The present invention discloses a device including a microfluidic channel and a flow sensor along a microfluidic channel. The flow sensor includes the heating resistor used to connect to the current source, the analytical parameter sensor and the electronic device. The heating resistor has a resistance that varies in response to temperature. The electrical parameter sensor is used to detect the electrical parameters of the heating resistor based on the resistance of the heater resistor. The electronic device determines the flow based on the sensed electrical parameters.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】微流体流动传感器
技术介绍
各种传感器可用于感测流体的流动。然而,这种传感器可能是大体积的、昂贵的且非常难以集成在芯片和微流体装置中。附图说明图1是示意性示出示例微流体流动感测系统的俯视图。图2是用于感测微流体通道中的流体流动的示例方法的流程图。图3是示意性示出另一示例微流体流动感测系统的俯视图。图4是示意性示出另一示例微流体流动感测系统的俯视图。图5是示意性示出另一示例微流体流动感测系统的俯视图。图6是示意性出另一示例微流体流动感测系统的俯视图。图7是示意性示出另一示例微流体流动感测系统的俯视图。图8是示意性示出另一示例微流体流动感测系统的一部分的俯视图。图9是沿线9-9截取的图8的微流体流动感测系统的截面图。图10是示例微流体流动感测系统的示例微流体通道和发热电阻器的截面图。图11是示例微流体流动感测系统的另一示例微流体通道和发热电阻器的截面图。具体实施方式图1示意性示出示例微流体流动感测系统20,微流体流动感测系统20包括感测通过微流体通道24的流体流动的微流体传感器22。如以下将描述的,流动传感器22有利于以紧凑且成本有效的方式感测流体流动。流动传感器22良好地适于集成到微流体装置中。微流体通道24包括形成在基板26内或形成在基板26上的通路。微流体通道24具有宽度和高度,宽度和高度中的每一者为亚毫米(sub-millimeter)规格。在一种实施方式中,微流体通道24具有宽度和高度,该宽度和高度的每一个具有在5μm和200μm之间的尺寸且通常在5μm和50μm之间的尺寸。尽管微流体通道24被示出为线性的,但是微流体通道24可以具有弯曲的、蛇形的、分支的 ...
【技术保护点】
一种设备,包括:微流体通道;以及沿着所述微流体通道的流动传感器,所述流动传感器包括:发热电阻器,所述发热电阻器用于连接到电流源,所述发热电阻器的电阻响应于温度而变化;电参数传感器,所述电参数传感器用于感测基于所述发热电阻器的电阻的所述发热电阻器的电参数;以及电子器件,所述电子器件基于感测到的电参数确定流动。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种设备,包括:微流体通道;以及沿着所述微流体通道的流动传感器,所述流动传感器包括:发热电阻器,所述发热电阻器用于连接到电流源,所述发热电阻器的电阻响应于温度而变化;电参数传感器,所述电参数传感器用于感测基于所述发热电阻器的电阻的所述发热电阻器的电参数;以及电子器件,所述电子器件基于感测到的电参数确定流动。2.根据权利要求1所述的设备,其中,所述流动传感器进一步包括:第二发热电阻器,所述第二发热电阻器的电阻响应于温度而变化;第二传感器,所述第二传感器用于感测基于所述第二发热电阻器的电阻的所述第二发热电阻器的电参数。3.根据权利要求1所述的设备,进一步包括:基板,所述基板支撑所述微流体通道和所述流动传感器;以及流体相互作用组件,所述流体相互作用组件由所述基板支撑以便与由所述微流体通道引导的流体相互作用。4.根据权利要求3所述的设备,其中,所述流体相互作用组件从由下述内容组成的流体相互作用组件组中选择:源于所述微流体通道的微流体分支通道,微流体泵,微流体阀,微流体多用混合器,点滴喷射器,热喷墨电阻器以及喷嘴。5.根据权利要求1所述的设备,其中,所述发热电阻器在从由下述内容组成的路径组中选择的路径中延伸跨过所述微流体通道:对角路径、蛇形路径、波形路径、锯齿形路径以及方波路径。6.根据权利要求1所述的设备,进一步包括:基板,所述基板位于所述发热电阻器的下面;以及热绝缘层,所述热绝缘层位于所述基板和所述发热电阻器之间,所述热绝缘层的导热率小于或等于1-2.5W/m*℃。7.根据权利要求6所述的设备,进一步包括位于所述发热电阻器的相对侧上的第二热绝缘层,其中,所述发热电阻器的顶部被暴露于所述微流体通道内的流体,所述第二热绝缘层的导热率小于或等于0.3W/m*℃。8.根据权利要求1所述的设备,进一步包括:基板,所述基板位于所述发热...
【专利技术属性】
技术研发人员:A·戈夫亚迪诺夫,E·D·托尔尼埃宁,P·科尔尼洛维奇,
申请(专利权)人:惠普发展公司,有限责任合伙企业,
类型:发明
国别省市:美国,US
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