCU的需求电压时就打入相应的烧写时序，会使得烧写失败。烧写过程中，对待烧芯片有一个断电的过程，此时电容的存在也会使断电过程极为缓慢，在无法完全断电的情况下，会影响芯片的正常烧写。现有烧写器烧写芯片时，有的烧写器上未有保护电路，这样电源可直接与待烧写芯片的电源相连，这样即使待烧写端有电容，充电也是较为快速的。有的烧写器延长固定的上电的时间，也就是说，上电后，等待较长的一段时间后再去打入烧写时序。现有的技术中，第一种方案，如果遇到待烧写芯片短本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种实现烧写器中芯片上电时间自适应控制的系统，其特征在于，所述的系统包括芯片连接元件、操作元件、控制元件和上电控制电路，所述的上电控制电路通过芯片连接元件与待烧写芯片相连接，所述的控制元件同时与所述的芯片连接元件、操作元件和上电控制电路相连接，其中所述的系统具有如下工作模式：所述的操作元件检测用户的操作，当所述的操作元件检测到自适应调节开启操作时，将自适应调节开启信号发送至所述的控制元件；当所述的控制元件接收到自适应调节开启信号时，所述的控制元件使用当前的预设上电时间对待烧写芯片进行烧写测试，并于烧写测试失败时调整当前的预设上电时间后重新进行烧写测试，至烧写测试成功时停止烧写测试，并记录调整后...

【技术特征摘要】
1.一种实现烧写器中芯片上电时间自适应控制的系统，其特征在于，所述的系统包括芯片连接元件、操作元件、控制元件和上电控制电路，所述的上电控制电路通过芯片连接元件与待烧写芯片相连接，所述的控制元件同时与所述的芯片连接元件、操作元件和上电控制电路相连接，其中所述的系统具有如下工作模式：所述的操作元件检测用户的操作，当所述的操作元件检测到自适应调节开启操作时，将自适应调节开启信号发送至所述的控制元件；当所述的控制元件接收到自适应调节开启信号时，所述的控制元件使用当前的预设上电时间对待烧写芯片进行烧写测试，并于烧写测试失败时调整当前的预设上电时间后重新进行烧写测试，至烧写测试成功时停止烧写测试，并记录调整后的预设上电时间；每次烧写测试开始时，所述的控制元件控制上电控制电路对待烧写芯片进行上电，并于当前的预设上电时间后，对待烧写芯片进行烧写内容导入，于烧写结束后接收烧写结果。2.根据权利要求1所述的实现烧写器中芯片上电时间自适应控制的系统，其特征在于，所述的芯片连接元件为待烧写芯片插槽或待烧写芯片接口。3.根据权利要求1所述的实现烧写器中芯片上电时间自适应控制的系统，其特征在于，所述的系统还具有如下工作模式：当所述的操作元件检测到烧写开始操作时，将烧写开始信号发送至所述的控制元件；当所述的控制元件接收到烧写开始信号时，控制上电控制电路对待烧写芯片进行上电，并于当前的预设上电时间后，对待烧写芯片进行烧写内容导入。4.根据权利要求3所述的实现烧写器中芯片上电时间自适应控制的系统，其特征在于，所述的操作元件为按键，当用户按动按键时长小于预设调节开启时间时，该操作为烧写开始操作，当用户按动按键时长大于或等于预设调节开启时间时，该操作为自适应调节开启操作。5.根据权利要求3所述的实现烧写器中芯片上电时间自适应控制的系统，其特征在于，所述的系统还包括显示元件，所述的显示元件与所述的控制元件相连接，所述的显示元件用以显示控制元件当前的芯片处于的烧写状态或自适应调节状态。6.根据权利要求1所述的实现烧写器中芯片上电时间自适应控制的系统，其特征在于，所述的待烧写芯片的上电端与接地端之间设置有短路控制开关，在待烧写芯片的烧写测试过程中，所述的短路控制开关控制待烧写芯片的上电端与接地端之间的连接断开，在烧写测试完成时，所述的短路控制开关控制待烧写芯片的上电端与接地端之间连接。7.根据权利要求6所述的实现烧写器中芯片上电时间自适应控制的系统，其特征在于，所述的短路控制开关包括三极管QM21，所述的三极管QM21的集电极和发射极连接于待烧写芯片的上电端与接地端之间，在待烧写芯片的烧写测试过程中，所述的三极管QM21的基极处的电压为低电平，在烧写测试完成时，所述的三极管QM21的基极处的电压为高电平。8.根据权利要求1所述的实现烧写器中芯片上电时间自适应控制的系统，其特征在于，所述的上电控制电路包括三极管Q12、电阻R55和三极管Q4，三极管Q12的发射极与上电控制端相连接，三极管Q12的集电极与待烧写芯片的上电端相连接，电阻R55两端连接于三极管Q12的集电极和发射极，三极管Q12的基极连接于三极管Q4的集电极，三极管Q4的发射极接地，三极管Q4的基极与待烧写芯片的上电端相连接，在待烧写芯片的烧写测试过程中，控制元件控制上电控制端为高电平，烧写测试结束时，控制元件控制上电控制端为低电平。9.根据权利要求8所述的实现烧写器中芯片上电时间自适应控制的系统，其特征在于，所述的上电控制端和三极管Q12之间还设置有电阻R49、三极管Q3、电阻R51和三极管Q11，所述的上电控制端通过电阻R49连接至三极管Q3的基极，三极管Q3的发射极接地，三极管Q3的...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙红新，顾晓红，赵海，
申请(专利权)人：无锡华润矽科微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32