基板传送装置及包含该基板传送装置的基板处理系统制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
基板传送装置及包含该基板传送装置的基板处理系统
本申请涉及基板加工
，尤其涉及一种基板传送装置以及包含该基板传送装置的基板处理系统。
技术介绍
目前，利用现有的基板传送装置对基板进行传送时以及利用现有的基板处理系统对基板进行处理例如向基板上淀积薄膜时，需要使用基板承载盘来承载基板。使用基板承载盘承载基板的方式存在以下缺陷：第一、在基板处理例如向基板上沉积薄膜过程中，同时也会在基板承载盘上形成沉积，为了防止该形成在基板承载盘上的沉积脱落在基板表面上导致在基板上形成缺陷，需要在基板承载盘上的沉积积累到一定厚度例如0.5至1微米后，清洗基板承载盘。第二、为了减少工艺反应室内的工艺反应时间以及提高整个系统的生产率，在将基板承载盘传送至工艺反应室之前，需要在装卸室(loadlockchamber)内对基板承载盘进行预热，使其接近基板处理温度。第三、为了减少淀积薄膜龟裂的可能性，在对基板加工处理完后，基板承载盘暴露在空气之前，需要对基板承载盘进行冷却。此外，对于正、背面均需要处理的基板例如异质结电池来说，需要在基板的正面和背面上均沉积上薄膜，为了避免交叉污染，应用于基板...
【技术保护点】
一种基板传送装置，其特征在于，所述基板包括多列呈列排布的晶片，每列晶片包括多片晶片，所述基板传送装置包括：传送机械臂，所述传送机械臂上设置有基板传送叉，所述基板传送叉包括一条主干和多条相互平行的分叉，每条所述分叉的一端连接在所述主干上，另一端为自由端；每条所述分叉上设置有多个凹槽，每相邻两条所述分叉上的多个所述凹槽相对设置；每条所述分叉上的每相邻两个凹槽与相邻分叉上与之相对的两个凹槽共同形成支撑一片晶片的晶片支撑结构。
【技术特征摘要】
1.一种基板传送装置，其特征在于，所述基板包括多列呈列排布的晶片，每列晶片包括多片晶片，所述基板传送装置包括：传送机械臂，所述传送机械臂上设置有基板传送叉，所述基板传送叉包括一条主干和多条相互平行的分叉，每条所述分叉的一端连接在所述主干上，另一端为自由端；每条所述分叉上设置有多个凹槽，每相邻两条所述分叉上的多个所述凹槽相对设置；每条所述分叉上的每相邻两个凹槽与相邻分叉上与之相对的两个凹槽共同形成支撑一片晶片的晶片支撑结构。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述凹槽的侧壁为斜坡。3.一种基板处理系统，其特征在于，所述基板包括多列呈列排布的晶片，每列晶片包括多片晶片，所述基板处理系统包括：用于装载基板的装载室、用于传送基板的传送室、用于对基板进行工艺反应处理的工艺反应室以及用于拆卸基板的拆卸室；所述传送室分别与所述装载室、所述工艺反应室和所述拆卸室之间连通且设置有隔离阀；所述传送室内设置有至少一套如权利要求1或2所述的基板传送装置；所述装载室和所述拆卸室内均分别设置有用于承载基板的各个晶片的晶片承载柱；所述工艺反应室内设置有用于承载基板的基座；在所述基座上设置有多个提升销，所述多个提升销与待承载的基板上的各个晶片相对应，且提升销的表面小于晶片表面，每个所述提升销能够将放置在其上的晶片从所述基座上提起。4.根据权利要求3所述的基板处理系统，其特征在于，设置于所述工艺反应室内的基座上的提升销能够上下移动，从而带...
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