面向物联网的具有自供电功能的MESFET管放大器制造技术

本发明专利技术的面向物联网的具有自供电功能的MESFET管放大器，包括具有热电转换功能的MESFET放大管、电阻、电容、稳压电路和大电容充电电池。在传统的MESFET放大管上生长一层二氧化硅层，在MESFET放大管的源漏栅上各制作12个由热电偶金属臂和热电偶砷化镓臂组成的热电偶，用金属连线Au将其串联，留下两个电极作为塞贝克电压输出极“+”极和“‑”极。信号通过隔直电容C1输入到MESFET放大管的栅极，电阻R1和电阻R2构成偏置，源极通过电阻R3接地，放大后的信号通过MESFET放大管的漏极输出；将塞贝克电压的“‑”电极接地，“+”电极接稳压电路和大电容。根据Seebeck效应，MESFET放大器将自身工作时产生的废热回收转换成电能，进行电能存储和自供电，增强其散热性能的同时延长了使用寿命。

MESFET tube amplifier with self powered function for Internet of things

The MESFET tube amplifier with self powered function for the Internet of things includes a MESFET amplifying tube with a thermoelectric conversion function, a resistor, a capacitor, a voltage stabilizing circuit and a large capacitance charging battery. In the traditional MESFET amplification growing a layer of silicon dioxide layer on the tube, making 12 composed of thermocouple metal arm and thermocouple thermocouple arm in MESFET GaAs amplifier source drain gate, with metal wires which Au series, leaving two electrodes as the Seebeck voltage output pole \+\ and \\. The signal through the gate capacitance of C1 input to the MESFET amplifier tube, a resistor R1 and a resistor R2 bias source resistance grounding by R3, the amplified signal amplified by MESFET tube drain output voltage; Sebek \\ grounding electrode \+\ electrode and the capacitor voltage stabilizing circuit. According to the Seebeck effect, the MESFET amplifier converts the waste heat generated from its own work into electric energy, which can store and self supply the power, improve the heat dissipation performance and prolong the service life.

【技术实现步骤摘要】
面向物联网的具有自供电功能的MESFET管放大器
本专利技术涉及微电子机械系统(MEMS)的
，具体涉及一种面向物联网的具有自供电功能的MESFET管放大器。MESFET(MetalEpitaxial-SemiconductorFieldEffectTransistor)，即金属-半导体场效应晶体管。
技术介绍
继计算机、互联网与移动通信网之后，物联网作为又一次信息产业浪潮，世界上的许多事物，小到手表、手环，大到汽车，只要嵌入一个微型芯片，就使其变得智能化，并且其所需功耗十分低。随着能量收集技术的不断发展，近年来不断出现对微小功率浪费能源收集与利用的报道。将浪费的能量以及环境中无所不在的能量收集起来，转换成电能，为各种电子设备供能，是服务于物联网的有效途径。温差发电技术帮助人们收集环境中的热能，转换成电能，为物联网或可穿戴设备供电，实现能量自供给。半导体温差发电是一种绿色的能源技术，是一种新型的发电技术，它具有如下优点：(1)结构紧凑、无磨损、无泄漏；(2)寿命长且可靠性高；(3)无有害物排放、无噪音污染。其中，半导体温差发电技术的一个关键问题是温差的产生，也就是热源的获得，又本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种面向物联网的具有自供电功能的MESFET管放大器，其特征是：包括：具有热电转换功能的MESFET放大管、电阻、电容、稳压电路和大电容充电电池；信号通过隔直电容C1输入到MESFET放大管的栅极，电阻R1和电阻R2分别为MESFET放大管的栅极的上下偏置，MESFET放大管的源极通过电阻R3接地，MESFET放大管的漏极通过电阻R4接到VDD，放大后的信号通过MESFET放大管的漏极输出，MESFET放大管的漏极通过隔直电容C2接负载电阻R5，稳压电路和大电容充电电池接VDD；所述具有热电转换功能的MESFET放大管产生塞贝克电压，塞贝克电压的输出极“+”极接稳压电路和大电容充电电池，“‑”...

【技术特征摘要】
1.一种面向物联网的具有自供电功能的MESFET管放大器，其特征是：包括：具有热电转换功能的MESFET放大管、电阻、电容、稳压电路和大电容充电电池；信号通过隔直电容C1输入到MESFET放大管的栅极，电阻R1和电阻R2分别为MESFET放大管的栅极的上下偏置，MESFET放大管的源极通过电阻R3接地，MESFET放大管的漏极通过电阻R4接到VDD，放大后的信号通过MESFET放大管的漏极输出，MESFET放大管的漏极通过隔直电容C2接负载电阻R5，稳压电路和大电容充电电池接VDD；所述具有热电转换功能的MESFET放大管产生塞贝克电压，塞贝克电压的输出极“+”极接稳压电路和大电容充电电池，“-”极接地。2.根据权利要求1所述的面向物联网的具有自供电功能的MESFET管放大器，其特征是：所述MESFET放大管以半绝缘的GaAs为衬底(1)，衬底(1)上设有N型GaAs导电沟道层(12)、MESFET源区(3)、MESFET漏区(4)、源区欧姆接触金锗合金层(5)、漏区欧姆接触金锗合金层(6)、栅极肖特基接触金层(7)；所述源区欧姆接触金锗合金层(5)、漏区欧姆接触金锗合金层(6)、栅极肖特基接触金层(7)的四周分别设有绝缘层(2)；所述源区欧姆接触金锗合金层(5)、漏区欧姆接触金锗合金层(6)、栅极肖特基接触金层(7)四周的绝缘层(2)上分别设有若干个热电偶，热电偶之间通过金属连线...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖小平，陈友国，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32