抑制垢的井处理制造技术

本发明专利技术提供一种在烃开采系统中抑制垢形成的方法，该方法包含用由二烯丙基铵盐，含一个羧基或羧酸盐基的单体和含至少二个羧基或羧酸盐基或含酸酐基团的单体所构成的聚合物接触所述系统。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】本专利技术涉及一种在烃井中减少垢形成的方法，并涉及用于该方法的新颖垢抑制剂。在烃井(即气井或油井)的操作过程中产生各种井下的问题，包括阻止烃流动的垢沉积。垢是一种与水有关的问题，其由于在地层(即岩石)中的不相容的水性流体的混合而产生。例如，当将海水注入地下岩层以将油经地层驱赶进入生产井的井孔时，在注入水中存在的离子性质与在地层中已存在的离子性质的差异可引起金属盐的沉淀。在北海(North Sea)通常的垢问题是关于无机盐诸如BaSO4、SrSO4、CaSO4和CaCO3的形成。这些盐沉淀为垢，如果放置不处理，则引起地下和地表开采设备和/或管道结垢，并最终堵塞井孔。不相容的水性流体通常在靠近地下岩层的井眼区发生混合。问题的严重性大大取决于野外操作条件，其可以由轻微的结垢趋向于极严重。通常为阻止在系统中形成垢，连续注入化学抑制剂和/或通过定期的“挤注(squeeze)”处理。垢抑制剂防止了垢形成，从而增加油或气流动，认为化学垢抑制剂是通过抑制成核或延迟结晶而起作用。在结晶延迟中认为垢抑<本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在烃开采系统中抑制垢形成的方法，所述方法包括将所述系统与聚合物（如三元共聚物）接触，该聚合物由二烯丙基铵盐、含一个羧基或羧酸盐基的单体和含至少二个羧基或羧酸盐基或含酸酐基团的单体所形成。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】GB 2006-1-13 0600692.81.一种在烃开采系统中抑制垢形成的方法，所述方法包括将所述系统
与聚合物(如三元共聚物)接触，该聚合物由二烯丙基铵盐、含一个羧基或羧
酸盐基的单体和含至少二个羧基或羧酸盐基或含酸酐基团的单体所形成。
2.按权利要求1所述的方法，其中所述聚合物由式(I)的单体形成:
其中
R1和R2各独立地为氢或任选取代的有机基团，该有机基团具有1-20
个碳原子，优选1-12个碳原子，如1-6个碳原子；
各个R独立地选自氢和有1-20个碳原子、如1-6个碳原子的有机基团；
和
X是抗衡离子，其可任选地共价结合到R1或R2。
3.按权利要求1或2所述的方法，其中所述聚合物是由二烯丙基二甲
基氯化铵所形成。
4.按上述权利要求任一项所述的方法，其中，所述包含一个羧基或羧
酸盐基的单体是式(II)的单体:
其中，Z是抗衡离子，优选为氢原子或一价的金属原子(如氢原子)；
y是0或1-3的整数(如1)；和
R3、R4和R5各独立地为氢、任选取代的有1-6个碳原子的烷基或芳基、
-SO3Z或-PO3Z2。
5.按权利要求4所述的方法，其中所述含一个羧基或羧酸盐基的单体
选自丙烯酸和甲基丙烯酸。
6.按上述权利要求任一项所述的方法，其中所述含至少二个羧基或羧
酸盐基或含酸酐基团的单体是式(III)的单体:
其中Z是抗衡离子，优选为氢原子或一价的金属原子(优选为氢原子)；
各y独立地为0或1-3的整数(如1)；以及
R6和R7各独立地为氢、任选取代的有1-6个碳原子的烷基或芳基、
-CO2Z、-SO3Z或-PO3Z2。
7.按权利要求6所述的方法，其中所述式(III)的单体选自马来酸和富
马酸。
8.按上述权利要求任一项所述的方法，其中所述聚合物包括由式(IV)
和/或式(V)代表的重复单元:
其中，R、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、X、Z和y如上所定义；<...

【专利技术属性】
技术研发人员：哈里蒙哥马利，陈平，托马斯黑根，郑烈华，
申请(专利权)人：冠军科技有限公司，四川三元化工有限公司，
类型：发明
国别省市：GB[英国]