背面研磨带制造技术

本发明专利技术提供一种背面研磨带，其具有适于背面研磨工序的粘合力，剥离性也优异、且耐酸性和耐碱性优异。本发明专利技术的背面研磨带具备：基材、和配置于该基材的至少单侧的粘合剂层，该粘合剂层包含(甲基)丙烯酸系粘合剂，该(甲基)丙烯酸系粘合剂包含(甲基)丙烯酸系聚合物，所述(甲基)丙烯酸系聚合物包含具有碳数为8以上的侧链的构成单元，该粘合剂层的凝胶分数为40％～80％。

Back grinding belt

The invention provides a back grinding belt, which has adhesive force suitable for the back grinding process, excellent peeling property, acid resistance and alkali resistance. The invention of the back grinding belt has an adhesive layer arranged on the substrate and substrate, at least one side, the adhesive layer comprising (meth) acrylic adhesive, the (meth) acrylic adhesive containing (meth) acrylic polymer, wherein the (meth) acrylic polymer containing units of carbon number the side chain of more than 8, the gel fraction of the adhesive layer is 40% ~ 80%.

【技术实现步骤摘要】
背面研磨带
本专利技术涉及背面研磨带。
技术介绍
以往，在加工半导体晶圆时，进行对半导体晶圆的背面磨削的背面研磨工序直至得到期望的厚度，进而，为了半导体晶圆面的调整等而进行了湿法蚀刻工序。在背面研磨工序中，为了固定半导体晶圆、且保护与磨削面处于相反侧的面，而使用了粘合带(背面研磨带)(例如，专利文献1)。近些年，伴随功率器件的薄型化，对于背面研磨工序后或湿法蚀刻工序后的半导体晶圆而言，薄型化的需求也日益增高。背面研磨带在规定的工序后被剥离，但使用以往的背面研磨带的情况下，在剥离该研磨带时，存在薄型化半导体晶圆经常发生破损这样的问题。另外，以往的背面研磨带存在耐化学药品性低、由于在湿法蚀刻工序中使用的酸性液体或碱性液体而劣化这样的问题。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2011-151163号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本专利技术是为了解决上述现有问题而完成的，其目的在于提供一种背面研磨带，其具有适于背面研磨工序的粘合力，剥离性也优异、且耐酸性和耐碱性优异。用于解决问题的方案本专利技术的背面研磨带具备：基材、和配置于该基材的至少单侧的粘合剂层，该粘合剂层包含(甲基)丙烯酸本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种背面研磨带，其具备：基材、和配置于该基材的至少单侧的粘合剂层，该粘合剂层包含(甲基)丙烯酸系粘合剂，该(甲基)丙烯酸系粘合剂包含(甲基)丙烯酸系聚合物，所述(甲基)丙烯酸系聚合物包含具有碳数为8以上的侧链的构成单元，该粘合剂层的凝胶分数为40％～80％。

【技术特征摘要】
2016.05.18 JP 2016-0993281.一种背面研磨带，其具备：基材、和配置于该基材的至少单侧的粘合剂层，该粘合剂层包含(甲基)丙烯酸系粘合剂，该(甲基)丙烯...

【专利技术属性】
技术研发人员：龟井胜利，户田乔之，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP