电真空器件介质窗片的金属化方法技术

一种电真空器件介质窗片的金属化方法，包括以下步骤：步骤1、在基体上表面周期性间隔放置多个掩膜；步骤2、在基体放置有多个掩膜的一面形成金属化层；步骤3、去除多个掩膜；步骤4、在基体下表面周期性间隔放置多个掩膜，重复步骤2至3，使得基体的上、下表面均形成有金属化层；步骤5、切割步骤4中结构形成至少一个与电真空器件相匹配的、金属化的介质窗片。本发明专利技术采用阵列掩膜先在基体上进行周期排列的金属化，再切割形成电真空器件所需的介质窗片，从而可简单便捷的完成介质窗片的金属化，介质窗片的尺寸可很好地控制在2mm以内，且能够保证金属化层中心与介质窗片中心的同心度。

Metallization method of dielectric window in electric vacuum device

A vacuum device dielectric window sheet metal method, which comprises the following steps: 1, on the substrate surface periodically spaced multiple masks; step 2 in the matrix, placed multiple mask is formed on the other side of the metal layer; step 3, the removal of a mask; and in step 4 the substrate surface periodic spaced multiple masks, repeat steps 2 to 3, the base of the upper and lower surfaces are formed with a metal layer; step 5, step 4 in cutting structure formed of dielectric window metallization at least one device and electric vacuum match. The invention adopts the first metal array periodically arranged in the matrix mask, cutting the medium window formed vacuum device is required, which can be simple and convenient to complete the metal dielectric window, window size medium can be well controlled within 2mm, and can guarantee that the metallized layer center with the medium window center concentricity.

【技术实现步骤摘要】
电真空器件介质窗片的金属化方法
本专利技术属于真空电子器件领域，更具体地涉及一种电真空器件介质窗片的金属化方法。
技术介绍
近年来，太赫兹(Terahertz，简称THz)技术的研究在国内外引起了广泛关注。太赫兹波是频率在0.1-10THz(波长3mm-30um)范围内的电磁波，介于毫米波和红外线之间，且相互之间有所重叠，是经典电子学向现代光子学的过渡区域。太赫兹的产生涉及电子学、光子学、材料科学以及微加工技术等多个学科，它在信息科学、生物学、医学、天文学、环境科学等领域有重要的应用价值。从频谱范围看，THz波覆盖半导体和等离子体的特征能量以及有机和生物大分子等的转动和振动能量；从应用的角度，THz波的频带宽、测量信噪比高、时间和空间分辨率高，适合实时的精准成像和信息处理、高数据率通信、射电天文观测、大气和环境监测、实时安全监控和基础科学研究等。因此，从技术发展的角度，太赫兹波无论是对国家经济、国防力量和科学研究都具有广泛的应用前景。然而，这些应用在极大程度上依赖于太赫兹功率源的研究和发展。相对于半导体THz源和基于光子学的THz发生器，真空电子器件在太赫兹频段产生高功率方面有显著的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电真空器件介质窗片的金属化方法，包括以下步骤：步骤1、在基体上表面周期性间隔放置多个掩膜；步骤2、在所述基体放置有多个掩膜的一面形成金属化层；步骤3、去除所述多个掩膜；步骤4、在所述基体下表面周期性间隔放置所述多个掩膜，重复所述步骤2至3，使得所述基体的上、下表面均形成有所述金属化层；步骤5、切割步骤4中结构形成至少一个与所述电真空器件相匹配的、金属化的介质窗片。

【技术特征摘要】
1.一种电真空器件介质窗片的金属化方法，包括以下步骤：步骤1、在基体上表面周期性间隔放置多个掩膜；步骤2、在所述基体放置有多个掩膜的一面形成金属化层；步骤3、去除所述多个掩膜；步骤4、在所述基体下表面周期性间隔放置所述多个掩膜，重复所述步骤2至3，使得所述基体的上、下表面均形成有所述金属化层；步骤5、切割步骤4中结构形成至少一个与所述电真空器件相匹配的、金属化的介质窗片。2.如权利要求1所述的电真空器件介质窗片的金属化方法，其中，周期性间隔放置所述多个掩膜时，放置周期与所述电真空器件介质窗片的尺寸相匹配。3.如权利要求1所述的电真空器件介质窗片的金属化方法，其中，所述基体的主体材料为所述介质窗片的主体材料，包括蓝宝石、金刚石、氧化铝或氮化硼。4.如权利要求1所述的电真空器件介质窗片的金属化方法，其中，所述多个...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘青伦，薛辽豫，黄明光，王刚，姚刘聪，李云锦，胡小华，刘泳良，
申请(专利权)人：中国科学院电子学研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11