一种降压电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种降压电路，其特征在于：包括降压变换电路、LM5116芯片U1及其外围电路，所述降压变换电路包括MOS管Q1、MOS管Q2、电感L1、电容C1、电容C2、电阻R1，高压直流电输入MOS管Q1的漏极，MOS管Q1的源极与MOS管Q2的漏极连接，MOS管Q2的源极通过电阻R1接地，电感L1一端连接MOS管Q1的源极，另一端分别连接MOS管Q1的漏极和电容C1的一端，电容C1另一端接地，电容C1的两端并接电容C2，C2两端连接降压输出端(Vout+、Vout‑)，MOS管Q1和MOS管Q2的栅极均连接芯片U1的输出端，芯片U1输出控制信号控制Q1、Q2的导通和断开。本实用新型专利技术的优点为，降压电路结构简单，外围元器件个数少，电压输入范围宽，减少了电路的噪声灵敏度。

A kind of step-down circuit

The utility model discloses a step-down circuit, which comprises a buck circuit, LM5116 chip U1 and its peripheral circuit, the buck circuit including MOS Q1, MOS tube tube Q2, inductor L1, a capacitor C1, a capacitor C2 and a resistor R1, high voltage DC input MOS drain pipe Q1 electric leakage. Is Q1 source MOS tube and MOS tube Q2, MOS tube Q2 source earthed through a resistor R1, inductance L1 is connected to one end of the MOS tube Q1 source, the other end is respectively connected with the MOS tube Q1 and the drain capacitance at the end of the C1, a capacitor C1 is connected to the other end, both ends of the capacitor C1 and then the capacitors C2 and C2 connected to both ends of Buck output (Vout+, Vout), the output terminal of the MOS tube and MOS tube gate Q1 Q2 is connected with the chip U1, U1 chip Q1, Q2 output control signal to control the switch on and off. The advantage of the utility model is that the structure of the depressurization circuit is simple, the number of peripheral components is few, the voltage input range is wide, and the noise sensitivity of the circuit is reduced.

【技术实现步骤摘要】
一种降压电路
本技术属于电路
，特别涉及一种基于LM5116的可调降压电路。
技术介绍
当今社会，很多电子产品是由电源转换成合适电压的直流电来供电的，特别是将电压相对较高的直流电转换较低的直流电。所以市面上存在大量的DC-DC降压电路。现有的一些降压变换器，很多都采用电流模式控制，在电流模式控制中，脉宽调制器上的斜坡信号通常直接来自降压开关电流。这个开关电流感应出电感电流的上升沿。PWM斜波提供的信号可以简化控制回路相应信号极点，并且提供固定输入电压前馈补偿的传输功能，而PWM斜坡控制使用的电压开关电流信号的确定是由于电路中存在原本应该滤出的寄生效应，产生一个非常大的上升沿过冲。而且电流检测也可能引入明显的传输延时。滤波器，占空时间，传输延时这些过程都会限制能达到的最小脉冲宽度。因此现有技术中降压电路的噪声灵敏度大，且难以对高输入的电压进行可靠控制，使输入电压范围受到一定的局限。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是，提供一种降压电路，以较少的器件实现降压电路的宽输入范围和较小的噪声灵敏度的目的。为了实现上述目的，本技术采取的技术方案为：包括降压变换电路、LM5116芯片U1及其外围电路，所述降压变换电路包括MOS管Q1、MOS管Q2、电感L1、电容C1、电容C2、电阻R1，高压直流电输入MOS管Q1的漏极，MOS管Q1的源极与MOS管Q2的漏极连接，MOS管Q2的源极通过电阻R1接地，电感L1一端连接MOS管Q1的源极，另一端分别连接MOS管Q1的漏极和电容C1的一端，电容C1另一端接地，电容C1的两端并接电容C2，C2两端连接降压输出端(Vout+、Vout-)，MOS管Q1和MOS管Q2的栅极均连接芯片U1的输出端，芯片U1输出控制信号控制Q1、Q2的导通和断开。电源输出端分别连接芯片U1的VIN端、电阻R4的一端和二极管D1的阳极，电阻R4另一端分别连接二极管D1的阴极、芯片U1的UVLO端、电阻R5的一端，电阻R5的另一端接地，二极管D1的阴极通过电容C5接地，芯片U1的RT脚通过电阻R6接地，芯片U1的AGND脚和PGND脚接地，+12V电源经电阻R2与芯片U1的RAMP脚连接，电阻R2经电容C3接地，芯片U1的SS脚经电容C6接地，U1的COMP脚经电容C9接电阻R9一端，电容C9两端并联有串接的电阻R7和电容C10，芯片U1的VOUT端经R8接电阻R9一端，U1的FB脚连接电阻R9一端，R9的另一端接地，U1的SW脚分别连接MOS管Q1的源极和电容C4的一端，C4的另一端分别连接HB脚和二极管D2的阳极，二极管D2的阴极通过电容C8接地，U1的VCC脚连接二极管D2的阴极，+12V电源连接U1的VCCX脚，U1的VCCX脚经电容C7接地，MOS管Q1的栅极连接U1的HO脚，MOS管Q2的栅极连接U1的LO脚，U1的CS脚连接MOS管Q2的源极，U1的CSG脚接地，U1的DEMB脚通过电阻R3接地。所述的MOS管Q1和MOS管Q2均为N沟道MOS管。本技术的优点为，降压电路结构简单，外围元器件个数少，电压输入范围宽，减少了电路的噪声灵敏度。附图说明本说明书包括以下附图，所示内容分别是：图1是本技术的结构原理图；图2是本技术降压变换电路原理图；图3为LM5116芯片及其外围电路图具体实施方式下面对照附图，通过对实施例的描述，对本技术的具体实施方式作进一步详细的说明，目的是帮助本领域的技术人员对本技术的构思、技术方案有更完整、准确和深入的理解，并有助于其实施。如图1所示，一种降压电路，包括降压变化电路、LM5116芯片U1及其外围电路组成，直流高压电输入到降压变化电路的输入端，LM5116芯片U1及其外围电路组成的控制电路的输出端连接降压变换电路的控制输入端，同时芯片U1获取降压变换电路的返回信号，经降压变换电路降低后的低压电经低压输出端VOUT+和VOUT-输入到负载的电源输入端。通过芯片U1及其外围电路组成的控制电路对降压变换电路进行的周期性循环的控制，使得MOS管导通关闭循环交替进行，控制不同的导通时间进而完成降压的目的。下面将结合具体电路对本技术的电路做进一步说明。如图2所示，为降压变换电路的一种具体实施方式，其包括两个N沟道MOS管Q1、Q2，其中Q1为高边MOS管，Q2为低边MOS管，储能电感L1，滤波电容C1、C2，高压直流电通过输入口Vin输入高压直流电，高压直流电输入到MOS管Q1的漏极，MOS管Q1的源极与MOS管Q2的漏极连接，MOS管Q2的源极通过电阻R1接地。储能电感L1的一端连接MOS管的源极，另一端分别了连接MOS管Q1的漏极和电容C1的一端，电容C1的另一端接地。电容C1的两端并联有电容C2，电容C2两端降压输出端VOUT+和VOUT-，降压输出端VOUT+和VOUT-连接负载的电源输入端。如图3所示，为LM5116芯片及其外围电路组成的控制电路，其具体连接为：芯片电源为芯片的供电电源，其输出端Vin分别连接芯片U1的VIN端、电阻R4的一端和二极管D1的阳极，电阻R4另一端分别连接二极管D1的阴极、芯片U1的UVLO端、电阻R5的一端，电阻R5的另一端接地，二极管D1的阴极通过电容C5接地。芯片U1的RT脚通过电阻R6接地，芯片U1的AGND脚和PGND脚接地，+12V电源经电阻R2与芯片U1的RAMP脚连接，电阻R2经电容C3接地，芯片U1的SS脚经电容C6接地，U1的COMP脚经电容C9接电阻R9一端，电容C9两端并联有串接的电阻R7和电容C10，芯片U1的VOUT端经R8接电阻R9一端，U1的FB脚连接电阻R9一端，R9的另一端接地，U1的SW脚分别连接MOS管Q1的源极和电容C4的一端，C4的另一端分别连接HB脚和自举二极管D2的阳极，二极管D2的阴极通过电容C8接地，U1的VCC脚连接二极管D2的阴极，+12V电源连接U1的VCCX脚，U1的VCCX脚经电容C7接地，MOS管Q1的栅极连接U1的HO脚，MOS管Q2的栅极连接U1的LO脚，U1的CS脚连接MOS管Q2的源极，U1的CSG脚接地，U1的DEMB脚通过电阻R3接地。在工作过程中，两个MOS管Q1、Q2是用LM5116芯片驱动，用相同的频率互补工作，电容C1、C2起到输出滤波的作用。电阻R1是对低边NMOS管的源极进行电流采样，通过CS脚采集以监控低压变换电路不会进入过流状态。电阻R3是保证MOS管的同步工作。本电路中的低压变换电路可以使储能电感L1的电感值和体积减少，且能够获得更好的响应特性。基于LM5116芯片的控制电路利用一个独立的，不需要测量降压开关电流，而是采用了重建斜坡信号的方式，能够提高了输入电压的控制范围，减少了脉宽调制电路的噪声的灵敏度。通过电阻R6、储能电感L1、电阻R1、电容C3以及Q1、Q2的导通时间的控制和改变，达到在具体电路结构不改变的前提下，对输出直流电压的值进行可调的目的。以上结合附图对本技术进行了示例性描述。显然，本技术具体实现并不受上述方式的限制。只要是采用了本技术的方法构思和技术方案进行的各种非实质性的改进；或未经改进，将本技术的上述构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本实用新本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种降压电路，其特征在于：包括降压变换电路、LM5116芯片U1及其外围电路，所述降压变换电路包括MOS管Q1、MOS管Q2、电感L1、电容C1、电容C2、电阻R1，高压直流电输入MOS管Q1的漏极，MOS管Q1的源极与MOS管Q2的漏极连接，MOS管Q2的源极通过电阻R1接地，电感L1一端连接MOS管Q1的源极，另一端分别连接MOS管Q1的漏极和电容C1的一端，电容C1另一端接地，电容C1的两端并接电容C2，C2两端连接降压输出端(Vout+、Vout‑)，MOS管Q1和MOS管Q2的栅极均连接芯片U1的输出端，芯片U1输出控制信号控制Q1、Q2的导通和断开。

【技术特征摘要】
1.一种降压电路，其特征在于：包括降压变换电路、LM5116芯片U1及其外围电路，所述降压变换电路包括MOS管Q1、MOS管Q2、电感L1、电容C1、电容C2、电阻R1，高压直流电输入MOS管Q1的漏极，MOS管Q1的源极与MOS管Q2的漏极连接，MOS管Q2的源极通过电阻R1接地，电感L1一端连接MOS管Q1的源极，另一端分别连接MOS管Q1的漏极和电容C1的一端，电容C1另一端接地，电容C1的两端并接电容C2，C2两端连接降压输出端(Vout+、Vout-)，MOS管Q1和MOS管Q2的栅极均连接芯片U1的输出端，芯片U1输出控制信号控制Q1、Q2的导通和断开。2.如权利要求1所述的一种降压电路，其特征在于：芯片U1的外围电路连接为：芯片电源输出端分别连接芯片U1的VIN端、电阻R4的一端和二极管D1的阳极，电阻R4另一端分别连接二极管D1的阴极、芯片U1的UVLO端、电阻R5的一端，电阻R5的另一端接地，二极管D1的阴极通过电容C5接地，...

【专利技术属性】
技术研发人员：束龙胜，李帅，张晓昕，高峰，张希，李小庆，单任仲，陈任峰，
申请(专利权)人：安徽中电兴发与鑫龙科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34