像素记忆电路、液晶显示器和可穿戴设备制造技术

本发明专利技术公开了一种像素记忆电路、液晶显示器和可穿戴设备，其中，像素记忆电路包括：仅由NMOS管构成的锁存单元；开关单元，开关单元在行扫描信号的控制下导通，以将数据电压提供给锁存单元，以便锁存单元对数据电压进行锁存并生成锁存信号；选择单元，选择单元的第一接收端接收第一选择信号，选择单元的第二接收端接收第二选择信号，选择单元在锁存信号的控制下将第一选择信号或第二选择信号施加给像素电极，并在开关单元关断时继续向像素电极施加第一选择信号或第二选择信号，以实现像素自动更新。该电路不仅能够锁存数据电压实现像素更新，且在产线上不需导入PMOS工艺，也无需增加掩膜成本，工艺技术难度低。

【技术实现步骤摘要】
像素记忆电路、液晶显示器和可穿戴设备
本专利技术涉及液晶
，特别涉及一种像素记忆电路、一种液晶显示器和一种可穿戴设备。
技术介绍
自LG发布第一款智能手表GWatchR以来，智能手表市场开始迅猛发展。为了更好占领市场，降低功耗，各大厂商在液晶技术上作了很多投入。例如，2015年，日本面板厂商JapanDisplay宣布推出一款采用MIP(memory-in-pixel，像素内存)技术的超低功耗反射型LCD(LiquidCrystalDisplay，液晶显示器)面板，并将其应用于可穿戴设备。该LCD面板不仅可做到64色彩色显示，而且耗电量低，可以与SharpLCD面板媲美。目前，MIP技术使用SRAM(StaticRandomAccessMemory，静态随机存取存储器)/VLC(VisibleLightCommunication，可见光通信)来实现，其中，SRAM主要由两个CMOS非门构成(如图1所示)，即由两对PMOS和NMOS管构成。然而，对于目前面板厂商已经成型的a_Si产线而言，导入PMOS工艺难度大且成本高，严重限制了其在可穿戴设备中的广泛应用。专利
技术实现思路
本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素记忆电路，其特征在于，包括：锁存单元，所述锁存单元仅由NMOS管构成；开关单元，所述开关单元的第一端与数据线相连以接收数据电压，所述开关单元的控制端接收行扫描信号，所述开关单元的第二端与所述锁存单元的输入端相连，并形成第一节点，所述开关单元在所述行扫描信号的控制下导通，以将所述数据电压提供给所述锁存单元，以便所述锁存单元对所述数据电压进行锁存并生成锁存信号；选择单元，所述选择单元的第一控制端与所述第一节点相连，所述选择单元的第二控制端与所述锁存单元的输出端相连，所述选择单元的第一接收端接收第一选择信号，所述选择单元的第二接收端接收第二选择信号，所述选择单元在所述锁存信号的控制下将所述第...

【技术特征摘要】
1.一种像素记忆电路，其特征在于，包括：锁存单元，所述锁存单元仅由NMOS管构成；开关单元，所述开关单元的第一端与数据线相连以接收数据电压，所述开关单元的控制端接收行扫描信号，所述开关单元的第二端与所述锁存单元的输入端相连，并形成第一节点，所述开关单元在所述行扫描信号的控制下导通，以将所述数据电压提供给所述锁存单元，以便所述锁存单元对所述数据电压进行锁存并生成锁存信号；选择单元，所述选择单元的第一控制端与所述第一节点相连，所述选择单元的第二控制端与所述锁存单元的输出端相连，所述选择单元的第一接收端接收第一选择信号，所述选择单元的第二接收端接收第二选择信号，所述选择单元在所述锁存信号的控制下将所述第一选择信号或所述第二选择信号施加给像素电极，并在所述开关单元关断时继续向所述像素电极施加所述第一选择信号或所述第二选择信号，以实现像素自动更新。2.如权利要求1所述的像素记忆电路，其特征在于，所述锁存单元包括：第一NMOS管，所述第一NMOS管的源极和栅极均与电源端相连以接收电源电压；第二NMOS管，所述第二NMOS管的源极与所述第一NMOS管的漏极相连，并形成第二节点，所述第二NMOS管的栅极与所述开关单元的第二端相连，所述第二NMOS管的漏极接地；第三NMOS管，所述第三NMOS管的源极和栅极均与所述电源端相连以接收所述电源电压；第四NMOS管，所述第四NMOS管的源极与所述第三NMOS管的漏极相连，并形成第三节点，所述第四NMOS管的栅极与所述第二节点相连，所述第四NMOS管的漏极接地，其中，所述第三节点还与所述第一节点相连，以将所述锁存信号输出至所述选择单元。3.如权利要求2所述的像素记忆电路，其特征在于，所述开关单元包括：第一晶体管，所述第一晶体管的栅极接收所述行扫描信号，所述第一晶体管的源极接收所述数据电压，所述第一晶体管的漏极与所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈怡敏，邵贤杰，王张萌，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11