显示面板及其驱动方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其驱动方法、显示装置。显示面板包括：像素电路和驱动电路，所述像素电路包括至少一个发光元件，所述发光元件包括多层量子阱结构；所述驱动电路用于调整输入所述发光元件的驱动电流，以使所述发光元件根据驱动电流大小发出相应颜色的光。本发明专利技术提供的显示面板能够以简单的像素电路控制发光元件显示不同的颜色及显示亮度，提高显示面板及显示装置的显示性能。

Display panel and its driving method and display device

The invention relates to the technical field of display, in particular to a display panel, a driving method and a display device. The display panel includes a pixel circuit and driving circuit, the pixel circuit includes at least one light emitting element, the light-emitting element includes a multilayer quantum well structure; the circuit is used to adjust the input drive current of the light emitting element, the light emitting element according to the driving current issued the corresponding color light. The display panel provided by the invention can control light emitting elements to display different colors and display brightness with simple pixel circuit, and improve the display performance of the display panel and display device.

【技术实现步骤摘要】
显示面板及其驱动方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种显示面板及其驱动方法、显示装置。
技术介绍
全彩LED显示以其显示的色彩丰富，高饱和度、高清晰度等优点备受市场青睐。但现有的全彩LED显示，往往采用多片单色的LED集成，或者采用短波长LED加荧光通过二次发光实现。这些实现LED全彩显示的技术方案，制作出的全彩显示LED结构及工艺流程复杂，而且限制了LED全彩显示的高PPI(PixelsPerInch，像素每英寸)，不能实现市场对显示面板高PPI的显示要求。因此，如何降低全彩LED显示的结构及工艺复杂度，实现高PPI显示是目前亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种显示面板及其驱动方法、显示装置。结合像素电路和驱动电路实现输出不同的驱动电流，以驱动电流驱动发光元件显示不同的颜色，从而实现全彩显示的目的，结构简单易实现，提高显示面板的显示性能。为实现该目的，本专利技术首先提供了一种显示面板，包括：像素电路和驱动电路，所述像素电路包括至少一个发光元件，所述发光元件包括多层量子阱结构；所述驱动电路用于调整输入所述发光元件的驱动电流，以使所述发光元件根据驱动电流大小发出相应颜色的光。优选地，所述发光元件包括GaN/InGaN多层量子阱结构。具体地，所述像素电路还包括：第一晶体管、存储电容、第二晶体管、及用于控制所述发光元件的发光时间的开关单元，所述第一晶体管的源极端外接扫描数据信号，所述第一晶体管的漏极端与所述第二晶体管的栅极端连接；所述第二晶体管的源极端接输入电压，所述第二晶体管的漏极端通过所述开关单元与所述发光元件连接，所述开关单元外接有控制其开关状态的控制信号。优选地，所述开关单元为薄膜晶体管，所述第一晶体管与开关单元为NMOS晶体管或PMOS晶体管，均工作在线性区。具体地，所述第二晶体管为PMOS晶体管，且工作在饱和区。具体地，所述开关单元的导通时间由外部输入的控制信号的脉冲宽度决定。相应地，本专利技术还提供了一种显示面板的驱动方法，用于驱动上述任一技术方案所述的显示面板，包括：通过外接扫描数据信号控制第一晶体管导通，以对存储电容实施充电；根据显示指令，驱动电路调整驱动第二晶体管的驱动电流大小，以调整存储电容向发光元件的放电电流大小，同时，通过外接控制信号控制开关单元导通及导通时间，以控制发光元件的发光时间与发光颜色。优选地，所述显示面板的驱动方法还包括：当所述第一晶体管关断时，存储电容放电，所述第二晶体管在所述第一晶体管关断后的至少一段时间内维持导通，输入电压通过所述第二晶体管对外输出电流。具体地，所述发光元件的发光强度由所述发光元件的发光时间决定。相应地，本专利技术还提供了一种显示装置，其包括上述任一技术方案所述的显示面板。与现有技术相比，本专利技术具备如下优点：本专利技术提供的显示面板包括像素电路和驱动电路，其中像素电路包括至少一个发光元件，所述发光元件包括多层量子阱结构。采用该种结构的发光元件能够发射覆盖整个可见光谱的光，且发射波长随着注入电流的增加而降低，仅需控制驱动单元向发光元件输出的电流即可控制发光元件的显示颜色。以简单的结构实现发光元件全彩显示的目的，大大降低了全彩显示的工艺复杂度，降低系统资源消耗。本专利技术提供的显示面板的每个像素单元均包含至少一个能够显示不同颜色的发光元件，提升像素单元的像素显示信息量，即显示面板的显示分辨率得到了提升，提升了显示面板的显示性能，提升用户的观看体验。以本专利技术提供的显示面板能够以单个晶体管控制像素阵列一行/列的选通和关闭，大大减少了像素电路中元件的数量，有利于该显示面板进一步小型化，减少过多开关所占空间，有利于充分利用基板空间提高像素密度，且可以避免因开关晶体管频繁刷新产生的额外功耗。另外，本专利技术提供的显示装置是在上述显示面板的基础上进行改进的，因此，所述显示装置自然继承了所述显示面板的全部优点。本专利技术的这些方面或其他方面在以下实施例的描述中会更加简明易懂。【附图说明】图1为本专利技术提供的像素电路的结构示意图；图2为本专利技术提供的像素电路的一种优选结构示意图；图3为本专利技术提供的显示面板的驱动方法的流程示意图；图4为本专利技术提供的第一晶体管的栅极电压、扫描数据信号及控制信号的波形图。【具体实施方式】下面结合附图和示例性实施例对本专利技术作进一步地描述，其中附图中相同的标号全部指的是相同的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出本专利技术的特征是不必要的，则将其省略。本专利技术首先提供了一种显示面板，显示面板包括：像素电路和驱动电路，像素电路的结构示意图如图1所示，所述像素电路包括至少一个发光元件2，所述发光元件包括多层量子阱结构；所述驱动电路用于调整输入所述发光元件的驱动电流，以使所述发光元件根据驱动电流大小发出相应颜色的光。能够实现所述驱动电路目的的电路结构很多，本专利技术实施例对此不做限定，其具体电路结构并未在本实施例所提供的图中示出，图1仅示出了驱动电路的输出电压，所述驱动电路的输出电压对应于像素电路的输入电压VDD，所述驱动电路用于调整输入所述发光元件的驱动电流，以使所述发光元件根据驱动电流大小发出相应颜色的光。如图1所示，所述像素电路还包括第一晶体管、存储电容、第二晶体管及用于控制所述发光元件2的发光时间的开关单元1，所述第一晶体管的源极端外接扫描数据信号，所述第一晶体管的漏极端与所述第二晶体管的栅极端连接；所述第二晶体管的源极端接输入电压VDD，所述第二晶体管的漏极端通过所述开关单元1与所述发光元件2连接，所述开关单元1外接有控制其开关状态的控制信号。显示面板中的驱动电路为像素电路提供输入电压，像素电路将该输入电压转换成驱动发光元件发光的驱动电流，在不同的输入电流作用下发光元件显示多种不同的颜色，达到全彩显示的目的。所述发光元件包括多层量子阱结构，材料优选为GaN/InGaN，本实施例所述发光元件优选为GaN/InGaN多层量子阱结构的LED，具体地，所述发光元件结构包括2um厚的无掺杂GaN层，3um厚的高Si掺杂N型GaN层，及用于质量改进的InGaN层，该种结构类型的发光元件可发射波长在460nm～650nm的光，以覆盖整个可见光谱，发射波长从650nm开始，随着注入电流的增加而降低到460nm以下，发光元件的显示颜色由流经发光元件的电流决定，显示红色、绿色、蓝色所需的电流依次增大，如，像素电路采用GaN/InGaN多层量子阱结构的全彩LED，在电流为15毫安时显示为红色，电流为200毫安时显示为绿色，电流为400毫安时显示为蓝色。以GaN/InGaN多层量子阱结构的LED作为发光元件能够根据不同的电流大小显示不同颜色的光，实现单个发光元件显示多种不同颜色的目的，采用该种结构的发光元件仅需控制驱动电流的大小即能控制发光元件显示的颜色，与传统的集合多个单彩LED形成全彩显示的方法相比，减少了发光元件占用的空间及耗能。图2为本专利技术实施例提供的像素电路的一种优选的结构示意图，其中，所述像素电路中除去发光元件的部分用于调控输出电流大小，该部分优选为硅基CMOS(互补金属氧化物半导体)电路，由于晶体管具有开关、信号调制的功能，因此开关单元1优选为薄膜晶体管，为便于区分说明，将该薄膜晶体管命名为第三晶体管，所述第三晶体管的栅极端外接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示面板，其特征在于，包括像素电路和驱动电路，所述像素电路包括至少一个发光元件，所述发光元件包括多层量子阱结构；所述驱动电路用于调整输入所述发光元件的驱动电流，以使所述发光元件根据驱动电流大小发出相应颜色的光。

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括像素电路和驱动电路，所述像素电路包括至少一个发光元件，所述发光元件包括多层量子阱结构；所述驱动电路用于调整输入所述发光元件的驱动电流，以使所述发光元件根据驱动电流大小发出相应颜色的光。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述发光元件包括GaN/InGaN多层量子阱结构。3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素电路还包括：第一晶体管、存储电容、第二晶体管及用于控制所述发光元件的发光时间的开关单元，所述第一晶体管的源极端外接扫描数据信号，所述第一晶体管的漏极端与所述第二晶体管的栅极端连接；所述第二晶体管的源极端接输入电压，所述第二晶体管的漏极端通过所述开关单元与所述发光元件连接，所述开关单元外接有控制其开关状态的控制信号。4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述开关单元为薄膜晶体管，所述第一晶体管与开关单元为NMOS晶体管或PMOS晶体管，均工作在线性区。5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈小川，玄明花，梁蓬霞，张粲，王灿，杨明，岳晗，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11