基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术包含：管件，具有内空间；基板支撑件，多个基板在管件内以多级形式堆叠于基板支撑件上，基板支撑件个别地界定分别处理多个基板的多个处理空间；第一气体供应部件，经组态以将第一气体供应至所有多个处理空间中；第二气体供应部件，包括多个喷射器，多个喷射器经安置为分别对应于多个处理空间，使得将第二气体个别地供应至多个基板中的每一者上；以及排出部件，经组态以排出管件内的气体。因此，可将气体个别地供应至分别处理多个基板的处理空间中的每一者中。

Substrate treatment device

The present invention includes: fittings, with inner space; a substrate support, a plurality of substrates in the pipe by multi-stage stacked on the substrate support on the substrate support individually defining a plurality of processing space respectively handle multiple substrate; a first gas supply member configured to be the first gas supply to all the more processing space; second gas supply unit, including a plurality of injectors, a plurality of injectors disposed respectively corresponding to a plurality of processing space, which will supply second gas individually each of a plurality of substrates on the discharge member; and, configured to discharge gas pipe fitting. Therefore, the gas can be supplied individually to each of the processing spaces of a plurality of substrates respectively.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理装置
本
技术实现思路
涉及一种基板处理装置，且更特定而言，涉及一种能够将气体个别地供应至分别处理多个基板的空间中的基板处理装置。
技术介绍
一般而言，基板处理设备(substrateprocessingequipment)被分类成能够一次处理一个基板的单晶圆型基板处理设备(singlewafertypesubstrateprocessingequipment)，以及能够同时处理多个基板的批量型基板处理设备(batchtypesubstrateprocessingequipment)。单晶圆型基板处理设备具有简单结构，但具有低生产力。因此，正广泛地使用能够大量生产基板的批量型基板处理设备。批量型基板处理设备包含：处理腔室(processingchamber)，在处理腔室中容纳以及处理以多级形式水平地堆叠的基板；处理气体供应喷嘴(processinggassupplynozzle)，用于将处理气体供应至处理腔室中；以及排出管线(exhaustline)，通过排出管线而排出处理腔室中的气体。可如下执行使用批量型基板处理设备的基板处理程序(substrateprocessingprocess)。首先，将多个基板装载至处理腔室中。接着，在通过排出管线而排出处理腔室内的气体时，将处理气体通过处理气体供应喷嘴而供应至处理腔室中。此处，将自处理气体供应喷嘴喷射的处理气体引入至排出管线中，同时在多个基板之间传递以在每一基板上形成薄膜。然而，在根据相关技术的基板处理设备中，可将处理气体通过一个处理气体供应管线而供应至处理气体供应喷嘴中。因此，可仅控制被供应至处理腔室中的处理气体的总量，但可不单独地控制被供应至每一基板上的处理气体的量。也即，可不单独地控制被供应至每一基板上的处理气体的浓度。因此，由于考虑到基板的状态而不控制薄膜的厚度，故多个基板的薄膜可彼此不同。
技术实现思路
技术问题本
技术实现思路
提供一种能够将气体个别地供应至分别处理多个基板的处理空间(processingspace)中的基板处理装置。本
技术实现思路
也提供一种能够根据基板处理程序的情形来控制至少一种气体的选择性供应的基板处理装置。本
技术实现思路
也提供一种能够改良基板处理程序的效率的基板处理装置。技术方案根据例示性实施例，一种基板处理装置包含：管件(tube)，具有内空间；基板支撑件(substratesupport)，多个基板在管件内以多级形式堆叠于基板支撑件上，基板支撑件个别地界定分别处理多个基板的多个处理空间；第一气体供应部件(firstgassupplypart)，经组态以将第一气体供应至所有多个处理空间中；第二气体供应部件(secondgassupplypart)，包含多个喷射器(injeetor)，多个喷射器经安置为分别对应于多个处理空间，使得将第二气体个别地供应至多个基板中的每一者上；以及排出部件(exhaustpart)，经组态以排出管件内的气体。第一气体供应部件可包含：喷射单元(injectionunit)，在基板堆叠的方向上延伸；以及气体供应单元(gassupplyunit)，连接至喷射单元以将气体供应至喷射单元中，其中经界定为在基板堆叠的方向上对应于处理空间的多个喷射孔(injectionhole)可界定于喷射单元中。多个喷射孔可具有在远离于喷射单元与气体供应单元彼此连接处的部分的方向上逐渐地增加的直径。第二气体供应部件可包含：多个喷射器，具有彼此不同的高度以分别对应于处理空间；以及多个气体供应管线，分别连接至喷射器的端部。喷射气体所通过的喷射孔可界定于喷射器的其他端部中，且喷射孔可沿着管件的圆周以螺旋方式界定。多个气体供应管线中的每一者可包含：气体管件(gastube)，经组态以界定气体移动通过的路径，气体管件连接至喷射器中的每一者；流量传感器(flowsensor)，安装于气体管件中以量测气体管件内的气体的流动速率；以及阀门(valve)，安装于气体管件中以控制气体管件内的气体的流动速率，其中可个别地控制多个气体供应管线以个别地量测气体的流动速率。界定于第一气体供应部件中的喷射孔以及界定于第二气体供应部件中以对应于喷射孔的通孔(throughhole)可界定于管件的圆周中。基板处理装置可还包含旋转驱动部件(rotationaldrivingpart)，旋转驱动部件连接至基板支撑件以旋转基板支撑件。基板处理装置可还包含外部管件(externaltube)，外部管件经组态以在其中容纳管件，其中第一气体供应部件的喷射单元以及第二气体供应部件的喷射器可安置于管件与外部管件之间。第一气体供应部件可供应包含硅源气体(siliconsourcegas)的第一气体。第二气体供应部件可将包含掺杂气体(dopantgas)以及蚀刻气体(etchinggas)中的至少一者的第二气体选择性地供应至多个基板中的每一者上。基板支撑件可包含多个隔离板(isolationplate)，多个隔离板在基板的堆叠方向上分别安置于基板之间以使多个处理空间彼此隔离。有利效果根据例示性实施例，气体供应部件能够将气体个别地供应至分别处理多个基板的处理空间中。因此，可根据每一基板的情形来单独地控制被供应至每一处理空间中的气体的量。因此，由于经供应气体的量被控制为最佳地供应至每一基板上，故可改良基板或基板上的薄膜的品质。再者，根据例示性实施例，可根据处理程序的情形来选择性地供应至少一种气体。因此，可选择待供应气体的种类以调整形成于基板上的薄膜的厚度。因此，多个基板上的薄膜可整体上具有均一厚度以改良薄膜的品质。再者，由于控制被供应至每一处理空间中的气体的量以及种类，故可根据基板的情形来快速地控制处理程序的条件。因此，可缩减基板或基板上的薄膜的缺陷以改良基板处理程序的效率。再者，根据例示性实施例，可提供用于供应主要源气体的第一气体供应部件以及用于选择性地供应至少一种气体中的至少一者的第二气体供应部件。因此，当控制待供应至处理空间中的在第二气体供应部件中选择的气体的量时，可控制主要源气体与经选择气体的混合比率。再者，可根据在第二气体供应部件中选择的气体的种类来选择性地执行各种基板处理程序。附图说明图1为根据例示性实施例的基板处理设备的示意图。图2为根据例示性实施例的基板处理装置的视图。图3为根据例示性实施例的基板支撑件的视图。图4为根据例示性实施例的说明管件以及气体供应部件的结构的透视图。图5为根据例示性实施例的说明管件以及气体供应部件的结构的平面图。图6为根据例示性实施例的说明气体供应单元以及气体供应管线的结构的视图。具体实施方式在下文中，将参考随附附图来详细地描述特定实施例。然而，本专利技术可以不同形式予以体现且不应被认作限于本文中所阐述的实施例。更确切而言，提供此等实施例使得本专利技术将透彻且完整，且将向在本领域技术人员充分地传达本专利技术的范畴。在诸图中，出于说明清楚起见而夸示层以及区的尺寸。类似附图元件符号始终指代类似元件。图1为根据例示性实施例的基板处理设备的示意图，图2为根据例示性实施例的基板处理装置的视图，图3为根据例示性实施例的基板支撑件的视图，图4为根据例示性实施例的说明管件以及气体供应部件的结构的透视图，图5为根据例示性实施例的说明管件以及气体供应部件的结构的平面图，且图6本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，包括：管件，具有内空间；基板支撑件，多个基板在所述管件内以多级形式堆叠于所述基板支撑件上，所述基板支撑件个别地界定分别处理所述多个基板的多个处理空间；第一气体供应部件，经组态以将第一气体供应至所有所述多个处理空间中；第二气体供应部件，包括多个喷射器，所述多个喷射器经安置为分别对应于所述多个处理空间，使得将第二气体个别地供应至所述多个基板中的每一者上；以及排出部件，经组态以排出所述管件内的气体。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.04.14 KR 10-2015-00525331.一种基板处理装置，包括：管件，具有内空间；基板支撑件，多个基板在所述管件内以多级形式堆叠于所述基板支撑件上，所述基板支撑件个别地界定分别处理所述多个基板的多个处理空间；第一气体供应部件，经组态以将第一气体供应至所有所述多个处理空间中；第二气体供应部件，包括多个喷射器，所述多个喷射器经安置为分别对应于所述多个处理空间，使得将第二气体个别地供应至所述多个基板中的每一者上；以及排出部件，经组态以排出所述管件内的气体。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述第一气体供应部件包括：喷射单元，在所述多个基板堆叠的方向上延伸；以及气体供应单元，连接至所述喷射单元以将所述气体供应至所述喷射单元中，其中经界定为在所述多个基板堆叠的所述方向上对应于所述多个处理空间的多个喷射孔界定于所述喷射单元中。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中所述多个喷射孔具有在远离于所述喷射单元与所述气体供应单元彼此连接处的部分的方向上逐渐地增加的直径。4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述第二气体供应部件包括：多个喷射器，具有彼此不同的高度以分别对应于所述多个处理空间；以及多个气体供应管线，分别连接至所述多个喷射器的端部。5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中喷射所述气体所通过的喷射孔界定于所述多个喷射器的其他端部中，且所述喷射孔沿着所述管件的圆周以螺旋方式界定。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑愚德，诸成泰，崔圭鎭，韩星珉，
申请(专利权)人：株式会社EUGENE科技，
类型：发明
国别省市：韩国,KR