一种显示装置和显示装置的制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种显示装置和显示装置的制作方法。其中，显示装置包括：设置于同一层中的触控走线和光子晶体结构，该光子晶体结构在基板上的正投影与像素发光单元在该基板上的正投影重叠。本发明专利技术实施例解决了现有技术中的顶发射触控显示器，由于需要采用多道制程制作彩膜层和触控走线，而导致制作工艺复杂，并且会对有机EL层造成损失，降低显示器的制作良率的问题，以及由于触控走线为外接走线而增加显示器的厚度和重量，影响显示器的外观尺寸的问题。

Method for making display device and display device

The embodiment of the invention discloses a method for making a display device and a display device. The display device comprises a touch line and a photonic crystal structure which are arranged in the same layer, and the positive projection of the photonic crystal structure on the substrate is overlapped with the positive projection of the pixel luminous unit on the substrate. The embodiment of the invention solves the top emitting touch display, due to the production of color film and touch lines with multi-channel processes, resulting in complex production process, and will result in the loss of the organic EL layer, reduce the display production yield, as well as by the touch line for external wiring increasing the thickness and weight of the display, affect the appearance of the display size of the problem.

【技术实现步骤摘要】
一种显示装置和显示装置的制作方法
本申请涉及但不限于显示
，尤指一种显示装置和显示装置的制作方法。
技术介绍
随着显示器技术发展和更新换代，有机电致发光显示器件(OrganicElectroluminanceDisplay，简称为：OLED)已逐渐成为显示领域的主流产品。按照光的出射方式，OLED可以分为底发射型和顶发射型，底发射型OLED中的出射光来自于衬底基板一侧，顶发射型OLED中的出射光来自顶端。为了是实现大尺寸OLED的全彩化，一般通过顶发射发光二极管(LightEmittingDiode，简称为：LED)和彩膜层叠加来实现。现有技术的顶发射触控显示器中，彩膜层和用于实现触控操作的触控走线通过多道制程制作，在实际制作中，在有机电致(EL)层的封装层上制作彩膜层和触控走线采用多道制程，该制作方式的工艺复杂，并且会对有机EL层造成损失，从而降低显示器的制作良率。另外，现有技术中的触控走线通常为外接走线，需要在显示器中开辟专门的空间用于设置触控走线，这样，会增加显示器的厚度和重量，并且影响显示器的外观尺寸，降低显示器的市场竞争性。综上所述，现有技术中的顶发射触控显示器，由于需要采用多道制程制作彩膜层和触控走线，而导致制作工艺复杂，并且会对有机EL层造成损失，降低显示器的制作良率的问题；另外，由于触控走线为外接走线而增加显示器的厚度和重量，影响显示器的外观尺寸的问题。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种显示装置和显示装置的制作方法，以解决现有技术中的顶发射触控显示器，由于需要采用多道制程制作彩膜层和触控走线，而导致制作工艺复杂，并且会对有机EL层造成损失，降低显示器的制作良率的问题，以及由于触控走线为外接走线而增加显示器的厚度和重量，影响显示器的外观尺寸的问题。本专利技术实施例提供一种显示装置，包括：设置于同一层中的触控走线和光子晶体结构，所述光子晶体结构在基板上的正投影与像素发光单元在所述基板上的正投影重叠。可选地，如上所述的显示装置中，所述光子晶体结构为周期性排列的光子晶体单元，每个所述光子晶体单元内的光子晶体图形不同；每个所述光子晶体图形，用于在所述像素发光单元发出的光经过本光子晶体图形后，形成特定波长范围的单色光。可选地，如上所述的显示装置中，每个所述光子晶体单元内的光子晶体图形包括以不同周期排列的外凸柱状结构或内凹柱状结构。可选地，如上所述的显示装置中，所述触控走线设置于所述光子晶体单元或多个所述光子晶体图形的周围。可选地，如上所述的显示装置中，所述像素发光单元包括依次排列的第一电极层、有机发光层和第二电极层。可选地，如上所述的显示装置中，所述触控走线和所述光子晶体结构位于透明导电层中，所述透明导电层远离所述基板的一侧设置有黑矩阵，所述黑矩阵位于两个相邻的光子晶体图形之间。可选地，如上所述的显示装置中，所述像素发光单元位于像素界定层中，所述像素界定层与所述透明导电层之间设置有薄膜封装层。本专利技术实施例提供一种显示装置的制作方法，包括：形成像素发光单元；通过一次掩膜工艺形成触控走线和光子晶体结构，所述光子晶体结构在基板上的正投影与所述像素发光单元在所述基板上的正投影重叠。可选地，如上所述的显示装置的制作方法中，所述像素发光单元位于像素界定层中，所述通过一次掩膜工艺形成触控走线和光子晶体结构，包括：在所述像素界定层和所述像素发光单元上依次形成薄膜封装层和透明导电薄膜；采用灰色调掩膜版对所述透明导电薄膜进行一次掩膜处理，形成所述触控走线和所述光子晶体结构，其中，所述触控走线围绕在所述光子晶体结构中光子晶体单元或多个光子晶体图形的周围。可选地，如上所述的显示装置的制作方法中，所述触控走线和所述光子晶体结构形成于透明导电层上，所述方法还包括：在所述透明导电层上形成黑矩阵，所述黑矩阵位于两个相邻的光子晶体图形之间。本专利技术实施例提供的显示装置和显示装置的制作方法，该显示装置包括设置于同一层中的触控走线和光子晶体结构，其中，光子晶体结构在基板上的正投影与像素发光单元在所述基板上的正投影重叠。本专利技术实施例提供的技术方案，可以通过一道制程完成彩膜功能层(即光子晶体结构)和触控走线，避免在有机EL层上制作彩膜功能层和触控走线时所需的多道制程，可以有效的减小工艺制程对有机EL层的损伤几率，从而获得较高的产品良率；另外，触控走线和彩膜功能层(即光子晶体结构)设置于同一层中，可以有效降低整体模组的厚度，减轻显示装置的重量，从而提高显示装置的市场竞争性。附图说明附图用来提供对本专利技术技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本专利技术的技术方案，并不构成对本专利技术技术方案的限制。图1为本专利技术实施例提供的一种显示装置的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种显示装置的俯视图；图3为本专利技术实施例提供的显示装置中一种光子晶体图形的俯视图；图4为本专利技术实施例提供的显示装置中另一种光子晶体图形的俯视图；图5为本专利技术实施例提供的显示装置中又一种光子晶体图形的俯视图；图6为本专利技术实施例提供的另一种显示装置的俯视图；图7为本专利技术实施例提供的又一种显示装置的俯视图；图8为本专利技术实施例提供的再一种显示装置的俯视图；图9为本专利技术实施例提供的另一种显示装置的结构示意图；图10为本专利技术实施例提供的又一种显示装置的结构示意图；图11为本专利技术实施例提供的再一种显示装置的结构示意图；图12为本专利技术实施例提供的再一种显示装置的结构示意图；图13为本专利技术实施例提供的显示装置中一种光子晶体图形的结构示意图；图14为本专利技术实施例提供的显示装置中另一种光子晶体图形的结构示意图；图15为本专利技术实施例提供的一种显示装置的制作方法的流程图；图16为专利技术实施例提供的显示装置的制作方法的一个工艺过程的示意图；图17为本专利技术实施例提供的另一种显示装置的制作方法的流程图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本专利技术的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。本专利技术提供以下几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例不再赘述。图1为本专利技术实施例提供的一种显示装置的结构示意图。本实施例提供的显示装置例如为顶发射显示装置，该显示装置可以包括：设置于同一层中的触控走线130和光子晶体结构120，该光子晶体结构120在基板210上的正投影与像素发光单元110在基板210上的正投影重叠；另外，该显示装置还可以包括：像素界定层(PixelDefinitionLayer，简称为：PDL)230和位于像素界定区域231中的像素发光单元110。需要说明的是，图1仅为显示装置的部分结构，示出了光子晶体结构120中的多个光子晶体图形122。在本专利技术实施例中，像素界定层230中设置有多个像素界定区域231，每个像素界定区域231可以为一个孔，并且每个像素界定区域231中设置有一个像素发光单元110。在实际应用中，触控走线130和光子晶体结构120可以设置于显示装置的透明导电层(TransparentConductiveLayer，简称为：TCL)250(图1中未示出透明导电层250中触控走线130的结构)。在本专利技术实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示装置，其特征在于，包括：设置于同一层中的触控走线和光子晶体结构，所述光子晶体结构在基板上的正投影与像素发光单元在所述基板上的正投影重叠。

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，其特征在于，包括：设置于同一层中的触控走线和光子晶体结构，所述光子晶体结构在基板上的正投影与像素发光单元在所述基板上的正投影重叠。2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述光子晶体结构为周期性排列的光子晶体单元，每个所述光子晶体单元内的光子晶体图形不同；每个所述光子晶体图形，用于在所述像素发光单元发出的光经过本光子晶体图形后，形成特定波长范围的单色光。3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，每个所述光子晶体单元内的光子晶体图形包括以不同周期排列的外凸柱状结构或内凹柱状结构。4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述触控走线设置于所述光子晶体单元或多个所述光子晶体图形的周围。5.根据权利要求1～4中任一项所述的显示装置，其特征在于，所述像素发光单元包括依次排列的第一电极层、有机发光层和第二电极层。6.根据权利要求1～4中任一项所述的显示装置，其特征在于，所述触控走线和所述光子晶体结构位于透明导电层中，所述透明导电层远离所述基板的一侧设置有黑矩阵，所述黑矩阵位于两个相...

【专利技术属性】
技术研发人员：林俊仪，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11