一种用于火花试验装置电感性电路的镉盘及其加工方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种用于火花试验装置电感性电路的镉盘及其加工方法，包括镉盘主体，镉盘主体上设置有两条凹槽，在凹槽边沿交汇的位置设置有倒角部；凹槽边沿分离点的位置设置有半圆部。其方法为：(a)对镉盘做标记，确定初始位置，建立坐标系；(b)确定钨丝与镉盘外圆周边沿以及凹槽边沿的交汇和分离位置，并将该交汇点和分离点的轨迹坐标做好汇总和制表；(c)根据步骤(b)中计算所得的坐标，来确定半圆部和倒角部的位置，在交汇点做倒角处理，在分离点做半圆形处理；(d)根据步骤(c)中确定的位置，对镉盘做相应的倒角处理和半圆形处理。能有效解决现有火花试验装置中钨丝磨损快，钨丝与镉盘分离角度不一致的问题。

Cadmium disk for inductive circuit of spark test device and its processing method

The invention discloses a test device for spark inductive circuit CD disc and its making method, including CD disc CD disk main body, the main body is provided with two grooves, the chamfered part is arranged in the groove edge intersection position; the groove edge position of the separation point is provided with a semicircular part. The method is as follows: (a) marked the CD disk, to determine the initial position, the establishment of coordinate system; (b) determination of tungsten and cadmium and along the outer circumference side of the groove edge intersection and separation position, and the intersection point coordinates and the separation point and make summary tabulation; (C) according to the steps (b) in the calculated coordinates, to determine the position of a semi-circular portion and a chamfer at the intersection point, chamfer processing, semi circular processing at the separation point; (d) (c) according to the steps in determining the position of the chamfer processing and semi circular corresponding to CD disc. The utility model can effectively solve the problem that the tungsten wire is worn fast in the existing spark test device, and the separation angle between the tungsten wire and the cadmium disk is inconsistent.

【技术实现步骤摘要】
一种用于火花试验装置电感性电路的镉盘及其加工方法
本专利技术涉及一种镉盘及其加工方法，特别涉及一种用于火花试验装置电感性电路的镉盘及其加工方法，其属于防爆电气安全

技术介绍
如图1所示，为现有的火花试验装置，其由爆炸容器内布置一组电极组成。电极用于在规定的爆炸性试验混合物内产生闭合火花和开路火花。两接触电极之一是由带有两道凹槽的镉盘电极组成。另一个接触电极由固定于极握上的四根钨丝组成。旋转极握使钨丝电极在镉盘上滑动。驱动极握和镉盘的两轴由不导电的齿轮啮合起来，齿轮传动比为50﹕12。用电机带动的极握转速为80r/min。镉盘速度较慢，向反方向旋转。被试电路接入火花试验装置电极上，电极在充满爆炸性试验混合物的容器内。将电路参数调整到规定的安全系数后进行试验，并确定在电极系统的规定转数内是否点燃爆炸性试验混合物。现有火花试验装置存在如下两个问题。第一是钨丝的过度磨损问题，因钨丝磨损更换造成检测效率的降低，第二是钨丝与镉盘接触/分离角度问题，因接触/分离角度不能保持一致而影响到检测的灵敏度。对第一个问题具体而言，若被试电路为电感性电路，开路火花可能造成引爆，而闭合火花不会造成引爆，也就是说闭合火花是无效过程。这样闭合过程希望磨损减小，增加钨丝的寿命，提高钨丝寿命。因此需要根据电路的类型以及钨丝与镉盘的交汇轨迹来改变镉盘的形状。对第二个问题具体而言，钨丝与镉盘的交汇过点，一是与镉盘边缘的交汇点，钨丝与镉盘的接触/分离角度是固定的，接近于垂直。二是与镉盘内部凹槽的交汇，接触/分离角度差距很大，经计算变化范围为15°～88°。为保证检测的一致性，即使得每一个火花的接触/分离角度是一致的，或者说均接近于垂直接触/分离，这对操作上来说要求很高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种用于火花试验装置电感性电路的镉盘及其加工方法，该镉盘能有效解决现有火花试验装置中钨丝磨损快，钨丝与镉盘分离角度不一致的问题。为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案在于，一种用于火花试验装置电感性电路的镉盘，包括镉盘主体，镉盘主体上设置有两条凹槽，在钨丝与镉盘主体的凹槽边沿交汇的位置设置有倒角部；在钨丝与镉盘主体的凹槽边沿分离点的位置设置有半圆部。通过对镉盘凹槽做倒角处理能够解决无效火花在接触过程中，钨丝与镉盘的磨损过大的问题；通过对镉盘凹槽做半圆形处理能够解决在分离过程中，钨丝与镉盘的角度不一致的问题。作为优选，所述半圆部为凹形半圆，其凹形开口与凹槽的内侧边处于同一平面。在实际应用中考虑到镉盘凹槽宽度小，如果在凹槽中做突出的半圆形处理，可能会导致钨丝在凹槽中分离的时间太短，影响试验设备的准确性。所以将凹形开口与凹槽的内侧边设于同一平面。本专利技术还公开了一种镉盘的加工方法，在加工倒角部和半圆部时，其具体的步骤如下：(a)对镉盘做标记，确定初始位置，建立坐标系；(b)确定钨丝与镉盘外圆周边沿以及凹槽边沿的交汇和分离位置，并将该交汇点和分离点的轨迹坐标做好汇总和制表；(c)根据步骤(b)中计算所得的坐标，来确定半圆部和倒角部的位置，在交汇点做倒角处理，在分离点做半圆形处理；(d)根据步骤(c)中确定的位置，对镉盘做相应的倒角处理和半圆形处理。作为优选，在步骤(a)中，对镉盘建立直角坐标系，在镉盘的边缘位置做“△”标记，该“△”标记位于y轴上。作为优选，在步骤(b)中，对钨丝与镉盘外沿以及凹槽边沿的交汇和分离位置的确定步骤如下：(b1)钨丝与镉盘外圆周边沿交汇及分离轨迹坐标：对镉盘建立极坐标系，在此坐标系下，确定钨丝与镉盘外圆周边沿的交汇点和分离点的坐标；(b2)钨丝与镉盘凹槽边沿交汇及分离轨迹坐标：由步骤(a)中对镉盘建立的直角坐标系，计算得到钨丝与镉盘凹槽边沿交汇点和分离点的坐标。作为优选，在步骤(c)中，做倒角处理和半圆形处理的步骤如下：(c1)对钨丝与镉盘外圆周边沿交汇点和分离点的处理：在步骤(b)中得到的坐标表中，以交汇点的坐标为中心，做长度L＝0.2mm的倒角；以分离点的坐标为圆心，做半径R＝0.4mm的半圆形处理(c2)对钨丝与镉盘凹槽边沿交汇点和分离点的处理：在步骤(b)中得到的坐标表中，当相邻的两个点是两个交汇点，且距离为d时，根据d的数值范围来做倒角处理；当相邻的两个点是两个分离点，且距离为d时，根据d的数值范围来做半圆形处理；当相邻的两个点为一个交汇点一个分离点时，且其距离为d时，根据d的数值范围来做分别做倒角和半圆形处理。作为优选，在步骤(c2)中，其具体的操作为：当相邻的两个点是两个交汇点，且距离为d时：①当d≥0.2mm时，则分别以这两个交汇点的坐标为中心，做长度L＝0.2mm的倒角处理；②当d＜0.2mm时，则以这两个交汇点坐标连线的中点为倒角处理的中点，做长度L＝(d+0.2)mm的倒角处理；当相邻的两个点是两个分离点，且距离为d时：①当d≥0.2mm时，则分别以这两个分离点的坐标为圆心，做半径R＝d/2mm的半圆形处理；②当d＜0.2mm时，则以这两个分离点坐标连线的中点为圆心，做半径R＝(d+0.2)/2mm的半圆形处理；当相邻的两个点是一个交汇点和一个分离点，且距离为d时：①当d≥0.2mm时，则以交汇点的坐标为中心，做长度L＝0.2mm的倒角处理；以分离点的坐标为圆心，做半径R＝(d-0.1)mm的半圆形处理；②当d＜0.2mm时，则不做处理。本专利技术的有益效果：本专利技术公开的新型镉盘，在镉盘边沿与钨丝交汇和分离的位置分别设置有倒角部和半圆部；通过对镉盘凹槽做倒角处理能够解决无效火花在接触过程中，钨丝与镉盘的磨损过大的问题；通过对镉盘凹槽做半圆形处理能够解决在分离过程中，钨丝与镉盘的角度不一致的问题。附图说明为了更清楚地说明本专利技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。图1为现有火花试验装置结构示意图；图2为图1的俯视图；图3为本专利技术的镉盘的结构示意图；图4为图3中倒角部和半圆部的处理结构示意图；图5为镉盘的标记示意图；图6为直角坐标系示意图；图7为极坐标示意图；图8为本专利技术钨丝与镉盘主体分离以及接触点的位置。图中：1.镉盘主体，2.凹槽，3.倒角部，4.半圆部,5.被试电路连接处，6.阻爆容器，7.极握，8.钨丝，9.凹槽镉盘，10.齿轮。具体实施方式为了使本
的人员更好地理解本申请中的技术方案，下面将结合实施例对本申请中的技术方案进行清楚、完整地描述。如图3和图4所示，本专利技术公开了一种用于火花试验装置电感性电路的镉盘，包括镉盘主体1，镉盘主体1上设置有两条凹槽2，在钨丝与镉盘主体1的凹槽2边沿交汇的位置设置有倒角部3；在钨丝与镉盘主体1的凹槽2边沿分离点的位置设置有半圆部4。通过对镉盘凹槽做倒角处理能够解决无效火花在接触过程中，钨丝与镉盘的磨损过大的问题；通过对镉盘凹槽做半圆形处理能够解决在分离过程中，钨丝与镉盘的角度不一致的问题。在实际应用中考虑到镉盘凹槽宽度小，如果在凹槽中做突出的半圆形处理，可能会导致钨丝在凹槽中分离的时间太短，影响试验设备的准确性。所以在本专利技术中优选将半圆部4设置为凹形半圆，其凹形开口与凹槽2的内侧边处于同一平面。本专利技术还公开了一种镉盘的加工方法，在加工倒角部和半圆部时，其具体的步骤如下：(a)对镉盘做标记，确定初始位置，建立坐标系本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于火花试验装置电感性电路的镉盘，包括镉盘主体(1)，镉盘主体(1)上设置有两条凹槽(2)，特征在于，在钨丝与镉盘主体(1)的凹槽(2)边沿交汇的位置设置有倒角部(3)；在钨丝与镉盘主体(1)的凹槽(2)边沿分离点的位置设置有半圆部(4)。

【技术特征摘要】
1.一种用于火花试验装置电感性电路的镉盘，包括镉盘主体(1)，镉盘主体(1)上设置有两条凹槽(2)，特征在于，在钨丝与镉盘主体(1)的凹槽(2)边沿交汇的位置设置有倒角部(3)；在钨丝与镉盘主体(1)的凹槽(2)边沿分离点的位置设置有半圆部(4)。2.根据权利要求1所述的用于火花试验装置电感性电路的镉盘，其特征在于，所述半圆部(4)为凹形半圆，其凹形开口与凹槽(2)的内侧边处于同一平面。3.一种镉盘的加工方法，其特征在于，在加工如权利要求1或2中所述的倒角部(3)和半圆部(4)时，其具体的步骤如下：(a)对镉盘做标记，确定初始位置，建立坐标系；(b)确定钨丝与镉盘外圆周边沿以及与凹槽边沿的交汇和分离位置，并将该交汇点和分离点的轨迹坐标做好汇总和制表；(c)根据步骤(b)中计算所得的坐标，来确定半圆部和倒角部的位置，在交汇点做倒角处理，在分离点做半圆形处理；(d)根据步骤(c)中确定的位置，对镉盘做相应的倒角处理和半圆形处理。4.根据权利要求3所述的镉盘的加工方法，其特征在于，在步骤(a)中，对镉盘建立直角坐标系，在镉盘的边缘位置做“△”标记，该“△”标记位于y轴上。5.根据权利要求4所述的镉盘的加工方法，其特征在于，在步骤(b)中，对钨丝与镉盘外圆周边沿以及与凹槽边沿的交汇和分离位置的确定步骤如下：(b1)钨丝与镉盘外圆周边沿交汇及分离轨迹坐标：对镉盘建立极坐标系，在此坐标系下，确定钨丝与镉盘外圆周边沿的交汇点和分离点的坐标；(b2)钨丝与镉盘凹槽边沿交汇及分离轨迹坐标：由步骤(a)中对镉盘建立的直角坐标系，计算得到钨丝与镉盘凹槽边沿交汇点和分离点的坐标。6.根据权利要求5所述的镉...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟庆海，袁明华，
申请(专利权)人：北方工业大学，
类型：发明
国别省市：北京,11