一种可调频率有源电感谐振振荡器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种可调频率有源电感谐振振荡器。一种可调频率有源电感谐振振荡器包括第一电阻R1、第一NMOS管M1、第二电阻R2、第二NMOS管M2、固定电容C、可变电容Cb、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4、第五NMOS管M5。本实用新型专利技术所达到的有益效果在于，通过调节可变电容Cb可以使得振荡频率精度更高，范围更大；也可以通过设置第一NMOS管M1和第二NMOS管M2的宽长比以及电阻R1和R2来获得振荡器的更大带宽；同时所占芯片面积小。

An adjustable frequency active inductor oscillator

The utility model discloses an adjustable frequency active inductor resonant oscillator. An adjustable frequency active inductance resonant oscillator includes the first resistance R1, the first NMOS tube M1, the second resistance R2, the second NMOS tube M2, the fixed capacitance C, the variable capacitance Cb, the third NMOS tube M3, the fourth NMOS tube accelerator, and the fifth transistor tube. The beneficial effect of the utility model is achieved by adjusting the variable capacitance, Cb oscillation frequency can make higher accuracy, wider range; can also use more bandwidth is set for the first NMOS tube M1 and second NMOS tube M2 length width ratio and resistance R1 and R2 to get the oscillator; at the same time for small chip area.

【技术实现步骤摘要】
一种可调频率有源电感谐振振荡器
本技术涉及集成电路技术，尤其涉及到可调频率有源电感谐振振荡器。
技术介绍
片上无源LC振荡结构在工艺制作上相比有源电感复杂很多、成本高和体积大，同时调整难度也大。采用有源电感实现谐振振荡器，芯片面积大大缩小，可调谐性好。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是：提供一种可调频率有源电感谐振振荡器，可以实现可调频、面积小、低成本。为解决上述技术问题，本技术提供一种可调频率有源电感谐振振荡器，包括第一电阻R1、第一NMOS管M1、第二电阻R2、第二NMOS管M2、固定电容C、可变电容Cb、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4、第五NMOS管M5：第一电阻R1的一端接第一NMOS管M1的漏极再接电源VCC，另一端接第一NMOS管M1的栅极；第一NMOS管M1的源极接第一输出端OUT1、第三NMOS管M3的漏极、第四NMOS管M4的栅极、电容C的一端，电容C的另一端接可变电容Cb的一端；第二电阻R2的一端接第二NMOS管M2的漏极再接电源VCC，另一端接第二NMOS管M2的栅极；第二NMOS管M2的源极接第二输出端OUT2、第四NMOS管M4的漏极、第三NMOS管M3的栅极、可变电容Cb的另一端；第三NMOS管M3的源极和第四NMOS管M4的源极接在一起再接第五NMOS管M5的漏极，第五NMOS管M5的源极接地、栅极接参考电压VB。进一步的，可变电容Cb由五个NMOS管并联组成，所有源漏极都连在一起作为可变电容Cb的一端，另一端通过引出五个NMOS管的栅极作为调整端，通过接A、B、C、D、E个数进行调整电容的大小。本技术所达到的有益效果在于，通过调节可变电容Cb可以使得振荡频率精度更高，范围更大；也可以通过设置第一NMOS管M1和第二NMOS管M2的宽长比以及电阻R1和R2来获得振荡器的更大带宽；同时所占芯片面积小。附图说明图1为本技术的电路图。图2为本技术的可变电容Cb的组成图。具体实施方式以下结合附图和实施例对本
技术实现思路
进一步说明。本技术提供一种可调频率有源电感谐振振荡器，如图1所示，包括第一电阻R1、第一NMOS管M1、第二电阻R2、第二NMOS管M2、固定电容C、可变电容Cb、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4、第五NMOS管M5：第一电阻R1的一端接第一NMOS管M1的漏极再接电源VCC，另一端接第一NMOS管M1的栅极；第一NMOS管M1的源极接第一输出端OUT1、第三NMOS管M3的漏极、第四NMOS管M4的栅极、电容C的一端，电容C的另一端接可变电容Cb的一端；第二电阻R2的一端接第二NMOS管M2的漏极再接电源VCC，另一端接第二NMOS管M2的栅极；第二NMOS管M2的源极接第二输出端OUT2、第四NMOS管M4的漏极、第三NMOS管M3的栅极、可变电容Cb的另一端；第三NMOS管M3的源极和第四NMOS管M4的源极接在一起再接第五NMOS管M5的漏极，第五NMOS管M5的源极接地、栅极接参考电压VB。如图2所示，可变电容Cb由五个NMOS管并联组成，所有源漏极都连在一起作为可变电容Cb的一端，另一端通过引出五个NMOS管的栅极作为调整端，通过接A、B、C、D、E个数进行调整电容的大小。振荡频率为其中Cgs1为第一NMOS管M1的栅源电容，gm1为第一NMOS管M1的跨导。通过调节可变电容Cb可以使得振荡频率精度更高，范围更大。也可以通过设置第一NMOS管和第二NMOS管的宽长比以及电阻R1和R2来获得振荡器的更大带宽。对上述所提供的实施方式的说明，仅是本技术的优选实施方式的说明，对本
的技术人员来说能够根据以上说明进行实现或使用本专利技术。应当指出，对于本
的技术人员来说，在不脱离本技术技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，任何不超出本专利技术实质精神范围内的专利技术创造，应视为本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可调频率有源电感谐振振荡器，其特征在于：包括第一电阻R1、第一NMOS管M1、第二电阻R2、第二NMOS管M2、固定电容C、可变电容Cb、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4、第五NMOS管M5：第一电阻R1的一端接第一NMOS管M1的漏极再接电源VCC，另一端接第一NMOS管M1的栅极；第一NMOS管M1的源极接第一输出端OUT1、第三NMOS管M3的漏极、第四NMOS管M4的栅极、电容C的一端，电容C的另一端接可变电容Cb的一端；第二电阻R2的一端接第二NMOS管M2的漏极再接电源VCC，另一端接第二NMOS管M2的栅极；第二NMOS管M2的源极接第二输出端OUT2、第四NMOS管M4的漏极、第三NMOS管M3的栅极、可变电容Cb的另一端；第三NMOS管M3的源极和第四NMOS管M4的源极接在一起再接第五NMOS管M5的漏极，第五NMOS管M5的源极接地、栅极接参考电压VB。

【技术特征摘要】
1.一种可调频率有源电感谐振振荡器，其特征在于：包括第一电阻R1、第一NMOS管M1、第二电阻R2、第二NMOS管M2、固定电容C、可变电容Cb、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4、第五NMOS管M5：第一电阻R1的一端接第一NMOS管M1的漏极再接电源VCC，另一端接第一NMOS管M1的栅极；第一NMOS管M1的源极接第一输出端OUT1、第三NMOS管M3的漏极、第四NMOS管M4的栅极、电容C的一端，电容C的另一端接可变电容Cb的一端；第二电阻R2的一端接第二NMOS管M2的漏极再接电...

【专利技术属性】
技术研发人员：王文建，
申请(专利权)人：浙江商业职业技术学院，
类型：新型
国别省市：浙江,33